对比文件名称：2012-10-24_CN1988083B_发明授权_CN1988083B 薄膜电容器及其制造方法、电子器件和电路板
目标专利名称：用于晶片翘曲减小的应力缓解结构CN106165094B
模型名称：DeepSeek-R1
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **特征A**：包括：支撑第一沉积层间电介质的基板<br>**《直接公开》** | 【0105】“首先，制备形成有绝缘膜12的基础衬底10。基础衬底10例如为半导体衬底。更具体地，基础衬底10例如为硅衬底，以及形成例如氧化硅膜作为绝缘膜12。” | 对比文件公开了基础衬底（如硅衬底）和形成于其上的绝缘膜12（例如氧化硅膜）。在目标专利中，基板（如玻璃）用于支撑第一沉积层间电介质（如ILD-1）。本领域技术人员可以毫无疑义地确定，对比文件中的“基础衬底10”与目标专利的“基板”属于相同的用于支撑的基础结构概念；其上的“绝缘膜12”作为电介质层，同样起到支撑上方导电层和/或电气隔离的作用。因此，特征A被对比文件直接公开。 |
| **特征B**：包括后端制程（BEOL）导电层的第一导电栈，所述第一导电栈处于相对于所述基板的第一标高处，<br>**《隐含公开》** | 【0098】“在粘合层上，形成100nm厚的铂(Pt)层的电容器电极(下电极)。在电容器电极14中形成向下至绝缘膜12的开口15。<br>…<br>在电容器介电膜16上，由100nm厚的Pt膜形成电容器电极(上电极)18。”<br>【0108】“由此，形成均包含电容器电极14、电容器介电膜16和电容器电极18的电容器元件20。” | 对比文件公开了在基础衬底10上形成的电容器元件20，该元件包含多个导电层（电容器电极14、18）。这些导电层是在基础衬底上通过沉积、图案化等半导体工艺形成的互连结构。本领域技术人员可以理解，在集成电路制造中，此类在衬底上形成的、用于器件互连的导电层通常属于后端制程（BEOL）的范畴。虽然对比文件未明确使用“BEOL导电层”和“导电栈”的术语，但公开了在基板（基础衬底）上由导电层（电极14、18）和介电层（膜16）堆叠形成的结构，该结构相对于基板具有一个确定的高度（标高）。因此，本领域技术人员有可能合理推断出对比文件隐含公开了“包括BEOL导电层的第一导电栈，处于相对于基板的第一标高处”这一技术特征。 |
| **特征C**：其中第一导电栈包括第一导电层直接在所述基板的表面上、第一沉积层间电介质仅在第一导电层的表面上、第二沉积电介质层在第一导电层上、第二导电层在第二沉积电介质层上、以及第三导电层直接在第一沉积层间电介质上并且通过第一通孔耦合到第一导电层<br>**《未公开》** | 对比文件未公开与上述具体层叠关系和连接结构相同或等同的技术方案。 | 对比文件公开的电容器元件20包含：电容器电极14（可对应第一导电层）在绝缘膜12（可对应某种层间电介质）上；电容器介电膜16（可对应第二沉积电介质层）在电极14上；电容器电极18（可对应第二导电层）在介电膜16上。然而，目标专利的特征C限定了非常具体的层叠顺序和连接关系：1) 第一沉积层间电介质“仅在第一导电层的表面上”；对比文件的绝缘膜12形成在整个基础衬底10上，并非“仅在”电极14的表面上。2) 存在“第三导电层直接在第一沉积层间电介质上并且通过第一通孔耦合到第一导电层”；对比文件的电容器元件20是两层电极夹一层介电质的MIM结构，没有公开第三导电层通过通孔耦合回第一导电层的多层互连栈结构。因此，对比文件既未直接公开，也无法通过合理推理得出特征C的技术方案。 |
| **特征D**：以及包括BEOL导电层的第二导电栈，第二导电栈处于相对于所述基板的不同于第一标高的第二标高处，其中第二导电栈包括直接在所述基板的表面上的第三导电层。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开与上述技术特征相同或等同的技术方案。 | 对比文件的整个发明都围绕单个电容器元件或其变体进行描述，所有导电层（14, 18, 40等）都是该电容器结构的一部分。对比文件没有公开在同一个基板上，除了特征B所涉结构（电容器元件）之外，还存在另一个独立的、具有不同标高的“第二导电栈”。更未公开该第二导电栈包含“直接在基板表面上的第三导电层”。目标专利中“直接在基板表面上”的导电层是为了减少层间电介质、缓解应力而特别设置的。对比文件没有涉及任何为缓解应力而改变层叠结构的设计目的或方案。因此，特征D未被对比文件公开。 |
