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对比文件列表
1993-01-14_None_发明专利_JPH055758A Current detecting apparatus_+++A_C_H_J_e_n+++.docx
2026-07-03 01:11
2006-08-31_KR100618569B_发明授权_KR100618569B1 온도 보정 기능을 가진 전자식 전력 계측 장치 및 방법_+++c_j+++.docx
2026-07-03 01:11
2010-03-25_DE102009034448A_发明专利_DE102009034448A1 Detection of average current absorbed by a direct current electromotor, in a motor vehicle, uses the inductivity at a filter at the power supply connec_+++C_G_J_a_b_d_e_f_h_i_n+++.docx
2026-07-03 01:11
2012-10-11_WO2012137980A_发明申请_WO2012137980A1 SHUNT RESISTANCE TYPE CURRENT SENSOR_+++A_C_H_J_L+++.docx
2026-07-03 01:11
2012-11-12_JP2012220249A_发明专利_JP2012220249A Shunt resistance type current sensor_+++C_H_L_a_j+++.docx
2026-07-03 01:11
2014-01-16_US2014015515A_发明申请_US20140015515A1 Shunt Resistance Type Current Sensor_+++C_H_L_a_j+++.docx
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2014-02-12_EP2694985A_发明公开_EP2694985A1 SHUNT RESISTANCE TYPE CURRENT SENSOR_+++C_H_L_a_j+++.docx
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2014-04-21_JP2014070275A_发明专利_JP2014070275A Plasma treatment method, and plasma treatment apparatus_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_a_b_c_d_e_f_g_h_i_j_k_l_m_n_o+++.docx
2026-07-03 01:11
2014-08-01_KR1020140095285A_发明公开_KR1020140095285A 션트 저항의 온도계수를 이용한 가변부하의 전류 측정방법_+++A_C_H_J_g_i+++.docx
2026-07-03 01:11
2016-05-25_JP5926495B_发明专利_JP5926495B2 シャント抵抗式電流センサ_+++C_H_L_a_j+++.docx
2026-07-03 01:11
2018-02-15_JP2018025446A_发明专利_JP2018025446A 電流検出装置_+++A_C_H_L_i_j+++.docx
2026-07-03 01:11
2010-03-25_DE102009034448A_发明专利_DE102009034448A1 Detection of average current absorbed by a direct current electromotor, in a motor vehicle, uses the inductivity at a filter at the power supply connec_+++C_G_J_a_b_d_e_f_h_i_n+++.docx

对比文件的名称:2010-03-25_DE102009034448A_发明专利_DE102009034448A1 Detection of average current absorbed by a direct current electromotor, in a motor vehicle, uses the inductivity at a filter at the power supply connec

