对比文件名称：2002-12-20_JP2002368238A_发明专利_JP2002368238A Tandem solar cell and manufacturing method therefor
目标专利名称：1655太阳能电池CN107845689B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该太阳能电池包括：半导体基板《直接公开》 | [0039]“作为IV族半导体基板，使用Ge基板。” | 对比文件明确公开了半导体基板（Ge基板），与本特征相同，故直接公开。 |
| 技术特征B：在所述半导体基板的一个表面上的控制钝化膜，该控制钝化膜由介电材料形成《未公开》 | [0056]“在IV族半导体基板14的背面14R整体上，形成以n型掺杂剂为主成分的绝缘膜（PSG）32。” | 对比文件中的绝缘膜（PSG）仅作为掺杂源，最终结构可被去除，且其上无半导体层，不构成控制钝化膜；本特征要求控制钝化膜位于基板与半导体层之间，对比文件未公开此结构。 |
| 技术特征C：在所述控制钝化膜上的半导体层，该半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域《未公开》 | [0029]“下部电池14由IV族半导体构成，具有下部区域的n+层14C和p+层14D。” | 对比文件中的n+层和p+层是直接在基板内形成的扩散区域，并非在控制钝化膜上单独形成的半导体层，未公开本特征。 |
| 技术特征D：其中，所述半导体基板还包括扩散区域，该扩散区域包括与所述控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域《直接公开》 | [0029]“下部电池14由IV族半导体构成，具有下部区域的n+层（一导电型层）14C和p+层（相反导电型层）14D。” | 对比文件公开了在基板内形成的第一导电类型扩散区域（n+层）和第二导电类型扩散区域（p+层），直接对应本特征。 |
| 技术特征E：其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与所述第一导电区域对应，并且具有低于所述第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度《未公开》 | [0031]“p+层14D的掺杂浓度高于n+层14C的掺杂浓度，且扩散深度dp小于dn。” | 对比文件没有分离的导电区域（第一导电区域），仅存在扩散区域，且p+层浓度高于n+层，不符合本特征中扩散区域浓度低于导电区域的要求。 |
| 技术特征F：其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与所述第二导电区域对应，并且具有低于所述第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度《未公开》 | 同上 | 同样，对比文件无分离的导电区域，且各扩散区域浓度关系不符合本特征。 |
| 技术特征G：其中，所述半导体基板包括具有所述第二导电类型的基极区域《直接公开》 | [0039]“n型Ge基板” | 对比文件明确基板为n型（第二导电类型），直接公开了基极区域。 |
| 技术特征H：其中，所述第二扩散区域比所述第一扩散区域厚；并且中，所述控制钝化膜包括局部地形成在所述第一导电区域和所述第一扩散区域之间的第一掺杂部分以及局部地形成在所述第二导电区域和所述第二扩散区域之间的第二掺杂部分《未公开》 | [0043]“p+层14D的扩散深度dp比n+层14C的扩散深度dn大”（实施例2）；[0056]提及绝缘膜（PSG）含有掺杂剂。 | 对比文件虽在实施例2中公开了第二扩散区域（p+层）比第一扩散区域（n+层）厚，但未公开控制钝化膜及其掺杂部分；本特征包含两部分，需同时满足，故整体未公开。 |
| 技术特征I：其中，所述控制钝化膜是由非晶结构组成的非晶膜或者包括所述非晶结构和部分结晶部分的非晶膜《未公开》 | 对比文件未明确提及控制钝化膜的结构。 | 对比文件无控制钝化膜，故未公开。 |
| 技术特征J：该太阳能电池还包括：在所述半导体基板或所述半导体层上的绝缘膜《直接公开》 | [0028]“反射防止膜20” | 对比文件在受光面上设有反射防止膜（绝缘膜），属于在半导体基板上的绝缘膜，直接公开。 |
| 技术特征K：其中，所述控制钝化膜比所述绝缘膜薄；并且中，所述控制钝化膜包括掺杂浓度高于所述绝缘膜的掺杂浓度的部分《未公开》 | 对比文件无控制钝化膜，绝缘膜（反射防止膜）厚度及掺杂浓度未与控制钝化膜比较。 | 未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述第一掺杂部分或所述第二掺杂部分包括低掺杂部分以及掺杂浓度高于所述低掺杂部分的掺杂浓度的高掺杂部分《未公开》 | 对比文件未公开控制钝化膜内的掺杂部分。 | 未公开。 |
| 技术特征M：其中，当在厚度方向上观看所述第一导电区域或所述第二导电区域、所述控制钝化膜以及所述扩散区域时，掺杂浓度朝着所述半导体基板的内部连续地减小；并且中，所述扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值大于所述第一导电区域或所述第二导电区域中的掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》 | 对比文件未公开从导电区域经控制钝化膜至扩散区域的浓度分布。 | 未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述扩散区域比所述第一导电区域和所述第二导电区域中的每一个厚《未公开》 | 对比文件无分离的导电区域。 | 未公开。 |
| 技术特征O：其中，所述第一扩散区域和所述第二扩散区域彼此间隔开，并且所述基极区域被设置在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间《未公开》 | [0031]“n+层14C形成在背面整体，p+层14D形成在背面的一个或多个位置。” | 对比文件中n+层为整面，p+层位于其内，两者未间隔开，基极区域未设置在之间。 |
| 技术特征P：其中，势垒区域被设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；并且中，所述控制钝化膜包括所述半导体基板与所述势垒区域之间的未掺杂部分《未公开》 | 对比文件无势垒区域，也无控制钝化膜的未掺杂部分。 | 未公开。 |
| 技术特征Q：其中，当在厚度方向上观看所述第一扩散区域和所述第二扩散区域时，所述第二扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》 | 对比文件未提及扩散区域的浓度梯度比较。 | 未公开。 |
| 技术特征R：其中，所述半导体层具有多晶结构，该多晶结构具有纳米尺寸的晶粒《未公开》 | 对比文件半导体层为单晶III-V化合物或扩散层，未提及多晶纳米晶粒。 | 未公开。 |
| 技术特征S：其中，在掺杂分布中，第一导电类型掺杂剂或第二导电类型掺杂剂的掺杂浓度从所述第一导电区域或所述第二导电区域经由所述控制钝化膜朝着所述第一扩散区域或所述第二扩散区域连续地减小《未公开》 | 对比文件无控制钝化膜及分离的导电区域。 | 未公开。 |
| 技术特征T：其中，所述掺杂分布包括第一掺杂分布以及不同于所述第一掺杂分布的第二掺杂分布，所述第一掺杂分布位于所述控制钝化膜或者所述第一导电区域或所述第二导电区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中，所述第二掺杂分布位于所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中；并且中，所述第二掺杂分布中的第二掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一掺杂分布中的第一掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》 | 对比文件未公开该掺杂分布特征。 | 未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域具有100nm至300nm的厚度；或中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的厚度与所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度相同或者小于所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度《未公开》 | 对比文件扩散区域厚度为1μm-3μm，远大于100nm-300nm，且无分离的导电区域。 | 未公开。 |
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