对比文件名称：JPH0945866A Microwave integrated circuit
目标专利名称：CN105191123B 三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法
本次调用的模型名称：专利创造性评估模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**: 包括：包括至少一个电感器的第一层级 <br> **公开性判断**: 未被公开 | [0002]【従来の技術】...このように複数個のインダクタを同一チップ上に集積することはマイクロ波集積回路でしばしば必要とされる。 (译文：...这样，在同一芯片上集成多个电感器在微波集成电路中经常是必要的。)<br>[0008] ...Ａｕによる第１層の配線層９を形成する...この第１層配線９により、...積層型およびスパイラル型インダクタの第１層配線９′を形成する。 (译文：...形成由Au构成的第一层布线层9...通过该第一层布线9，形成层叠型以及螺旋型电感器的第一层布线9′。)<br>[0009] ...スパイラル型インダクタ１４と積層型インダクタ１５を同一チップ上に集積することができる。 (译文：...可以在同一芯片上集成螺旋型电感器14和层叠型电感器15。) | 对比文件公开了在微波集成电路的芯片上集成电感器，并且描述了在“第一层布线层”上形成电感器的部分布线（第一层布线9′）。然而，目标专利中的“第一层级”是特指三维集成电路(3DIC)中的一个层级，其核心在于通过堆叠不同的层级（如第一层级、第二层级）来实现三维集成结构，以节省空间并集成特定元件（如电感器和变抗器）。对比文件虽然提及了多层布线结构，但其整体描述的是一个平面集成的芯片（例如在GaAs基板6上），其“层”指的是布线层，而非目标专利中具有明确功能性划分（如一个层级主要放置电感器，另一个层级主要放置变抗器）的、可堆叠的“层级”或“层级（tier）”概念。因此，对比文件未公开目标专利权利要求中限定的作为3DIC一部分的“第一层级”。 |
| **技术特征B**: 其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器 <br> **公开性判断**: 未被公开 | [0008] ...次にＳｉＯ 2層１０およびポリイミド膜１１の所定の場所に孔開けをした後、Ａｕの柱１２を埋め込む（図６(ａ)）。 (译文：...接着，在SiO2层10和聚酰亚胺膜11的预定位置开孔后，埋入Au柱12（图6(a)）。) | 对比文件公开了在层间绝缘膜上开孔并填充金属柱（Au柱12）以实现不同布线层之间的垂直互连。然而，这些“Au柱”被描述为用于连接第一层和第二层布线的互连结构（参见图6(b)中“各Ａｕ柱１２を接続”），其作用是电连接，并未被描述或暗示为构成一个独立的“电感器”元件。目标专利中的“穿基板通孔电感器”（例如TGV电感器）是一种利用穿过基板的垂直通孔结构本身来产生电感效应的元件。对比文件的Au柱是实现平面布线层间连接的“通孔”，而非旨在作为电感功能元件。因此，本领域技术人员不能从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出“穿基板通孔电感器”的技术方案。 |
| **技术特征C**: 包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级， <br> **公开性判断**: 未被公开 | 无相关内容。对比文件全文未提及“变抗器(varactor)”或任何可变电容元件。 | 对比文件解决的技术问题是多个电感器之间的磁力线相互干扰，其方案涉及改变电感器的类型（螺旋型与层叠型组合）或使电感器浮起以改变磁力线方向。其所有元件（晶体管、电感器、电阻、电容（如果存在））都是固定值的无源或有源器件，并未涉及任何可调谐的无源元件，特别是用于提供可变电容的“变抗器”。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开“包括...至少一个变抗器的第二层级”这一技术特征。 |
| **技术特征D**: 所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。 <br> **公开性判断**: 未被公开 | [0001]【産業上の利用分野】本発明は複数個のインダクタを使用するマイクロ波用の集積回路に関する。(译文：[产业应用领域] 本发明涉及使用多个电感器的微波用集成电路。)<br>[0002] ...図１に示したような回路はマイクロ波増幅器の回路の一例である... (译文：...图1所示的电路是微波放大器电路的一个例子...) | 对比文件公开的是一种“微波放大器”电路（图1），其包含晶体管和电感器。而目标专利的“可调谐共用器(diplexer)”是一种具有特定滤波功能的双工器/复用器，用于分离或组合不同频带的信号，其结构通常包含高通、低通或带阻滤波器。两者属于功能完全不同的电路模块。对比文件既未提及“共用器(diplexer)”，也未提及任何通过可变元件（变抗器）实现“可调谐”功能的电路。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E**: 其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。 <br> **公开性判断**: 未被公开 | 无相关内容。 | 如对特征C和D的分析，对比文件未公开任何“变抗器”，因此更不可能公开“SOG变抗器”这一具体的变抗器实施方式。 |
