对比文件名称：2014-10-27_JP2014204128A_发明专利_JP2014204128A 太陽電池
目标专利名称：1655太阳能电池CN107845689B
本次调用的模型名称：GPT-4（本系统）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该太阳能电池包括：半导体基板。《直接公开》 | 对比文件[0006]段：“半導体基板と、前記半導体基板の一面側に全体的に形成される第１トンネル層と、…”。 | 对比文件明确公开了太阳能电池包括半导体基板（基板10），因此该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征B：在所述半导体基板的一个表面上的控制钝化膜，该控制钝化膜由介电材料形成。《直接公开》 | 对比文件[0006]段：“前記半導体基板の一面側に全体的に形成される第１トンネル層”。且第1隧道层由氧化物、氮化物等介电材料形成（参见[0006]段：“第１トンネル層４２は、…酸化物、窒化物、半導体、導電性高分子などを含むことができる”）。 | 对比文件公开了在半导体基板一个表面上的隧道层（相当于控制钝化膜），其由介电材料（如硅氧化物）形成，用于钝化和载流子隧道。因此直接公开。 |
| 技术特征C：在所述控制钝化膜上的半导体层，该半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域。不公开 | 对比文件[0006]段公开了在第1隧道层上的发射极区域（第一导电类型），以及在第2隧道层上的背面场区域（第二导电类型），但未公开在同一控制钝化膜上同时具有两种导电类型的半导体层。 | 对比文件没有公开在同一个控制钝化膜上的半导体层包括第一和第二导电区域。其发射极和背面场分别位于不同隧道层上，因此该技术特征未被直接或隐含公开。 |
| 技术特征D：其中，所述半导体基板还包括扩散区域，该扩散区域包括与所述控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域。《直接公开》 | 对比文件关于图11实施例的描述：“エミッタ領域２０の第２部分２０ｂは、半導体基板１０の前面側に隣接した半導体基板１０の内部に形成されるか、または半導体基板１０の前面上で半導体基板１０に隣接して形成されてもよい。”以及“後面電界領域３０の第２部分３０ｂ”。这些第2部分位于半导体基板内部并与隧道层相邻。 | 对比文件明确公开了在半导体基板内部与隧道层相邻的扩散区域（第2部分），包括对应发射极的第一扩散区域和对应背面场的第二扩散区域，因此直接公开。 |
| 技术特征E：其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与所述第一导电区域对应，并且具有低于所述第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度。不公开 | 对比文件[0011]段（图11实施例）提到“第２部分２０ｂのドーピング濃度よりも第１部分２０ａのドーピング濃度が高い”，但第2部分20b是整体形成，并非局部。 | 对比文件中的第2部分（扩散区域）是整体形成在基板前表面，而不是局部仅与第一导电区域对应。虽然掺杂浓度低于第一导电区域，但未公开局部形成，因此未被公开。 |
| 技术特征F：其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与所述第二导电区域对应，并且具有低于所述第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度。不公开 | 类似，第二扩散区域30b也是整体形成。 | 理由同E，未被公开。 |
| 技术特征G：其中，所述半导体基板包括具有所述第二导电类型的基极区域。《直接公开》 | 对比文件[0006]段：“第１導電型ドーパントを相対的に低いドーピング濃度で含むベース領域１１０”。 | 对比文件公开了基极区域（ベース領域），其具有第一导电类型（但目标专利中定义第二导电类型，仅导电类型名称不同，实质相同），因此直接公开。 |
| 技术特征H：其中，所述第二扩散区域比所述第一扩散区域厚；并且中，所述控制钝化膜包括局部地形成在所述第一导电区域和所述第一扩散区域之间的第一掺杂部分以及局部地形成在所述第二导电区域和所述第二扩散区域之间的第二掺杂部分。不公开 | 对比文件未比较第二扩散区域（30b）和第一扩散区域（20b）的厚度；也未明确隧道层包含掺杂部分。 | 对比文件没有公开厚度比较，也没有明确隧道层中存在掺杂部分，因此该技术特征未被公开。 |
| 技术特征I：其中，所述控制钝化膜是由非晶结构组成的非晶膜或者包括所述非晶结构和部分结晶部分的非晶膜。不公开 | 对比文件未描述隧道层的晶体结构。 | 对比文件没有提及隧道层是非晶还是结晶，因此该技术特征未被公开。 |
| 技术特征J：该太阳能电池还包括：在所述半导体基板或所述半导体层上的绝缘膜。《直接公开》 | 对比文件[0006]段等：“第１パッシベーション膜２１、第１反射防止膜２２、第２パッシベーション膜３１、第２反射防止膜３２”。 | 对比文件公开了在半导体基板或半导体层上的钝化膜和反射防止膜等绝缘膜，因此直接公开。 |
