对比文件名称：2016-04-04_JP2016046525A_发明专利_JP2016046525A 太陽電池及びその製造方法
目标专利名称：1655太阳能电池CN107845689B
模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该太阳能电池包括：半导体基板。**直接公开** | [0015]“参照图1和图2，根据本实施例的太阳能电池100包括包含基极区域110的半导体基板10，...” | 对比文件明确公开了太阳能电池包括半导体基板10，与技术特征A相同，故直接公开。 |
| 技术特征B：在所述半导体基板的一个表面上的控制钝化膜，该控制钝化膜由介电材料形成。**直接公开** | [0022]“半导体系板10的后表面上可以形成隧道层20。隧道层20可以包括氧化物、氮化物、半导体、导电聚合物等。例如，隧道层20可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、本征非晶硅、本征多晶硅等。” | 对比文件的隧道层20形成于基板的一个表面（后表面），由介电材料（氧化物、氮化物）形成，对应于目标专利的控制钝化膜，故直接公开。 |
| 技术特征C：在所述控制钝化膜上的半导体层，该半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域。**直接公开** | [0005]“位于隧道层上，并包括具有第一导电类型的第一导电型区域和具有第二导电类型的第二导电型区域的导电型区域；”[0026]“在本实施例中，导电型区域32,34可以包括具有第一导电类型掺杂剂而显示第一导电型的第一导电型区域32，和具有第二导电类型掺杂剂而显示第二导电型的第二导电型区域34。” | 对比文件公开了在隧道层上形成有导电类型区域，包括第一导电区域32和第二导电区域34，两者导电类型相反。这些区域由位于隧道层上的半导体层（包括掺杂部分）构成，故直接公开。 |
| 技术特征D：其中，所述半导体基板还包括扩散区域，该扩散区域包括与所述控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域。**未公开** | [0022]“隧道层20可以起到扩散阻挡层的作用，防止导电型区域32,34的掺杂剂扩散到半导体系板10中。” | 对比文件明确隧道层作为扩散阻挡层，阻止掺杂剂扩散至基板，因此基板中不存在扩散区域。对比文件未公开或暗示在基板中形成与隧道层相邻的扩散区域，故未公开。 |
| 技术特征E：其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与所述第一导电区域对应，并且具有低于所述第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度。**未公开** | 同上 | 由于基板中无第一扩散区域，对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征F：其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与所述第二导电区域对应，并且具有低于所述第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度。**未公开** | 同上 | 由于基板中无第二扩散区域，对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征G：其中，所述半导体基板包括具有所述第二导电类型的基极区域。**直接公开** | [0016]“半导体系板10可以包括基极区域110，该基极区域110通过包含相对低浓度的第二导电类型掺杂剂而具有第二导电类型。” | 对比文件公开了基板包括具有第二导电类型的基极区域，故直接公开。 |
| 技术特征H：其中，所述第二扩散区域比所述第一扩散区域厚；并且中，所述控制钝化膜包括局部地形成在所述第一导电区域和所述第一扩散区域之间的第一掺杂部分以及局部地形成在所述第二导电区域和所述第二扩散区域之间的第二掺杂部分。**未公开** | 关于第二句：[0028]“第1部分22a是通过第1ドーピング部分30a内的第1導電型ドーパント扩散到缓冲层22形成的部分”；[0030]“第2部分22b是通过第2ドーピング部分30b内的第2導電型ドーパント扩散到缓冲层22形成的部分”。但这些部分在缓冲层22中，而非隧道层20中。 | 由于基板中无扩散区域，第一句未公开。第二句，对比文件的掺杂部分（第1部分22a、第2部分22b）形成于缓冲层中而非控制钝化膜（隧道层）中，且缓冲层位于隧道层上，并非同一层。因此特征H整体未被公开。 |
| 技术特征I：其中，所述控制钝化膜是由非晶结构组成的非晶膜或者包括所述非晶结构和部分结晶部分的非晶膜。**直接公开** | [0039]“隧道层20具有非晶结构”；[0078]“隧道层20可以是通过化学气相沉积法形成的具有非晶结构的非晶硅氧化物层。” | 对比文件明确指出隧道层20是非晶结构，对应于控制钝化膜为非晶膜。故直接公开。 |
| 技术特征J：该太阳能电池还包括：在所述半导体基板或所述半导体层上的绝缘膜。**直接公开** | [0056]“可以在导电型区域32,34和势垒区域36上形成绝缘层40。”[0065]“半导体系板10上可以设置钝化膜24，钝化膜24上可以设置反射防止膜26。” | 对比文件公开了在基板或半导体层上形成绝缘膜（如绝缘层40、钝化膜24等），故直接公开。 |