目标专利的名称:1619用于校正分流电阻器的电流值的系统和方法CN111542760B

本次调用的模型名称:deepseek-chat

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
**技术特征A**:《隐含公开》<br>所述系统包括,电流计算单元,该电流计算单元被配置成基于检测到的设置在电路中的分流电阻器的电压值和所述分流电阻器的第一电阻值来计算所述分流电阻器的电流值“微处理器MP基于检测到的电感器LS两端的电压(经放大器AMPL和滤波器F1、F2处理后)以及电感器的串联电阻R_series,通过公式 I_M = Vout/(R_series·G) 计算电流I_M。”(参见说明书公式(8)及对应描述)对比文件公开了基于电压和电阻值计算电流的单元,但该单元针对的是电感器而非分流电阻器。然而,其基本工作原理(I=V/R)完全相同,本领域技术人员可以合理推断出该电流计算单元同样适用于分流电阻器,因此技术特征A被隐含公开。
**技术特征B**:《隐含公开》<br>功率计算单元,该功率计算单元被配置成基于设置在所述电路中的所述分流电阻器的所述电流值和所述分流电阻器的所述第一电阻值来计算所述分流电阻器的功耗和发热值“对比文件公式(4)中使用了P_diss = R_series · I_M²,即功耗;并描述‘其绝对温度作为耗散功率的函数计算’。”(参见公式(4)及对应说明)对比文件公开了基于电流和电阻计算功耗(P=I²R),但未明确计算发热值(对功耗积分)。本领域技术人员可以合理认识到发热值可通过积分功耗获得(公知常识),且对比文件已公开功耗计算的核心部分,因此技术特征B被隐含公开。
**技术特征C**:《直接公开》<br>温度测量单元,该温度测量单元被配置成测量所述分流电阻器的环境温度值“为了提供温度补偿,微处理器MP连接到一个温度传感器,例如负温度系数电阻NTC。该传感器安装在同一电路板上,确定环境温度。”(参见说明书第4段)对比文件直接公开了温度测量单元(NTC传感器)用于测量环境温度,该环境温度同样可以是分流电阻器的环境温度,因此技术特征C被直接公开。
**技术特征D**:《隐含公开》<br>最终温度值计算单元,该最终温度值计算单元被配置成根据基于所计算的发热值和所述分流电阻器的热阻系数计算的所述分流电阻器的发热温度值以及所述分流电阻器的环境温度值来计算所述分流电阻器的第二最终温度值和与电流流动之前的第一最终温度值相比的所述第二最终温度值的变化量“公式(4):R_series = R_amb[1 + α(T_NTC - T_amb + R_th·P_diss)],其中R_th·P_diss为自热温升,T_NTC为环境温度,T_amb为基准温度。”(参见公式(4)及说明)对比文件使用功耗P_diss与热阻R_th的乘积(相当于发热温度值)结合环境温度来计算温度变化量,且隐含了当前温度(T_NTC + R_th·P_diss)相对基准温度(T_amb)的变化。虽然未使用“发热值”一词,但原理实质相同,本领域技术人员可以合理推断出该计算过程与目标专利的最终温度值计算等效,因此技术特征D被隐含公开。
**技术特征E**:《隐含公开》<br>计算所述分流电阻器的最终温度值变化量同上,公式(4)中的(T_NTC - T_amb + R_th·P_diss)即为温度变化量。对比文件明确计算了温度变化量ΔT,特征E与D中的变化量计算对应,因此被隐含公开。
**技术特征F**:《隐含公开》<br>电阻计算单元,该电阻计算单元被配置成基于所计算的所述分流电阻器的最终温度值变化量以及所述分流电阻器根据温度变化而变化的温度系数值来计算所述分流电阻器的第二电阻值“公式(4)基于ΔT和温度系数α计算R_series = R_amb(1 + αΔT)。”(参见公式(4))对比文件公开了根据温度变化量和温度系数计算第二电阻值的单元(微处理器执行),其数学关系与目标专利一致,因此被隐含公开。
**技术特征G**:《直接公开》<br>其中,所述电阻计算单元将通过下面的式4计算的值确定为所述分流电阻器的所述第二电阻值,[式4] R=Ri+(T*b),这里,R是所述分流电阻器的所述第二电阻值,Ri是所述分流电阻器的所述第一电阻值,T是所述分流电阻器的所述最终温度值变化量,并且b是所述分流电阻器的温度系数。“公式(4)展开为R_series = R_amb + R_amb·α·ΔT,其中ΔT即温度变化量,α为温度系数。”(参见公式(4))对比文件公开的公式R_series = R_amb + R_amb·α·ΔT与目标专利式4 R=Ri+T*b在数学形式上完全相同(Ri=R_amb, T=ΔT, b=R_amb·α),因此技术特征G被直接公开。
**技术特征H**:《隐含公开》<br>该系统还包括,电压测量单元,该电压测量单元被配置成当设置在所述电路上的所述分流电阻器的电压下降时检测所述分流电阻器的电压值“电感器LS两端的电压VL通过商用电流检测放大器AMPL确定。”(参见图1描述及说明书对应部分)对比文件公开了电压测量单元(放大器)检测电感器两端的电压降,该单元同样可应用于检测分流电阻器的电压降,本领域技术人员可合理推断,因此技术特征H被隐含公开。
**技术特征I**:《隐含公开》<br>其中,所述电流计算单元将所述第一电阻值改变为从所述电阻计算单元提供的所述第二电阻值。“公式(9)为递归方程:I_M = Vout / { R_amb[1 + α(T_NTC - T_amb + R_th·R_series·I_M² )] · G },微处理器MP通过迭代计算I_M,每次迭代使用更新后的R_series。”(参见公式(9)及说明)对比文件在迭代过程中隐式地更新了电阻值(由电阻计算单元提供),电流计算单元据此使用新电阻值计算电流,因此技术特征I被隐含公开。
**技术特征J**:《直接公开》<br>其中,所述电流计算单元将通过下面的式1计算的值确定为所述电流值,[式1] I=V/R,这里,I是所述分流电阻器的电流值,V是所述分流电阻器的电压值,R是所述分流电阻器的所述第一电阻值。“公式(8):I_M = Vout / (R_series·G)。”(参见公式(8))对比文件公开的电流计算公式I_M = Vout/(R_series·G)实质等同于I=V/R(Vout对应经过增益后的电压,G为已知常数),因此技术特征J被直接公开。
**技术特征K**:《未公开》<br>其中,所述功率计算单元将通过下面的式2计算的值确定为所述分流电阻器的发热值,[式2] E=∫I²R dt对比文件未见对功耗积分以计算发热值的描述。对比文件仅使用了功耗P=I²R,未涉及时间积分计算发热值,因此技术特征K未被公开。
**技术特征L**:《未公开》<br>其中,所述温度测量单元与所述分流电阻器相邻地设置。对比文件仅记载NTC传感器安装在同一电路板上,未明确提及与检测元件(电感器)的相邻关系。对比文件未公开温度测量单元与分流电阻器相邻设置的具体特征,因此未公开。
**技术特征M**:《未公开》<br>其中,所述最终温度值计算单元将通过下面的式3计算的值确定为所述分流电阻器的所述第二最终温度值和所述最终温度值变化量对比文件未使用式3 (T = E·a + Ta - Ti) 的形式。对比文件中温度计算基于R_th·P_diss和T_NTC,与式3中发热值E、热阻系数a、环境温度Ta、第一最终温度Ti的表达式不完全一致,因此技术特征M未被公开。
**技术特征N**:《隐含公开》<br>计算所述分流电阻器的所述第二最终温度值和所述最终温度值变化量对比文件公式(4)中的ΔT = T_NTC - T_amb + R_th·P_diss即为温度变化量;且可推导出第二最终温度值为T_NTC + R_th·P_diss。对比文件至少公开了温度变化量的计算,并隐含了当前温度(第二最终温度值)的概念,因此技术特征N被隐含公开。
**技术特征O**:《未公开》<br>然后将所述第一最终温度值改变为所述第二最终温度值,[式3] T=(E*a)+Ta‑Ti对比文件未公开显式地将第一最终温度值更新为第二最终温度值的步骤。对比文件在迭代中直接更新电阻值,未明确记录或改变温度值,因此技术特征O未被公开。

