**对比文件名称**：2016-12-06_US9516765B_发明授权_US09516765B2 Method for producing printed wiring board
**目标专利名称**：1558印刷电路板CN113243145B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek
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## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括<br>【直接公开】 | 对比文件[0171]记载：“根据本发明的方法制造的印刷电路板…”，全文公开了印刷电路板包含绝缘层和导电层。 | 对比文件直接公开了印刷电路板包含绝缘层和导电层，目标专利的“包括”为开放式表述，已被对比文件毫无疑义地公开。 |
| 技术特征B：绝缘层<br>【直接公开】 | 对比文件[0023]：“形成绝缘层”；[0048]步骤(B)：“热固化树脂组合物层以形成绝缘层”。 | 对比文件明确定义了绝缘层及其形成过程，与目标专利的绝缘层作用相同，直接公开。 |
| 技术特征C：电路图案<br>【直接公开】 | 对比文件[0146]：“在绝缘层表面形成导电层”（forming a conductive layer on a surface of the insulating layer）。 | 对比文件公开的导电层即为目标专利的电路图案，用于传输电信号，直接公开。 |
| 技术特征D：所述电路图案设置在所述绝缘层上<br>【直接公开】 | 对比文件[0146]：“在绝缘层表面形成导电层”。 | 对比文件中导电层明确形成于绝缘层上，与技术特征D完全相同，直接公开。 |
| 技术特征E：其中，所述电路图案包括上表面、下表面、第一侧表面和第二侧表面<br>【直接公开】 | 对比文件公开了导电层（电路图案），例如[0146]；本领域公知任何附着于基板的导体层必然具有上表面、下表面和两个侧表面。 | 对比文件虽未逐一列举各表面，但导电层的结构本质决定了其包含这些表面，本领域技术人员毫无疑义地可知，因此直接公开。 |
| 技术特征F：所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.31μm以下<br>【未公开】 | 对比文件[0171]记载绝缘层的算术平均粗糙度(Ra)为180nm以下，但未涉及电路图案（导电层）的粗糙度。 | 对比文件仅针对绝缘层表面粗糙度进行限定，全文未提及电路图案任何表面的粗糙度数值，更未公开0.31μm的范围，因此未公开。 |
| 技术特征G：其中，在所述电路图案的表面中长度长的部分的粗糙度小于长度小的部分的粗糙度<br>【未公开】 | 对比文件未涉及此类关系。 | 对比文件没有任何关于电路图案表面长度与粗糙度关联性的描述或暗示，未公开。 |
| 技术特征H：其中，所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.17μm以下<br>【未公开】 | 对比文件未公开电路图案的粗糙度。 | 同特征F，对比文件未提供任何电路图案粗糙度的数据，未公开。 |
| 技术特征I：其中，所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.1μm至0.13μm<br>【未公开】 | 对比文件未公开电路图案的粗糙度。 | 同特征F，未公开。 |
| 技术特征J：其中，所述电路图案的宽度方向上的横截面中的所述上表面的长度和所述下表面长度中的至少一个与所述电路图案的所述横截面中的所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度中的至少一个不同<br>【未公开】 | 对比文件未涉及横截面尺寸比较。 | 对比文件未对电路图案的横截面各表面长度进行比较或定义，未公开。 |
| 技术特征K：其中，所述电路图案的所述上表面和所述下表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)与所述电路图案的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)不同<br>【未公开】 | 对比文件未提及电路图案不同表面的粗糙度差异。 | 对比文件未涉及任何关于电路图案不同表面粗糙度不同的技术内容，未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述电路图案的所述横截面中的所述上表面的长度和所述下表面的长度中的至少一个大于所述电路图案的所述横截面中的所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度中的至少一个；并且中，所述电路图案的所述上表面和所述下表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)小于所述电路图案的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个的表面粗糙度(Ra)<br>【未公开】 | 对比文件未涉及此复杂关系。 | 对比文件既未定义横截面长度大小关系，也未定义粗糙度与长度的关联，未公开。 |
