对比文件名称：2016-09-15_US2016268455A_发明申请_US20160268455A1 LASER PROCESSED BACK CONTACT HETEROJUNCTION SOLAR CELLS
目标专利名称：1655太阳能电池CN107845689B
本次调用的模型名称：AI
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：该太阳能电池包括：半导体基板《直接公开》 | 对比文件[0030]：“The suitable substrate may be a semiconductor wafer of any convenient size or shape.”（合适的基板可以是任何方便尺寸或形状的半导体晶片。）以及图2中元件200标注为基板。 | 对比文件明确公开了半导体基板（200），该基板由半导体材料构成，用于形成太阳能电池。与目标专利的半导体基板相同，因此本领域技术人员可直接确定该特征被公开。 |
| 技术特征B：在所述半导体基板的一个表面上的控制钝化膜，该控制钝化膜由介电材料形成《直接公开》 | 对比文件[0037]：“A tunnel junction layer may be applied or formed in steps 130. A tunnel junction layer may comprise any suitable insulator or large band-gap material... As a nonlimiting example, a silicon substrate may be subjected to thermal or chemical oxidation to form a SiO2 layer or tunnel junction layer.”（隧道结层可以施加或形成在步骤130。隧道结层可以包括任何合适的绝缘体或宽带隙材料……非限制性示例，硅基板可以通过热氧化或化学氧化形成SiO2层或隧道结层。） | 对比文件公开了在基板后表面上形成隧道结层，该层由绝缘体（如SiO2）构成，属于介电材料。该层位于基板表面，起到钝化和载流子传输作用，与目标专利的控制钝化膜在位置和材料上实质相同，因此直接公开。 |
| 技术特征C：在所述控制钝化膜上的半导体层，该半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域《未公开》 | 对比文件[0038]：“A doped semiconductor layer (step 140) may be applied by any conventional means on a rear surface of the substrate below the heterojunction layer or the tunnel junction layer.”（掺杂半导体层可以通过任何常规方式施加在异质结层或隧道结层下方的基板后表面上。）[0038]还提到：“The step 140 of applying doped semiconductor layer may include patterning to provide gaps between emitter regions and base regions or to remove the doped semiconductor layer from the base regions.”（施加掺杂半导体层的步骤140可以包括图案化以在发射极区域和基极区域之间提供间隙，或者从基极区域去除掺杂半导体层。） | 对比文件公开的掺杂半导体层（230）是单一导电类型（例如p型），位于隧道结层上。虽然可以通过图案化在基极区域去除该层，但并未在同一个半导体层内形成两种导电类型的区域。对比文件中的基极接触是通过激光掺杂在基板内形成的，而不是在半导体层中形成第二导电区域。因此，未公开该特征。 |
| 技术特征D：其中，所述半导体基板还包括扩散区域，该扩散区域包括与所述控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域《直接公开》 | 对比文件[0073]：“...laser processing is used to fire p+ and n+ point contacts through a dielectric coating over a rear heterojunction or rear tunnel oxide structure.”（激光处理用于烧制p+和n+点接触通过介电涂层。）[0042]：“laser-processed regions (250) are fabricated to penetrate through the heterojunction layer (220) and doped semiconductor layer (230) to form part of a base contact (252).”（激光处理区域（250）被制造以穿透异质结层（220）和掺杂半导体层（230）以形成基极接触（252）的一部分。） | 对比文件明确公开了通过激光处理在基板内形成p+和n+点接触，这些点接触是掺杂区域（扩散区域），并且穿透了隧道结层，因此与控制钝化膜相邻。因此，直接公开了基板包括第一扩散区域（如p+）和第二扩散区域（如n+）。 |
| 技术特征E：其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与所述第一导电区域对应，并且具有低于所述第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度《未公开》 | 对比文件未明确描述第一扩散区域与第一导电区域的对应关系及掺杂浓度比较。 | 对比文件虽然公开了p+点接触，但未指明其与哪个导电区域对应，也未比较其与对应导电区域的掺杂浓度。因此，未公开。 |
| 技术特征F：其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与所述第二导电区域对应，并且具有低于所述第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度《未公开》 | 对比文件未明确描述。 | 类似地，未公开。 |
| 技术特征G：其中，所述半导体基板包括具有所述第二导电类型的基极区域《直接公开》 | 对比文件[0033]：“The substrate may be an n-type doped silicon grown by the Czochralski method.”（基板可以是n型掺杂硅，通过Czochralski方法生长。） | 对比文件明确公开基板为n型，即第二导电类型，构成基极区域。因此，直接公开。 |