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权利要求与技术特征

A 所述系统包括,电流计算单元,该电流计算单元被配置成基于检测到的设置在电路中的分流电阻器的电压值和所述分流电阻器的第一电阻值来计算所述分流电阻器的电流值
B 功率计算单元,该功率计算单元被配置成基于设置在所述电路中的所述分流电阻器的所述电流值和所述分流电阻器的所述第一电阻值来计算所述分流电阻器的功耗和发热值
C 温度测量单元,该温度测量单元被配置成测量所述分流电阻器的环境温度值
D 最终温度值计算单元,该最终温度值计算单元被配置成根据基于所计算的发热值和所述分流电阻器的热阻系数计算的所述分流电阻器的发热温度值以及所述分流电阻器的环境温度值来计算所述分流电阻器的第二最终温度值和与电流流动之前的第一最终温度值相比的所述第二最终温度值的变化量
E 计算所述分流电阻器的最终温度值变化量
F 电阻计算单元,该电阻计算单元被配置成基于所计算的所述分流电阻器的最终温度值变化量以及所述分流电阻器根据温度变化而变化的温度系数值来计算所述分流电阻器的第二电阻值
G 其中,所述电阻计算单元将通过下面的式4计算的值确定为所述分流电阻器的所述第二电阻值,[式4] R=Ri+(T*b),这里,R是所述分流电阻器的所述第二电阻值,Ri是所述分流电阻器的所述第一电阻值,T是所述分流电阻器的所述最终温度值变化量,并且b是所述分流电阻器的温度系数。
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