对比文件名称：2007-03-15_JP2007067236A_发明专利_JP2007067236A Integrated-type electronic part and manufacturing method for integrated-type electronic part
目标专利名称：280用于晶片翘曲减小的应力缓解结构CN106165094B
本次调用的模型名称：未指定
作为资深专利代理师，我已对目标专利权利要求的技术特征与对比文件（JP2007067236A）的公开内容进行了详细比对。以下是根据目标专利权利要求严格划分技术特征后制作的比对表格，并对每个技术特征的公开性进行了判断和论述。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (翻译成中文) | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：支撑第一沉积层间电介质的基板<br>**《隐含公开》** | [2] “基板Ｓは、半導体基板、絶縁膜が表面に形成された半導体基板、石英基板、ガラス基板、圧電基板、セラミック基板、ＳＯＩ基板、ＳＯＱ基板、またはＳＯＧ基板である。”<br>（基板Ｓ是半导体基板、表面形成有绝缘膜的半导体基板、石英基板、玻璃基板、压电基板、陶瓷基板、SOI基板、SOQ基板、或SOG基板。） | 对比文件明确公开了“基板S”，其作用是支撑整个集成电子部件，包括其上形成的无源器件（如电感器、电容器）和布线。目标专利中基板的作用同样是支撑第一沉积层间电介质和导电栈。虽然对比文件未明确提及“第一沉积层间电介质”这一具体名称，但本领域技术人员基于对半导体/集成电路制造常识的理解，可以毫无疑义地推断出，在基板上构建多层导电结构（如螺旋线圈、电容器电极、立体布线）时，必然需要沉积层间电介质（ILD）层以实现绝缘、隔离和结构支撑。例如，对比文件图3-5及说明书[2]描述了包含多个导电层的立体结构，这隐含了存在层间电介质层以实现这些层的隔离和支撑。因此，对比文件隐含公开了“支撑第一沉积层间电介质的基板”这一技术特征。 |
| **技术特征B**：包括后端制程（BEOL）导电层的第一导电栈，所述第一导电栈处于相对于所述基板的第一标高处，<br>**《隐含公开》** | [2] “多段コイルインダクタ１０Ａ，１０Ｂは、各々、...、二段に配されたスパイラルコイル１１，１２と、これらを直列に接続する連絡部１３とからなる。”<br>（多段线圈电感器10A、10B分别由...、两段配置的螺旋线圈11、12以及将它们串联连接的连接部13构成。）<br>[2] “キャパシタ２０は、...、第１電極２１と、第２電極２２と、これらの間の誘電体層２３とからなる積層構造を有する。”<br>（电容器20具有...由第一电极21、第二电极22以及它们之间的电介质层23构成的层叠结构。） | 对比文件公开了在基板S上形成的具体导电结构，例如“多段线圈电感器10A”和“电容器20”。这些结构由导电层（如螺旋线圈11、12，电极21、22）构成，并且这些导电层是在基板上通过沉积、图案化等工艺形成的，属于后端制程（BEOL）的范畴。虽然对比文件未明确使用“BEOL导电层”和“标高”这两个术语，但本领域技术人员通过阅读附图（如图3、4、5）可以明确看出，这些导电结构（例如螺旋线圈11和12）在垂直于基板的方向上处于不同的高度位置，即具有相对于基板的不同“标高”。例如，螺旋线圈11的位置低于螺旋线圈12（见图3、4）。因此，包含这些导电层的结构（如电感器10A）可以视为一个“导电栈”，且其相对于基板具有特定的高度（第一标高）。该特征在对比文件中被隐含公开。 |
