对比文件名称：1981-01-14_EP0022311A_发明公开_EP0022311A1 Multilayer liquid crystal device
目标专利名称：基板CN110770646B
模型名称：当前模型
以下是根据您的要求，对对比文件是否公开目标专利权利要求的各技术特征进行的特征比对表格和详细论述。
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译及段落标号） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基础层。 <br><br>《直接公开》 | 【0002段】：...a mixture of a dichroic dye and a liquid crystal material placed between two parallel transparent substrates a and b such as glass plates... <br>【翻译】...二色性染料和液晶材料的混合物置于两个平行的透明基板a和b之间，例如玻璃板... <br><br>【0011段】：Cell 1 is constructed with two parallel transparent glass substrates la and lb... <br>【翻译】单元1由两个平行的透明玻璃基板la和lb构成... | 对比文件明确公开了液晶显示装置中使用的“基板”，例如“glass plates”（玻璃板）和“transparent glass substrates”（透明玻璃基板）。这些基板作为支撑层，起到了承载其他元件（如电极、液晶材料）的基础作用。这与目标专利中“基础层”的定义和作用完全一致。本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“基础层”。 |
| **技术特征B**：和设置在所述基础层上的复数个间隔物。 <br><br>《直接公开》 | 【0002段】：...and sealed with spacers e and f which are placed at the peripheral portions of these substrates. <br>【翻译】...并通过放置在所述基板周边部分的间隔物e和f进行密封。 <br><br>【0011段】：...spacers Ie and lf provided on the peripheral of the substrates... <br>【翻译】...设置在基板周边上的间隔物Ie和lf... <br><br>【0012段】：...spacers 2e and 2f... <br>【翻译】...间隔物2e和2f... | 对比文件多次明确公开了“spacers”（间隔物），例如spacers e, f, Ie, lf, 2e, 2f。这些间隔物设置在基板（基础层）上（如“placed at the peripheral portions of these substrates”或“provided on the peripheral of the substrates”）。尽管对比文件中的间隔物主要用于维持基板之间的间隔并密封，但其作为“设置在基础层上的间隔物”这一基本结构特征与目标专利一致。本领域技术人员可以毫无疑义地确定对比文件公开了该特征。 |
| **技术特征C**：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物。 <br><br>《未公开》 | 对比文件仅在【0002段】、【0011段】、【0012段】等处提及“spacers”（间隔物），但全文未对间隔物的具体形状进行任何描述，例如未提及“半球形”、“半球形部分”、“顶部”或“半球形间隔物”等相关内容。 | 目标专利明确限定间隔物为“在顶部具有半球形部分的半球形间隔物”。对比文件中的间隔物是用于维持两块基板之间间隙的常规结构（例如球形、柱状），但其说明书和权利要求书均未公开或暗示间隔物具有半球形部分这一特定形状。本领域技术人员从对比文件中无法毫无疑义地得出该特征，也无法进行合理推断。 |
| **技术特征D**：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分。 <br><br>《未公开》 | 对比文件全文未对间隔物的形状进行描述。 | 该特征是对“半球形部分”的进一步限定，定义其包含“弯曲形状”。由于对比文件未公开技术特征C（半球形间隔物），因此自然也未能公开其组成部分的弯曲形状特征。 |
| **技术特征E**：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm<sup>-1</sup>或更小的轨迹。 <br><br>《未公开》 | 对比文件全文未对间隔物的截面轨迹、曲率或任何几何参数进行描述。 | 目标专利限定了半球形部分弯曲形状的截面轨迹的最大曲率范围。对比文件完全未提及间隔物的截面形状或曲率概念，本领域技术人员无法从中得出或合理推断出该数值范围。 |
| **技术特征F**：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物。 <br><br>《未公开》 | 对比文件全文未对间隔物的内部结构或复合形状（如“柱状部分”）进行描述。 | 目标专利的间隔物是复合结构，包含顶部的半球形部分和下方的柱状部分。对比文件中的间隔物仅是简单的间隔构件，未公开其包含柱状部分且柱状部分高度高于半球形部分的结构。 |
| **技术特征G**：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20％或更小。 <br><br>《未公开》 | 对比文件全文未对间隔物的具体尺寸（如高度）或间隔物相对于基板面积的面积比率进行描述或限定。 | 目标专利限定了间隔物半球形部分的具体高度范围以及间隔物在基板上的面积占比。对比文件作为早期专利，未涉及此类具体的尺寸和密度参数优化。本领域技术人员无法从中得出或合理推断出这些精确的数值范围。 |
| **技术特征H**：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小。 <br><br>《未公开》 | 对比文件全文未对间隔物的排列方式、分布密度、间距的统计规律（如标准偏差、标准间距）进行任何描述。 | 目标专利提出了复杂的统计方法来定义间隔物分布的均匀性（标准间距P、标准偏差）。对比文件仅将间隔物置于基板周边，未探讨其在面内的分布均匀性，更未涉及此类统计学概念。 |
| **技术特征I**：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示。 <br><br>《未公开》 | 对比文件全文未对间隔物间距的分布规律（如正态分布图）进行任何描述。 | 目标专利限定了间隔物间距的分布需由“间隔正态分布图”表示。对比文件关于间隔物的描述仅为功能性存在，未涉及任何关于间距分布的统计学图表或分析。 |
| **技术特征J**：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上。 <br><br>《未公开》 | 对比文件全文未涉及任何形式的“分布图”。 | 该特征是对技术特征I中“间隔正态分布图”的坐标轴定义。由于对比文件未公开间隔物间距的分布图（技术特征I），因此也无法公开该分布图的具体定义。 |