| 技术特征M：其中，所述上表面的长度是所述上表面的宽度<br>【未公开】 | 对比文件未定义。 | 对比文件没有对电路图案的上表面进行长度与宽度的定义，未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述下表面的长度是所述下表面的宽度<br>【未公开】 | 对比文件未定义。 | 同特征M，未公开。 |
| 技术特征O：所述第一侧表面的长度和所述第二侧表面的长度是所述电路图案的高度<br>【未公开】 | 对比文件未定义。 | 对比文件未定义侧表面长度与高度的关系，未公开。 |
| 技术特征P：其中，所述电路图案的所述上表面、所述下表面、所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少三个表面的表面粗糙度(Ra)为0.42μm以下<br>【未公开】 | 对比文件[0171]记载绝缘层的均方根粗糙度(Rq)为250nm以下，但非电路图案的Ra。 | 对比文件未公开电路图案的Ra值或Rq值，更未公开0.42μm，未公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述电路图案的阻抗为35.3Ω以下<br>【未公开】 | 对比文件未提及电路图案的阻抗。 | 对比文件全文未涉及电路图案的阻抗参数，未公开。 |
| 技术特征R：其中，所述电路图案包括：电镀种子层<br>【直接公开】 | 对比文件[0160]：“首先，通过在绝缘层表面化学镀形成电镀种子层（plating seed layer）”。 | 对比文件明确公开电路图案的构成中包含电镀种子层，直接公开。 |
| 技术特征S：所述电镀种子层设置在所述绝缘层上<br>【直接公开】 | 对比文件[0160]：“在绝缘层表面形成电镀种子层”。 | 对比文件中电镀种子层直接形成于绝缘层上，含义与技术特征S一致，直接公开。 |
| 技术特征T：图案层<br>【直接公开】 | 对比文件[0160]：“通过电解电镀在暴露的电镀种子层上形成金属层（metal layer）”。 | 对比文件公开的通过电镀形成的金属层即为图案层，直接公开。 |
| 技术特征U：所述图案层设置在所述电镀种子层上<br>【直接公开】 | 对比文件[0160]：金属层形成于电镀种子层上。 | 对比文件的叠层顺序为种子层之上形成金属层，与技术特征U相同，直接公开。 |
| 技术特征V：其中，所述电路图案的所述上表面是所述图案层的上表面<br>【直接公开】 | 对比文件[0160]公开了电路图案由种子层和其上的金属层（图案层）组成。 | 电路图案的最上层为图案层，因此上表面即为图案层的上表面，本领域技术人员可直接确定，直接公开。 |
| 技术特征W：其中，所述电路图案的所述下表面是所述电镀种子层的下表面<br>【直接公开】 | 对比文件[0160]种子层与绝缘层接触。 | 种子层的下表面与绝缘层接触，即为电路图案的下表面，直接公开。 |
| 技术特征X：其中，所述电路图案的所述第一侧表面包括所述电镀种子层的第一侧表面和所述图案层的第一侧表面；并且中，所述电路图案的所述第二侧表面包括所述电镀种子层的第二侧表面和所述图案层的第二侧表面<br>【直接公开】 | 对比文件[0160]公开了电路图案的叠层结构包括种子层和图案层。 | 电路图案的整体侧表面自然包含种子层和图案层两者的侧表面，这是层状结构的固有特性，本领域技术人员可毫无疑义地推出，直接公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述电路图案的宽度方向上的横截面中的所述上表面的长度小于所述电路图案的所述宽度方向上的所述横截面中的所述下表面的长度<br>【未公开】 | 对比文件未涉及此形状特征。 | 对比文件未公开任何关于上表面与下表面在横截面中的长度比较，未公开。 |
| 技术特征Z：其中，所述电路图案的所述宽度方向上的所述横截面中的所述第一侧表面和所述第二侧表面中的至少一个具有规定的倾斜角度并且连接在所述电路图案的所述上表面和所述下表面之间<br>【未公开】 | 对比文件未描述侧表面倾斜角度。 | 对比文件未提及电路图案侧表面为倾斜状或具有特定角度，未公开。 |
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## 公开性代码输出
根据上述判断，对比文件直接公开的技术特征代码（大写）如下：
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<R>>><<<S>>><<<T>>><<<U>>><<<V>>><<<W>>><<<X>>>