| **技术特征C**：其中第一导电栈包括第一导电层直接在所述基板的表面上、第一沉积层间电介质仅在第一导电层的表面上、第二沉积电介质层在第一导电层上、第二导电层在第二沉积电介质层上、以及第三导电层直接在第一沉积层间电介质上并且通过第一通孔耦合到第一导电层<br>**《未直接公开，亦未隐含公开》** | [2] “キャパシタ２０は、...、第１電極２１と、第２電極２２と、これらの間の誘電体層２３とからなる積層構造を有する。 第１電極２１は、基板Ｓ上に設けられ、第２電極２２は、基板Ｓから離隔して基板Ｓに沿って設けられている。”<br>（电容器20具有由第一电极21、第二电极22以及它们之间的电介质层23构成的层叠结构。第一电极21设置在基板S上，第二电极22与基板S隔开并沿着基板S设置。）<br>[2] 制造方法部分（例如图10-15）描述了通过牺牲层（レジストパターン）和电镀形成多层导体的工艺。 | 目标专利的此特征描述了一个非常具体且具有特定连接关系的多层堆叠结构，旨在形成MIM电容器和垂直互连。对比文件公开了电容器20的结构：第一电极21在基板上，介电层23在其上，第二电极22在介电层上。这类似于“第一导电层、第二沉积电介质层、第二导电层”的结构。然而，对比文件完全没有公开：1） “第一沉积层间电介质仅在第一导电层的表面上”；2）在上述电容器结构之外，还存在一个“第三导电层”直接在该第一沉积层间电介质上；3）该第三导电层通过“第一通孔”耦合到第一导电层（即第一电极21）。对比文件的电容器电极是独立结构，其第一电极21并未被描述为通过通孔连接到另一个上方的、位于不同层间电介质上的导电层以形成一个更复杂的“导电栈”。对比文件的立体布线30（第1-3配线部31-33）虽然涉及不同高度的互连，但其具体层间结构与连接关系与此特征描述不符。因此，本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或通过合理推理得到该特定结构的全部技术特征。 |
| **技术特征D**：以及包括BEOL导电层的第二导电栈，第二导电栈处于相对于所述基板的不同于第一标高的第二标高处，其中第二导电栈包括直接在所述基板的表面上的第三导电层。<br>**《隐含公开》** | [2] “多段コイルインダクタ１０Ａ，１０Ｂの各々において、スパイラルコイル１１，１２は、...。 また、本実施形態では、スパイラルコイル１１は、スパイラルコイル１２より基板Ｓに近く、基板Ｓから離隔している。”<br>（在多段线圈电感器10A、10B的每一个中，螺旋线圈11、12...。另外，在本实施方式中，螺旋线圈11比螺旋线圈12更靠近基板S，且与基板S隔开。）<br>[2] “第１電極２１は、基板Ｓ上に設けられ...”<br>（第一电极21设置在基板S上...） | 对比文件公开了多个独立的导电结构，它们位于基板上的不同位置且具有不同的高度。例如，“电容器20的第一电极21”是直接设置在基板S表面的导电层。同时，“多段线圈电感器10A的螺旋线圈11”也是设置在基板S上（或附近）的导电结构。这两个结构（电容器20和电感器10A）可以被视为不同的“导电栈”。螺旋线圈11（作为电感器的一部分）相对于基板的高度（标高）与第一电极21（作为电容器的一部分）相对于基板的高度（标高）显然是不同的，因为它们结构不同，可能通过不同的工艺步骤形成。因此，对比文件隐含公开了：存在第二导电栈（例如以第一电极21为核心的电容器结构），其包括直接位于基板表面的导电层（第一电极21），并且该第二导电栈的标高（由第一电极21定义）不同于第一导电栈（例如以螺旋线圈11和12为核心的电感器结构）的标高。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述基板的表面被暴露在第一导电栈与第二导电栈之间。<br>**《未直接公开，亦未隐含公开》** | 对比文件全文未提及为了缓解应力而有意暴露基板表面。附图（如图3、4、5）显示器件区域被各种结构覆盖，未明确展示导电结构之间有故意留下的、未被任何层（如ILD、导体）覆盖的裸露基板区域。 | 此特征是目标专利应力缓解设计的核心之一，通过在第一与第二导电栈之间暴露基板表面，减少层间电介质材料的使用和累积应力，从而减小晶片翘曲。对比文件所公开的集成电子部件，其设计目标是提高电感器的Q值和实现良好的高频特性，其技术手段包括使用立体布线、控制线圈间距以减少寄生电容等。在整个说明书及附图中，没有任何文字或图示表明在两个功能器件（如电感器和电容器）之间的区域有意地不沉积层间电介质或钝化层，以使基板表面“暴露”。相反，制造工艺描述（图10-15等）暗示通过连续的沉积和图案化步骤构建结构，基板表面在器件区域通常被覆盖。本领域技术人员从对比文件无法推理出这种为特定应力缓解目的而设计的基板表面暴露特征。 |