| 技术特征K：其中，所述控制钝化膜比所述绝缘膜薄；并且中，所述控制钝化膜包括掺杂浓度高于所述绝缘膜的掺杂浓度的部分。**未公开** | 前半部分：[0024]“隧道层20的厚度T1可以小于第二绝缘层40的厚度。”后半部分：无直接公开。 | 对比文件公开了隧道层比绝缘层薄，但未公开隧道层包含掺杂浓度高于绝缘膜的部分。隧道层本身不掺杂，掺杂部分在缓冲层中。特征K的两个必要条件未同时满足，故未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述第一掺杂部分或所述第二掺杂部分包括低掺杂部分以及掺杂浓度高于所述低掺杂部分的掺杂浓度的高掺杂部分。**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件未描述掺杂部分内部的浓度分布，未提低掺杂部分和高掺杂部分，故未公开。 |
| 技术特征M：其中，当在厚度方向上观看所述第一导电区域或所述第二导电区域、所述控制钝化膜以及所述扩散区域时，掺杂浓度朝着所述半导体基板的内部连续地减小；并且中，所述扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值大于所述第一导电区域或所述第二导电区域中的掺杂浓度梯度的绝对值。**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件无扩散区域，且掺杂浓度的分布主要在缓冲层内并非基板内，故未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述扩散区域比所述第一导电区域和所述第二导电区域中的每一个厚。**未公开** | 无。 | 对比文件无扩散区域，故未公开。 |
| 技术特征O：其中，所述第一扩散区域和所述第二扩散区域彼此间隔开，并且所述基极区域被设置在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间。**未公开** | 无。 | 对比文件无扩散区域，故未公开。 |
| 技术特征P：其中，势垒区域被设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；并且中，所述控制钝化膜包括所述半导体基板与所述势垒区域之间的未掺杂部分。**未公开** | 关于势垒区域：[0032]“势垒区域36包括缓冲层22中位于第1部分22a和第2部分22b之间的缓冲部分22c，以及半导体层30中位于第1掺杂部分30a和第2掺杂部分30b之间的势垒部分30c。”缓冲部分22c是未掺杂部分。 | 对比文件公开了势垒区域36，并在缓冲层中有未掺杂部分22c，但该未掺杂部分位于缓冲层中，不在控制钝化膜（隧道层）内，且缓冲层位于隧道层上，因此特征P要求控制钝化膜包括该未掺杂部分不满足。故未公开。 |
| 技术特征Q：其中，当在厚度方向上观看所述第一扩散区域和所述第二扩散区域时，所述第二扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值。**未公开** | 无。 | 对比文件无扩散区域，故未公开。 |
| 技术特征R：其中，所述半导体层具有多晶结构，该多晶结构具有纳米尺寸的晶粒。**隐含公开** | [0086]“半导体层300可以由微结晶质、非晶质或多晶半导体构成。” | 对比文件公开半导体层可以是微结晶质或多晶半导体。微结晶质通常包含纳米尺寸晶粒，多晶半导体也可具有纳米晶粒，本领域技术人员可合理推断该半导体层包含纳米尺寸晶粒的多晶结构。故隐含公开。 |
| 技术特征S：其中，在掺杂分布中，第一导电类型掺杂剂或第二导电类型掺杂剂的掺杂浓度从所述第一导电区域或所述第二导电区域经由所述控制钝化膜朝着所述第一扩散区域或所述第二扩散区域连续地减小。**未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件无扩散区域，也无从导电区域经由控制钝化膜向基板内连续减小的掺杂分布，故未公开。 |
| 技术特征T：其中，所述掺杂分布包括第一掺杂分布以及不同于所述第一掺杂分布的第二掺杂分布，所述第一掺杂分布位于所述控制钝化膜或者所述第一导电区域或所述第二导电区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中，所述第二掺杂分布位于所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中；并且中，所述第二掺杂分布中的第二掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一掺杂分布中的第一掺杂浓度梯度的绝对值。**未公开** | 无。 | 对比文件未公开这种特定的掺杂分布特征，故未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域具有100nm至300nm的厚度；或中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的厚度与所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度相同或者小于所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度。**未公开** | 无。 | 对比文件无扩散区域，故未公开。 |
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