非显而易见性评估仅供参考，不构成法律建议。
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对比文件列表
| 编号 | 名称 |
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权利要求1
一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；在所述半导体基板的一个表面上的控制钝化膜，该控制钝化膜由介电材料形成；以及在所述控制钝化膜上的半导体层，该半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域；其中，所述半导体基板还包括扩散区域，该扩散区域包括与所述控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域；其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与所述第一导电区域对应，并且具有低于所述第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度；其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与所述第二导电区域对应，并且具有低于所述第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度；其中，所述半导体基板包括具有所述第二导电类型的基极区域；其中，所述第二扩散区域比所述第一扩散区域厚；并且其中，所述控制钝化膜包括局部地形成在所述第一导电区域和所述第一扩散区域之间的第一掺杂部分以及局部地形成在所述第二导电区域和所述第二扩散区域之间的第二掺杂部分。
权利要求2
根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述控制钝化膜是由非晶结构组成的非晶膜或者包括所述非晶结构和部分结晶部分的非晶膜。
权利要求3
根据权利要求1所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括：在所述半导体基板或所述半导体层上的绝缘膜；其中，所述控制钝化膜比所述绝缘膜薄；并且其中，所述控制钝化膜包括掺杂浓度高于所述绝缘膜的掺杂浓度的部分。
权利要求4
根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一掺杂部分或所述第二掺杂部分包括低掺杂部分以及掺杂浓度高于所述低掺杂部分的掺杂浓度的高掺杂部分。
权利要求5
根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，当在厚度方向上观看所述第一导电区域或所述第二导电区域、所述控制钝化膜以及所述扩散区域时，掺杂浓度朝着所述半导体基板的内部连续地减小；并且其中，所述扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值大于所述第一导电区域或所述第二导电区域中的掺杂浓度梯度的绝对值。
权利要求6
根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述扩散区域比所述第一导电区域和所述第二导电区域中的每一个厚。
权利要求7
根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一扩散区域和所述第二扩散区域彼此间隔开，并且所述基极区域被设置在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间；其中，势垒区域被设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；并且其中，所述控制钝化膜包括所述半导体基板与所述势垒区域之间的未掺杂部分。
权利要求8
根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，当在厚度方向上观看所述第一扩散区域和所述第二扩散区域时，所述第二扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值。
权利要求9
根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述半导体层具有多晶结构，该多晶结构具有纳米尺寸的晶粒。
权利要求10
根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，在掺杂分布中，第一导电类型掺杂剂或第二导电类型掺杂剂的掺杂浓度从所述第一导电区域或所述第二导电区域经由所述控制钝化膜朝着所述第一扩散区域或所述第二扩散区域连续地减小；其中，所述掺杂分布包括第一掺杂分布以及不同于所述第一掺杂分布的第二掺杂分布，所述第一掺杂分布位于所述控制钝化膜或者所述第一导电区域或所述第二导电区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中，所述第二掺杂分布位于所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中；并且其中，所述第二掺杂分布中的第二掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一掺杂分布中的第一掺杂浓度梯度的绝对值。
权利要求11
根据权利要求10所述的太阳能电池，其中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域具有100nm至300nm的厚度；或者其中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的厚度与所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度相同或者小于所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度。