| **技术特征F**：其特征在于，包括用第一导电层和第三导电层形成的电感器。<br>**《直接公开》** | [2] “多段コイルインダクタ１０Ａ，１０Ｂは、各々、...、二段に配されたスパイラルコイル１１，１２と、これらを直列に接続する連絡部１３とからなる。”<br>（多段线圈电感器10A、10B分别由...、两段配置的螺旋线圈11、12以及将它们串联连接的连接部13构成。）<br>[2] “集積型電子部品Ｘは、基板Ｓと、多段コイルインダクタ１０Ａ，１０Ｂと、...を備え”<br>（集成型电子部件X具备基板S、多段线圈电感器10A、10B、...） | 对比文件明确且直接地公开了其集成电子部件包含“多段线圈电感器10A， 10B”。该电感器由导电层（螺旋线圈11和12）形成。虽然目标专利中限定为“用第一导电层和第三导电层形成”，但这只是对其电感器具体构成层的命名。对比文件公开的电感器同样由多层导电层（螺旋线圈11和12，可对应为第一和第三导电层）构成。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件中得出“包括用电感器”这一技术特征。 |
| **技术特征G**：其特征在于，第一导电栈包括用第一导电层、第一导电层与第二导电层之间的第二沉积电介质层、以及第二导电层形成的金属-绝缘体-金属电容器。<br>**《直接公开》** | [2] “キャパシタ２０は、...、第１電極２１と、第２電極２２と、これらの間の誘電体層２３とからなる積層構造を有する。”<br>（电容器20具有由第一电极21、第二电极22以及它们之间的电介质层23构成的层叠结构。） | 对比文件直接公开了电容器20，其结构为：第一电极21（相当于第一导电层）、第二电极22（相当于第二导电层）、以及位于它们之间的电介质层23（相当于第二沉积电介质层）。这正是一个标准的金属-绝缘体-金属（MIM）电容器结构。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，所述集成器件被纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理（PDA）、位置固定的数据单元、以及计算机中的至少一者中。<br>**《直接公开》** | [2] “携帯端末などの具備するＲＦ（radio frequency）システムないしＲＦ回路においては、一般に、高性能化、小型化、軽量化等を図るべく、高周波モジュール用デバイスとしてＩＰＤ（integrated passive device）が採用される。”<br>（在移动终端等所具备的RF系统或RF电路中，通常为了实现高性能化、小型化、轻量化等，采用IPD作为高频模块用器件。） | 对比文件明确说明了其集成型电子部件（IPD）用于“移动终端”的RF系统或电路中。“移动终端”是“通信设备”的一种典型示例，属于目标专利所列设备（通信设备）的下位概念。因此，对比文件直接公开了该集成器件被纳入到所列举的至少一种设备（通信设备）中。 |
### 结论与代码输出
根据上述比对分析：
- 技术特征A被**隐含公开**。
- 技术特征B被**隐含公开**。
- 技术特征C**未被公开**。
- 技术特征D被**隐含公开**。
- 技术特征E**未被公开**。
- 技术特征F被**直接公开**。
- 技术特征G被**直接公开**。
- 技术特征H被**直接公开**。
根据输出格式要求，在回答结尾插入对应的代码：
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