**对比文件名称**：2008-12-04_JP2008544494A_发明专利_JP2008544494A Linear variable voltage diode capacitor and adaptive matching networks
**目标专利名称**：三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法CN105191123B
**本次调用的模型名称**：专利创造性评估模型
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (段落标号/位置) | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：包括至少一个电感器的第一层级 <br>**判断结果**：**未公开** | 无直接对应引用。对比文件全文未描述具有明确划分的、包含电感器的“第一层级”结构。 | 目标专利中的“第一层级”是一个明确的物理堆叠层级，用于容纳电感器。对比文件虽然提及在电路（如滤波器、匹配网络）中使用电感器（例如图11、13），但其描述聚焦于可变电容（变抗器）的拓扑和集成，并未将电感器描述为构成一个独立的、空间上分层的“层级”。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出这种具有特定结构划分的“第一层级”。 |
| **技术特征B**：，其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器 <br>**判断结果**：**未公开** | 无直接对应引用。对比文件未提及“穿基板通孔电感器”（Through-Substrate Via Inductor）或类似结构。 | 目标专利明确限定了电感器为穿基板通孔类型（如TGV），这是一种特定的三维集成技术。对比文件通篇讨论的是可变电容（变抗器）在硅上玻璃（SOG）技术中的实现，对于电感器仅作为电路元件提及，未披露其具体的三维结构形式。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开此特定类型的电感器结构。 |
| **技术特征C**：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级， <br>**判断结果**：**未公开** | 无直接对应引用。对比文件未描述与“第一层级”相对应的、专门容纳变抗器的“第二层级”。 | 目标专利的权利要求限定了明确的“第二层级”结构，并与第一层级耦合。对比文件详细描述了变抗器（可变电容）的电路拓扑和制造技术（如SOG），但这些变抗器被集成在芯片或电路网络中，并未被描述为位于一个与电感器所在层物理分离且堆叠的“第二层级”中。对比文件缺少对三维堆叠层级结构的任何揭示。 |
| **技术特征D**：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。 <br>**判断结果**：**未公开** | 无直接对应引用。对比文件未提及“共用器”（Diplexer）这一特定类型的器件。 | 目标专利中电感器与变抗器结合形成的“可调谐共用器”是一种具有特定功能（如频域复用）的滤波器网络。对比文件公开了变抗器可用于构成可调谐滤波器（如段落[2]“チューナブルフィルタ”、图11）或自适应匹配网络，但“共用器”是具有特定端口（如两个频率端口和一个天线端口）和滤波特性的双工器，其结构和技术目的与对比文件描述的通用可调谐滤波器或匹配网络不同。本领域技术人员无法从对比文件推断出形成“共用器”这一特定装置。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。 <br>**判断结果**：**《直接公开》** | 对比文件说明书[2]段：“本発明の実施形態では、低歪みバラクタが低損失シリコンオングラス技術に適用され...”。（在本发明的实施例中，低失真变抗器适用于低损耗硅上玻璃技术...）以及图9A展示了硅上玻璃（SOG）变抗器器件的截面。 | 对比文件明确且反复地将其变抗器（バラクタ）实施例描述为采用“シリコンオングラス技術”（silicon-on-glass technology），即玻璃上覆硅（SOG）技术制造。这与目标专利中“玻璃上覆硅(SOG)变抗器”的技术特征完全相同。该技术在对比文件中用于实现变抗器的高Q值和低损耗特性，与目标专利中利用SOG变抗器实现高性能的目的一致。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 <<<E>>> |