| 技术特征H：其中，所述第二扩散区域比所述第一扩散区域厚；并且中，所述控制钝化膜包括局部地形成在所述第一导电区域和所述第一扩散区域之间的第一掺杂部分以及局部地形成在所述第二导电区域和所述第二扩散区域之间的第二掺杂部分《未公开》 | 对比文件未提及扩散区域厚度比较，也未提及控制钝化膜内形成掺杂部分。 | 对比文件没有公开扩散区域厚度差异，也没有描述控制钝化膜（隧道结层）内包含掺杂部分。因此，未公开。 |
| 技术特征I：其中，所述控制钝化膜是由非晶结构组成的非晶膜或者包括所述非晶结构和部分结晶部分的非晶膜《隐含公开》 | 对比文件[0037]公开隧道结层可以是SiO2，但未明确其结晶结构。 | 本领域公知，通过热氧化或化学氧化形成的SiO2层通常是非晶结构。对比文件虽然没有明确说明，但本领域技术人员可以合理推断出作为隧道结层的SiO2是非晶膜，且可能包含部分结晶部分。因此，隐含公开。 |
| 技术特征J：该太阳能电池还包括：在所述半导体基板或所述半导体层上的绝缘膜《直接公开》 | 对比文件[0063]：“A substrate (200) has a passivation and antireflection structure (210) on its front surface.”（基板（200）在其前表面上具有钝化和抗反射结构（210）。）[0064]中提及后表面可能存在的钝化层。 | 对比文件公开了前表面钝化/抗反射膜（绝缘膜），以及后表面可能的钝化层，这些均为绝缘膜。因此，直接公开。 |
| 技术特征K：其中，所述控制钝化膜比所述绝缘膜薄；并且中，所述控制钝化膜包括掺杂浓度高于所述绝缘膜的掺杂浓度的部分《未公开》 | 对比文件未比较控制钝化膜与绝缘膜的厚度，也未提及控制钝化膜具有高于绝缘膜的掺杂浓度。 | 对比文件没有公开厚度比较，也没有提及控制钝化膜被掺杂或具有高于绝缘膜的掺杂浓度。因此，未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述第一掺杂部分或所述第二掺杂部分包括低掺杂部分以及掺杂浓度高于所述低掺杂部分的掺杂浓度的高掺杂部分《未公开》 | 对比文件未提及掺杂部分内的浓度差异。 | 未公开。 |
| 技术特征M：其中，当在厚度方向上观看所述第一导电区域或所述第二导电区域、所述控制钝化膜以及所述扩散区域时，掺杂浓度朝着所述半导体基板的内部连续地减小；并且中，所述扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值大于所述第一导电区域或所述第二导电区域中的掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》 | 对比文件未描述掺杂浓度分布。 | 未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述扩散区域比所述第一导电区域和所述第二导电区域中的每一个厚《未公开》 | 对比文件未提及厚度比较。 | 未公开。 |
| 技术特征O：其中，所述第一扩散区域和所述第二扩散区域彼此间隔开，并且所述基极区域被设置在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间《直接公开》 | 对比文件[0071]图8中显示基极手指（304）和发射极手指（306）之间有隔离间隙（260）；[0073]公开p+和n+点接触。 | 对比文件公开了p+和n+点接触（扩散区域）彼此间隔开（通过隔离间隙），基极区域（n型基板）自然位于它们之间。因此，直接公开。 |
| 技术特征P：其中，势垒区域被设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；并且中，所述控制钝化膜包括所述半导体基板与所述势垒区域之间的未掺杂部分《未公开》 | 对比文件[0064]公开隔离间隙（260）在基极和发射极接触之间，但未提及势垒区域，也未提及控制钝化膜未掺杂部分。 | 对比文件中的隔离间隙是金属层之间的间隙，不是势垒区域，也没有描述控制钝化膜在间隙位置为未掺杂。因此，未公开。 |
| 技术特征Q：其中，当在厚度方向上观看所述第一扩散区域和所述第二扩散区域时，所述第二扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》 | 对比文件未提及。 | 未公开。 |
| 技术特征R：其中，所述半导体层具有多晶结构，该多晶结构具有纳米尺寸的晶粒《未公开》 | 对比文件[0038]：“The silicon may be amorphous, microcrystalline, or polycrystalline depending upon growth conditions.”（硅可以是非晶、微晶或多晶，取决于生长条件。） | 对比文件提到多晶可能性，但未限定晶粒尺寸为纳米级。因此，未公开。 |
| 技术特征S：其中，在掺杂分布中，第一导电类型掺杂剂或第二导电类型掺杂剂的掺杂浓度从所述第一导电区域或所述第二导电区域经由所述控制钝化膜朝着所述第一扩散区域或所述第二扩散区域连续地减小《未公开》 | 对比文件未描述掺杂分布。 | 未公开。 |
| 技术特征T：其中，所述掺杂分布包括第一掺杂分布以及不同于所述第一掺杂分布的第二掺杂分布，所述第一掺杂分布位于所述控制钝化膜或者所述第一导电区域或所述第二导电区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中，所述第二掺杂分布位于所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中；并且中，所述第二掺杂分布中的第二掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一掺杂分布中的第一掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》 | 对比文件未描述。 | 未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域具有100nm至300nm的厚度；或中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的厚度与所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度相同或者小于所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度《未公开》 | 对比文件未提及扩散区域厚度范围。 | 未公开。 |
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