| **技术特征F**: 其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。 <br> **公开性判断**: 未被公开 | 无相关内容。对比文件使用的是GaAs基板（[0008] GaAs基板６），未提及玻璃基板，也未提及利用穿玻璃通孔形成电感器。 | 目标专利明确限定了“穿玻通孔(TGV)电感器”。对比文件既未公开“穿基板通孔电感器”（见特征B分析），也未使用玻璃基板或形成TGV结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征G**: 其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。 <br> **公开性判断**: 未被公开 | 无相关内容。 | 对比文件公开的电路是放大器，并非共用器，也未描述任何由电感器和变抗器构成的LP滤波器结构。目标专利中的LP滤波器是可调谐共用器的组成部分。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征H**: 其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。 <br> **公开性判断**: 未被公开 | 无相关内容。 | 该特征进一步限定了可调谐共用器中LP滤波器的具体构成，涉及第二层级中的第二变抗器与第一层级中的多个第二电感器的耦合。对比文件未公开“共用器”、“变抗器”以及这种跨层级耦合形成特定滤波器的结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I**: 其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。 <br> **公开性判断**: 未被公开 | 无相关内容。 | 该特征限定了变抗器在可调谐共用器中的功能，即调节陷波频率。对比文件未公开任何变抗器，也未公开具有可调谐陷波频率的滤波器或共用器。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J**: 其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。 <br> **公开性判断**: 未被公开 | 无相关内容。 | 该特征限定了穿基板通孔电感器在可调谐共用器中的功能，即控制滤波器的截止频率。对比文件未公开“穿基板通孔电感器”（特征B），也未公开“可调谐共用器”及其滤波器的截止频率控制（特征D, G, I）。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K**: 其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。 <br> **公开性判断**: 隐含公开 | [0002] ...このように複数個のインダクタを同一チップ上に集積することはマイクロ波集積回路でしばしば必要とされる。 (译文：...这样，在同一芯片上集成多个电感器在微波集成电路中经常是必要的。)<br>[0009] ...スパイラル型インダクタ１４と積層型インダクタ１５を同一チップ上に集積することができる。 (译文：...可以在同一芯片上集成螺旋型电感器14和层叠型电感器15。) | 对比文件明确记载了将电感器等元件集成在“同一芯片（同一チップ）”上，这对应于“半导体管芯（semiconductor die）”的概念。虽然目标专利的“三维集成电路”具有特定的堆叠层级结构，但“集成到半导体管芯中”是一个相对宽泛的上位概念，涵盖了将电路集成在单个芯片管芯上的技术。本领域技术人员可以从对比文件公开的“在同一芯片上集成”毫无疑义地得出“集成电路集成到半导体管芯中”这一技术方案。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征L**: 其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。 <br> **公开性判断**: 隐含公开 | [0001]【産業上の利用分野】本発明は複数個のインダクタを使用するマイクロ波用の集積回路に関する。(译文：[产业应用领域] 本发明涉及使用多个电感器的微波用集成电路。)<br>[0002] ...図１に示したような回路はマイクロ波増幅器の回路の一例である... (译文：...图1所示的电路是微波放大器电路的一个例子...) | 对比文件明确指出其发明涉及“微波用集成电路”，并示例了“微波放大器”电路。微波集成电路是通信设备、无线电、移动电话等无线通信设备中的关键部件。本领域技术人员可以合理推断，此类微波集成电路可以被集成到需要使用微波放大功能的设备中，例如通信设备、移动电话、无线电等。虽然对比文件没有明确列出目标专利权利要求中那么长的设备列表，但“通信设备”这一上位概念已被覆盖。根据宽松的隐含公开判断标准，可以认为对比文件隐含公开了将该集成电路集成到“通信设备”中的技术方案，而“通信设备”是目标专利所列设备列表中的一个具体下位概念。因此，该技术特征被隐含公开。 |
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