| **特征E**：其特征在于，所述基板的表面被暴露在第一导电栈与第二导电栈之间。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开与上述技术特征相同或等同的技术方案。 | 如特征D所述，对比文件没有公开两个独立的导电栈。因此，自然不存在“在第一导电栈与第二导电栈之间”暴露基板表面的情况。对比文件中，绝缘膜12覆盖了整个基础衬底10的上表面，电容器元件20形成在绝缘膜12上，基板（基础衬底10）的表面并未在器件有源区内被暴露。该特征未被公开。 |
| **特征F**：其特征在于，包括用第一导电层和第三导电层形成的电感器。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开与上述技术特征相同或等同的技术方案。 | 对比文件全文描述的都是薄膜电容器及其制造方法，所有实施例中的导电层（14, 18, 40等）都是用于形成电容器电极。对比文件没有提及任何由导电层形成电感器的内容，也没有任何关于电感器结构或布局的暗示。因此，特征F未被对比文件公开。 |
| **特征G**：其特征在于，第一导电栈包括用第一导电层、第一导电层与第二导电层之间的第二沉积电介质层、以及第二导电层形成的金属-绝缘体-金属电容器。<br>**《直接公开》** | 【0098】“在粘合层上，形成100nm厚的铂(Pt)层的电容器电极(下电极)。...在电容器电极14上，电容器介电膜16形成在电容器电极14上。...在电容器介电膜16上，由100nm厚的Pt膜形成电容器电极(上电极)18。”<br>【0108】“由此，形成均包含电容器电极14、电容器介电膜16和电容器电极18的电容器元件20。” | 对比文件明确且反复公开了其核心器件——金属-绝缘体-金属（MIM）电容器。该电容器由下电极（第一导电层）、电容器介电膜（第二沉积电介质层）和上电极（第二导电层）构成。虽然对比文件未将此MIM电容器称为“第一导电栈的一部分”，但其结构本身完全对应于目标专利特征G所限定的“用第一导电层、第一导电层与第二导电层之间的第二沉积电介质层、以及第二导电层形成的金属-绝缘体-金属电容器”。本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件得出该MIM电容器的技术方案。因此，特征G被对比文件直接公开。 |
| **特征H**：其特征在于，所述集成器件被纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理（PDA）、位置固定的数据单元、以及计算机中的至少一者中。<br>**《直接公开》** | 【0329】“在安装有LSI 58的封装衬底55上设置框架64。...另一方面，上述依照第一到第三实施例其中之一的薄膜电容器2，安装在封装衬底55的下侧面上。”<br>（第五实施例）<br>【0338】“上述依照第四实施例的薄膜电容器4安装在封装衬底70上。薄膜电容器4用作内插件。...LSI(半导体器件)58安装在薄膜电容器4上。”（第六实施例）<br>【0350】“上述依照第一到第三实施例其中之一的薄膜电容器2被埋设在树脂层76中。”（第七实施例） | 对比文件在其实施例（第五、六、七实施例等）中详细描述了将所公开的薄膜电容器（2或4）作为去耦电容器或内插件，集成到包含电路板（封装衬底70）、半导体器件（LSI 58）的电子器件（或称为组合有电容器的封装）中。本领域技术人员公知，此类包含半导体器件和去耦电容器的电子器件模块或封装，正是为了应用于各种电子设备，如通信设备、计算机、导航设备等。对比文件【0002】也提及去耦电容器用于避免LSI误操作，这进一步明确了其应用场景。因此，可以毫无疑义地确定对比文件公开了该集成器件可被纳入到诸如通信设备、计算机等设备中，特征H被直接公开。 |
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