| **技术特征K**：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1。 <br><br>《未公开》 | 对比文件全文未涉及任何形式的“分布图”及其参数。 | 该特征进一步限定了间隔正态分布图的参数（半高宽、最大高度）。由于对比文件未公开间隔物的间距分布图（技术特征I），因此也无法公开其相关的统计参数。 |
| **技术特征L**：其中所述轨迹包括曲率为0mm<sup>-1</sup>的轨迹。 <br><br>《未公开》 | 对比文件全文未对间隔物的截面轨迹形状进行描述。 | 目标专利的半球形部分截面轨迹可以包含直线段（曲率为0）。对比文件未公开间隔物的任何形状细节，因此无法公开此特定形状特征。 |
| **技术特征M**：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内。 <br><br>《未公开》 | 对比文件全文未对间隔物的宽度进行任何描述或数值限定。 | 目标专利限定了间隔物半球形部分的宽度范围。对比文件未涉及任何间隔物的尺寸参数，本领域技术人员无法得出或合理推断出此数值范围。 |
| **技术特征N**：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分。 <br><br>《未公开》 | 对比文件全文未对间隔物的底部形状或“渐缩部分”进行描述。 | 目标专利规定了间隔物底部形成特定形状的“渐缩部分”。对比文件作为早期专利，其间隔物形状简单（如球状或简单柱状），未公开任何关于渐缩部分或底部特殊曲率形状的特征。 |
| **技术特征O**：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形。 <br><br>《隐含公开》 | 【0011段】：The inner surfaces of the glass substrates la and lb and the transparent electrodes... have been subjected to a known treatment such as rubbing, oblique deposition of silicon oxide or the like for effecting homogeneous orientation of the liquid crystal... <br>【翻译】玻璃基板la和lb以及透明电极的内表面...已经经过了如摩擦、倾斜沉积氧化硅等已知处理，以实现液晶的均匀取向... <br><br>【0012段】：...spacers 2e and 2f, and a mixture of... filling the space surrounded by the substrates and spacers. <br>【翻译】...间隔物2e和2f，以及...混合物填充由基板和间隔物包围的空间。 | 对比文件明确公开了在基板上进行取向处理（如摩擦、倾斜蒸镀）以形成配向膜，但并未明确提及该处理覆盖“间隔物”表面。然而，隐含公开判断标准非常宽松。对比文件的液晶层完全填充了由基板和间隔物包围的空间，这意味着液晶与间隔物的侧面和顶部是直接接触的。为了让液晶在整个显示区域内（包括间隔物附近）实现均匀取向，本领域技术人员可以合理推断出，与液晶接触的间隔物表面也必然需要进行取向处理，否则会在间隔物区域产生取向紊乱。因此，对比文件隐含公开了“配向膜”形成在“基础层和间隔物上”。至于配向膜顶部为半球形，由于间隔物本身可以是球状，配向膜形成于其上时，其顶部自然会呈现出与间隔物一致的半球形，因此该部分也作为隐含公开的推论依据。 |
| **技术特征P**：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm<sup>-1</sup>或更小。 <br><br>《未公开》 | 对比文件全文未对配向膜的截面轨迹或曲率进行描述或数值限定。 | 该特征限定了配向膜顶部半球形的曲率上限。对比文件仅隐含公开了配向膜覆盖间隔物，但未对其具体形状（尤其曲率）进行任何限定或优化。本领域技术人员无法从对比文件中得出或合理推断出该具体的曲率数值范围。 |
| **技术特征Q**：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm<sup>-1</sup>的轨迹。 <br><br>《未公开》 | 对比文件全文未对配向膜的截面轨迹形状进行描述。 | 目标专利的配向膜顶部截面轨迹可以包含直线段（曲率为0）。对比文件未公开配向膜顶部的任何形状细节，因此无法公开此特定形状特征。 |
| **技术特征R**：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内。 <br><br>《未公开》 | 对比文件全文未对配向膜的厚度或高度进行描述或数值限定。 | 目标专利限定了配向膜的高度范围。对比文件虽隐含公开了配向膜的存在，但未涉及任何关于其厚度或高度的具体数值范围。 |
| **技术特征S**：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内。 <br><br>《未公开》 | 对比文件全文未对配向膜的宽度进行描述或数值限定。 | 目标专利限定了配向膜的宽度范围。对比文件虽隐含公开了配向膜的存在，但未涉及任何关于其宽度的具体数值范围。 |
| **技术特征T**：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时。 <br><br>《未公开》 | 对比文件全文未对间隔物之间的位置关系或如何连接间隔物形成闭合图形进行任何描述。 | 该特征是定义间隔物排列规则（形成闭合图形）的前提步骤。对比文件未公开间隔物的排列分布方式，因此无法公开此前提步骤。 |
| **技术特征U**：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时。 <br><br>《未公开》 | 对比文件全文未对由间隔物连接形成的“闭合图形”进行任何描述。 | 目标专利要求通过选择间隔物来形成特定的几何闭合图形（三角形、四边形、六边形）。对比文件仅提及间隔物存在，未描述其排列能构成任何图形。 |
| **技术特征V**：在所述闭合图形中不存在其他间隔物。 <br><br>《未公开》 | 对比文件全文未对间隔物之间的相对位置或包含关系进行描述。 | 目标专利对闭合图形的状态进行了限定，即图形内部不能有其他间隔物。对比文件未描述任何与间隔物排列密度或位置关系相关的特征。 |
| **技术特征W**：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同。 <br><br>《未公开》 | 对比文件全文未对间隔物之间的间距（即图形的边长）是否相同或不同进行任何描述。 | 目标专利要求间隔物排列的“不规则性”，即构成的图形边长不完全相同。对比文件仅将间隔物设置在基板周边，其分布是规则且规律的（用于密封），完全不同于目标专利定义的“不规则排列”。本领域技术人员无法从对比文件中得出该特征。 |
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