**对比文件名称**：2015-03-18_KR1020150029202A_发明公开_KR1020150029202A 태양 전지
**目标专利名称**：1655太阳能电池CN107845689B
**本次调用的模型名称**：AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：该太阳能电池包括：半导体基板 《直接公开》 | 对比文件[0033]：“半导体基板10” | 对比文件明确公开了太阳能电池包括半导体基板10，因此直接公开。 |
| 技术特征B：在所述半导体基板的一个表面上的控制钝化膜，该控制钝化膜由介电材料形成 《直接公开》 | 对比文件[0042]：“在半导体基板的后表面上形成隧道层20。隧道层可包括硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、本征非晶硅、本征多晶硅等。” | 对比文件公开了在半导体基板后表面上的隧道层，该隧道层由硅氧化物等介电材料形成，相当于目标专利的控制钝化膜，且作用相似（允许载流子传送、控制掺杂剂扩散），因此直接公开。 |
| 技术特征C：在所述控制钝化膜上的半导体层，该半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域 《直接公开》 | 对比文件[0044]：“半导体基板10上具有相反导电类型的背面场区域34和发射极区域32。”[0045]：“发射极区域32包括跨越隧道层20的多个部分，即第一部分32a和第二部分32b。” | 对比文件公开了在隧道层（控制钝化膜）上形成半导体层，并通过掺杂形成相反导电类型的发射极区域（第一导电区域）和背面场区域（第二导电区域），因此直接公开。 |
| 技术特征D：其中，所述半导体基板还包括扩散区域，该扩散区域包括与所述控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域 《直接公开》 | 对比文件[0045]：发射极区域32的第一部分32a位于半导体基板10内部，与隧道层20相邻。[0119]：“背面场区域34可以包括跨越隧道层20的多个部分。背面场区域34包括跨越隧道层20的第一部分34a和第二部分34b。” | 对比文件明确公开了第一扩散区域（第一部分32a）和第二扩散区域（第一部分34a），两者均位于半导体基板内且与控制钝化膜（隧道层）相邻，因此直接公开。 |
| 技术特征E：其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与所述第一导电区域对应，并且具有低于所述第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度 《直接公开》 | 对比文件[0050]：“第二部分32b的掺杂浓度大于第一部分32a的掺杂浓度。”[0046]：第一部分32a是掺杂区域，对应第二部分32b。 | 对比文件公开了第一扩散区域（第一部分32a）局部形成且对应第一导电区域（第二部分32b），其掺杂浓度低于第一导电区域，因此直接公开。 |
| 技术特征F：其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与所述第二导电区域对应，并且具有低于所述第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度 《直接公开》 | 对比文件[0119]：“通过第一部分34a的低掺杂浓度...和第二部分34b有效地降低与第二电极44的接触电阻”，暗示第一部分34a浓度低于第二部分34b。 | 对比文件公开了第二扩散区域（第一部分34a）局部形成且对应第二导电区域（第二部分34b），其掺杂浓度低于第二导电区域，因此直接公开。 |
| 技术特征G：其中，所述半导体基板包括具有所述第二导电类型的基极区域 《直接公开》 | 对比文件[0035]：“基极区域110可以包括包含第一导电型杂质的硅。第一导电型杂质例如可以是n型或p型。”在实施例中，基极区域110为n型，第二导电区域34为n型。 | 对比文件明确基极区域具有特定导电类型，在实施例中基极区域为n型（对应于第二导电类型），因此直接公开。 |
| 技术特征H：其中，所述第二扩散区域比所述第一扩散区域厚；并且，所述控制钝化膜包括局部地形成在所述第一导电区域和所述第一扩散区域之间的第一掺杂部分以及局部地形成在所述第二导电区域和所述第二扩散区域之间的第二掺杂部分 《未公开》 | 对比文件未公开第一扩散区域与第二扩散区域的厚度比较；未明确隧道层包含掺杂部分。 | 对比文件未提及第一扩散区域与第二扩散区域的厚度关系，也未明确描述隧道层中的掺杂部分，因此未直接公开，也不足以合理推断出该特征，故未公开。 |
| 技术特征I：其中，所述控制钝化膜是由非晶结构组成的非晶膜或者包括所述非晶结构和部分结晶部分的非晶膜 《隐含公开》 | 对比文件[0042]：隧道层由硅氧化物、硅氮化物等形成，通常通过热氧化或沉积获得，常见为非晶结构。 | 对比文件虽未明确隧道层的结构，但本领域技术人员公知，采用热氧化或沉积形成的硅氧化物等薄膜通常为非晶结构，且该非晶结构有利于掺杂剂扩散和载流子传送，与目标专利作用相同，因此隐含公开。 |
| 技术特征J：该太阳能电池还包括：在所述半导体基板或所述半导体层上的绝缘膜 《直接公开》 | 对比文件[0066]：“绝缘层40可以形成在导电区域32、34和势垒区域36上。”[0039]：“反射防止膜50形成在半导体基板的前表面。” | 对比文件明确公开了绝缘层和反射防止膜等绝缘膜，因此直接公开。 |
| 技术特征K：其中，所述控制钝化膜比所述绝缘膜薄；并且，所述控制钝化膜包括掺杂浓度高于所述绝缘膜的掺杂浓度的部分 《隐含公开》 | 对比文件[0067]：“绝缘层40可以形成为比隧道层20更厚的厚度。”[0048]：“第一部分32a通过第二部分32b中的杂质扩散形成。” | 对比文件直接公开了隧道层比绝缘层薄；同时，本领域技术人员可合理推断，在扩散过程中杂质会穿过隧道层，使其部分区域掺杂浓度高于未掺杂的绝缘层，因此隐含公开。 |