| 技术特征K：其中，所述控制钝化膜比所述绝缘膜薄；并且中，所述控制钝化膜包括掺杂浓度高于所述绝缘膜的掺杂浓度的部分。《隐含公开》 | 对比文件给出隧道层厚度5nm以下（[0006]段：“第１トンネル層４２の厚さは、５ｎｍ以下であってもよく、０．５ｎｍ〜５ｎｍ…”），绝缘膜通常更厚。隧道层在掺杂过程中可能含有掺杂剂，而绝缘膜通常不含。 | 虽然对比文件未直接比较厚度，但本领域技术人员从给出的厚度数值可以合理推断出隧道层比钝化膜等绝缘膜薄。关于掺杂浓度，隧道层在掺杂工艺中可能残留掺杂剂，而绝缘膜（如钝化膜）通常不含掺杂剂，因此可以合理推断隧道层的掺杂浓度高于绝缘膜。故该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征L：其中，所述第一掺杂部分或所述第二掺杂部分包括低掺杂部分以及掺杂浓度高于所述低掺杂部分的掺杂浓度的高掺杂部分。不公开 | 对比文件未描述隧道层内部分布不均匀。 | 对比文件没有公开隧道层内存在高掺杂部分和低掺杂部分，因此未被公开。 |
| 技术特征M：其中，当在厚度方向上观看所述第一导电区域或所述第二导电区域、所述控制钝化膜以及所述扩散区域时，掺杂浓度朝着所述半导体基板的内部连续地减小；并且中，所述扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值大于所述第一导电区域或所述第二导电区域中的掺杂浓度梯度的绝对值。不公开 | 对比文件未描述具体的掺杂浓度梯度。 | 对比文件没有公开掺杂浓度在厚度方向上的具体变化和梯度比较，因此未被公开。 |
| 技术特征N：其中，所述扩散区域比所述第一导电区域和所述第二导电区域中的每一个厚。不公开 | 对比文件明确第2部分（扩散区域）厚度小于第1部分（导电区域）（例如，第2部分20b厚度5-100nm，第1部分20a厚度50-500nm）。 | 对比文件公开的是相反关系，因此该技术特征未被公开。 |
| 技术特征O：其中，所述第一扩散区域和所述第二扩散区域彼此间隔开，并且所述基极区域被设置在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间。《直接公开》 | 对比文件关于图11实施例：第一扩散区域（20b）在基板前表面，第二扩散区域（30b）在基板后表面，它们之间隔着整个基板，基极区域位于两者之间。 | 对比文件中的第一和第二扩散区域分别位于半导体基板的不同侧，彼此间隔开，基极区域位于它们之间，因此直接公开。 |
| 技术特征P：其中，势垒区域被设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；并且中，所述控制钝化膜包括所述半导体基板与所述势垒区域之间的未掺杂部分。不公开 | 对比文件没有势垒区域。 | 对比文件未公开任何势垒区域，因此该技术特征未被公开。 |
| 技术特征Q：其中，当在厚度方向上观看所述第一扩散区域和所述第二扩散区域时，所述第二扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值。不公开 | 对比文件未提及。 | 对比文件没有公开浓度梯度比较，因此未被公开。 |
| 技术特征R：其中，所述半导体层具有多晶结构，该多晶结构具有纳米尺寸的晶粒。《隐含公开》 | 对比文件[0006]段：“第１導電型領域は、…多結晶、非晶質または微細結晶半導体を含む”。微细结晶半导体通常包括纳米尺寸晶粒。 | 对比文件公开了导电区域可以由多晶、非晶或微细结晶半导体形成，其中微细结晶暗示晶粒尺寸在纳米级，因此本领域技术人员可以合理推断出半导体层具有纳米尺寸晶粒的多晶结构，故隐含公开。 |
| 技术特征S：其中，在掺杂分布中，第一导电类型掺杂剂或第二导电类型掺杂剂的掺杂浓度从所述第一导电区域或所述第二导电区域经由所述控制钝化膜朝着所述第一扩散区域或所述第二扩散区域连续地减小。《隐含公开》 | 对比文件[0011]段描述掺杂剂从第1部分（导电区域）向第2部分（扩散区域）扩散，自然导致浓度递减。 | 虽然对比文件未明确描述浓度连续减小，但通过热扩散工艺，掺杂剂从高浓度区域（第1部分）向低浓度区域（第2部分）扩散，必然形成连续减小的浓度分布，因此本领域技术人员可以合理推断该特征，故隐含公开。 |
| 技术特征T：其中，所述掺杂分布包括第一掺杂分布以及不同于所述第一掺杂分布的第二掺杂分布，所述第一掺杂分布位于所述控制钝化膜或者所述第一导电区域或所述第二导电区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中，所述第二掺杂分布位于所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中；并且中，所述第二掺杂分布中的第二掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一掺杂分布中的第一掺杂浓度梯度的绝对值。不公开 | 对比文件未提及。 | 对比文件没有公开具体的分布特征，因此未被公开。 |
| 技术特征U：其中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域具有100nm至300nm的厚度；或中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的厚度与所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度相同或者小于所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度。《直接公开》 | 对比文件[0011]段：“第２部分２０ｂの厚さが５ｎｍ〜１００ｎｍであり、第１部分２０ａの厚さが５０ｎｍ〜５００ｎｍ”。 | 对比文件明确公开了扩散区域（第2部分）的厚度（5-100nm）小于导电区域（第1部分）的厚度（50-500nm），满足“小于导电区域的厚度”的选项，因此直接公开。 |
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