| **技术特征F**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。 <br>**判断结果**：**未公开** | 无直接对应引用。 | 理由同技术特征B。目标专利进一步将穿基板通孔电感器限定为“穿玻通孔(TGV)电感器”。对比文件完全未提及任何形式的穿基板通孔或穿玻通孔电感器结构。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。 <br>**判断结果**：**未公开** | 无直接对应引用。对比文件未提及“低通(LP)滤波器”作为“共用器”的组成部分。 | 目标专利的特征在于电感器和变抗器形成的特定功能模块——可调谐共用器内的低通滤波器。对比文件虽然公开了包含电感器和变抗器的可调谐电路（如滤波器），但并未将其具体限定为“低通滤波器”，更未将其作为“共用器”的内部构件来描述。该特征未被公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。 <br>**判断结果**：**未公开** | 无直接对应引用。 | 该特征涉及更复杂的具体结构：在第二层级有第二变抗器，耦合到第一层级的多个第二电感器，共同形成LP滤波器。对比文件既未公开“第一层级”、“第二层级”的分层概念，也未描述这种多个电感器与特定变抗器在分层结构中耦合以形成LP滤波器的具体安排。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。 <br>**判断结果**：**《隐含公开》** | 对比文件说明书[2]段：“電圧可変（またはチューナブル）ダイオードキャパシタは、高周波電子設計用途に広く用いられる。たとえば、...チューナブルフィルタ...などでも使用される。”（电压可变（或可调谐）二极管电容广泛用于高频电子设计应用。例如，...也用于可调谐滤波器等。）以及图11-12展示了通过改变变抗器控制电压（Vtune1, Vtune2）来调谐滤波器频率响应。 | 目标专利中变抗器的作用是调节共用器内滤波器的陷波频率。对比文件明确公开了变抗器（电压可变电容）用于构成可调谐滤波器（チューナブルフィルタ），并通过改变控制电压来改变电容值，从而调谐滤波器的频率响应（如图12所示通带和阻带频率的变化）。虽然对比文件未明确使用“陷波频率”一词，但调谐滤波器的频率响应必然包括对阻带（即陷波）频率的调节。本领域技术人员根据对比文件公开的“变抗器用于调谐滤波器频率”这一原理，能够合理推断出变抗器可用于调节滤波器的陷波频率。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 <<<i>>> |
| **技术特征J**：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。 <br>**判断结果**：**未公开** | 无直接对应引用。 | 该特征限定了特定类型的电感器（穿基板通孔电感器）的特定功能（控制截止频率）。对比文件既未公开穿基板通孔电感器，也未描述电感器专门用于“控制截止频率”这一具体功能。电感器在滤波器中的作用是本领域公知的，但该特征是与特定结构结合的具体限定，未被对比文件公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。 <br>**判断结果**：**《隐含公开》** | 对比文件说明书[2]段：“本発明の好ましい実施形態のダイオードベースの可変キャパシタは、シリコンで形成され、好ましい実施形態は、シリコンオングラス製造である。”（本发明优选实施例的二极管基可变电容器由硅形成，优选实施例是硅上玻璃制造。）以及图9A展示了集成在硅上玻璃（SOG）结构中的变抗器器件。 | 目标专利的“三维集成电路集成到半导体管芯中”是一个较为上位的集成概念。对比文件明确公开了其可变电容（变抗器）器件采用半导体（硅）材料并在SOG技术中制造，这本质上是将半导体有源器件（变抗器）集成在一种基板（玻璃+硅）上的技术。虽然对比文件没有明确使用“三维集成电路(3DIC)”或“管芯”的术语，但SOG技术本身涉及不同材料层的堆叠集成，本领域技术人员可以理解这是一种半导体器件集成技术。在宽松的隐含公开判断标准下，可以认为对比文件隐含公开了将半导体器件（变抗器）集成到类似管芯的结构中。 <<<k>>> |
| **技术特征L**：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。 <br>**判断结果**：**《隐含公开》** | 对比文件说明书[2]段：“本発明の一応用例は、高周波電子回路（たとえば、携帯電話回路のような無線周波数回路）への応用である。”（本发明的一个应用实例是应用于高频电子电路（例如，像移动电话电路这样的无线射频电路）。） | 目标专利列举了一系列可能集成的电子设备。对比文件明确指出了其技术（可变电容/变抗器）的一个应用实例是“移动电话电路”。移动电话（蜂窝电话）包含在目标专利列举的设备列表中。因此，在宽松的隐含公开判断标准下，对比文件隐含公开了该技术可集成于“移动电话/蜂窝电话”这一具体设备类型。对于列表中的其他设备，对比文件没有提及。 <<<l>>> |
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