| 技术特征L：其中，所述第一掺杂部分或所述第二掺杂部分包括低掺杂部分以及掺杂浓度高于所述低掺杂部分的掺杂浓度的高掺杂部分 《未公开》 | 对比文件未提及隧道层中的掺杂部分存在高低浓度区分。 | 对比文件未公开控制钝化膜（隧道层）中的掺杂部分有低掺杂与高掺杂的划分，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中，当在厚度方向上观看所述第一导电区域或所述第二导电区域、所述控制钝化膜以及所述扩散区域时，掺杂浓度朝着所述半导体基板的内部连续地减小；并且，所述扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值大于所述第一导电区域或所述第二导电区域中的掺杂浓度梯度的绝对值 《未公开》 | 对比文件未公开掺杂浓度的连续减小趋势，更未涉及浓度梯度比较。 | 对比文件未描述掺杂浓度分布的具体趋势，也未给出浓度梯度大小的比较，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述扩散区域比所述第一导电区域和所述第二导电区域中的每一个厚 《未公开》 | 对比文件[0054]：“第二部分32b的厚度T3大于第一部分32a的厚度T1”，即扩散区域（第一部分）比导电区域（第二部分）薄。 | 对比文件公开了相反的关系（扩散区域比导电区域薄），因此未公开该特征。 |
| 技术特征O：其中，所述第一扩散区域和所述第二扩散区域彼此间隔开，并且所述基极区域被设置在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间 《隐含公开》 | 对比文件[0045]：第一扩散区域32a局部形成；[0119]：第二扩散区域34a局部形成。二者在半导体基板内对应不同区域，必然存在间隔。 | 对比文件公开了第一扩散区域和第二扩散区域分别局部形成，本领域技术人员可合理推断它们之间被基极区域隔开，因此隐含公开。 |
| 技术特征P：其中，势垒区域被设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；并且，所述控制钝化膜包括所述半导体基板与所述势垒区域之间的未掺杂部分 《隐含公开》 | 对比文件[0062]：“位于发射极区域32和背面场区域34的第二部分32b、34b之间的半导体层可以设置势垒区域36。” | 对比文件直接公开了势垒区域；同时，势垒区域下方的隧道层由于势垒阻挡不会受到掺杂，本领域技术人员可合理推断该部分为未掺杂部分，因此隐含公开。 |
| 技术特征Q：其中，当在厚度方向上观看所述第一扩散区域和所述第二扩散区域时，所述第二扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值 《未公开》 | 对比文件未公开扩散区域的浓度梯度比较。 | 对比文件未涉及第一扩散区域与第二扩散区域浓度梯度的比较，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中，所述半导体层具有多晶结构，该多晶结构具有纳米尺寸的晶粒 《未公开》 | 对比文件[0047]：“第二部分可由非晶、微晶或多晶半导体形成。”未提及晶粒尺寸。 | 对比文件虽提到多晶结构，但未公开晶粒尺寸为纳米级别，因此未公开。 |
| 技术特征S：其中，在掺杂分布中，第一导电类型掺杂剂或第二导电类型掺杂剂的掺杂浓度从所述第一导电区域或所述第二导电区域经由所述控制钝化膜朝着所述第一扩散区域或所述第二扩散区域连续地减小 《隐含公开》 | 对比文件[0048]：“第一部分32a通过第二部分32b中的杂质扩散形成。”[0050]：第二部分32b浓度高于第一部分32a。 | 对比文件公开了高浓度导电区域和低浓度扩散区域，杂质通过隧道层扩散，本领域技术人员可合理推断掺杂浓度从导电区域经隧道层向扩散区域连续减小，因此隐含公开。 |
| 技术特征T：其中，所述掺杂分布包括第一掺杂分布以及不同于所述第一掺杂分布的第二掺杂分布，所述第一掺杂分布位于所述控制钝化膜或者所述第一导电区域或所述第二导电区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中，所述第二掺杂分布位于所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中；并且，所述第二掺杂分布中的第二掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一掺杂分布中的第一掺杂浓度梯度的绝对值 《未公开》 | 对比文件未公开掺杂分布的分段特征及梯度比较。 | 对比文件未描述掺杂分布具有不同的分段，也未比较梯度大小，因此未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域具有100nm至300nm的厚度；或，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的厚度与所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度相同或者小于所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度 《直接公开》 | 对比文件[0054]：“第二部分32b的厚度T3大于第一部分32a的厚度T1”，即扩散区域厚度小于导电区域厚度。 | 对比文件直接公开了第一扩散区域（第一部分32a）的厚度小于第一导电区域（第二部分32b）的厚度，满足特征U中“厚度小于”的条件，因此直接公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<F>>><<<G>>><<<i>>><<<J>>><<<k>>><<<o>>><<<p>>><<<s>>><<<U>>>