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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
包括：基础层
B
和设置在所述基础层上的复数个间隔物
C
其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物
D
其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分，‑1
E
其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm 或更小的轨迹
F
其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物
G
其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且中相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20％或更小
H
其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小
I
其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示
J
其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上
K
其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且中所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1
权利要求 2
L
其中所述轨迹包括曲率为0mm 的轨迹
权利要求 3
M
其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内
权利要求 4
N
其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分
权利要求 6
O
其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且中形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形
权利要求 7
P
其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm 或更小
权利要求 8
Q
其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm 的轨迹
权利要求 9
R
其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内
权利要求 10
S
其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内
权利要求 11
T
当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时
U
条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时
V
在所述闭合图形中不存在其他间隔物
W
所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同