对比文件名称：2010-04-29_US2010101642A_发明申请_US20100101642A1 Large-Area Transparent Electroconductive Film and Method of Making the Same
目标专利名称：1666太阳能电池CN107039542B
本次调用的模型名称：GPT-4
以下为特征比对表格：
| 技术特征描述与公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该双面太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质并且具有前表面和与所述前表面相对的后表面（未公开） | 对比文件[0038]：“通过喷雾热解法在加热的透明基板（例如玻璃）上形成膜”；[0044]-[0045]实施例采用硼硅玻璃基板。未涉及晶体半导体基板及其导电类型杂质。 | 对比文件明确其基板为玻璃等透明基板，非晶体半导体；未提及基板掺杂导电类型；也未涉及其在太阳能电池中的具体应用如晶体硅基板。因此未公开。 |
| 技术特征B：前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的所述前表面上（未公开） | 对比文件[0038]：直接在基板上沉积透明导电膜，无掺杂层。 | 对比文件没有公开在基板和透明导电膜之间设置掺杂层的任何内容，也未涉及半导体掺杂层。因此未公开。 |
| 技术特征C：后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的所述后表面上（未公开） | 对比文件未公开后掺杂层；仅公开单一透明导电膜形成在基板一面。 | 对比文件没有公开后掺杂层，也未公开任何双面结构或后表面层。因此未公开。 |
| 技术特征D：防反射层，该防反射层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度（未公开） | 对比文件[0012]公开透明导电膜厚度0.3-1μm，但未提及防反射层、前掺杂层。 | 对比文件未提及防反射层及其设置在前掺杂层上；其透明导电膜直接形成在玻璃基板上，不涉及前掺杂层。因此未公开。 |
| 技术特征E：前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述防反射层上（未公开） | 对比文件未公开任何电极结构，仅公开透明导电膜本身。 | 对比文件没有公开前收集器电极，也未公开电极与透明导电膜的关系。因此未公开。 |
| 技术特征F：反射层，该反射层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度（未公开） | 对比文件未公开反射层；其透明导电膜未指定反射功能，且无后掺杂层。 | 对比文件没有公开反射层及其设置在后掺杂层下面。因此未公开。 |
| 技术特征G：后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述反射层下面（未公开） | 对比文件未公开后收集器电极。 | 对比文件没有公开后收集器电极的结构或位置。因此未公开。 |
| 技术特征H：其中，所述防反射层和所述反射层各自由透明导电层形成（未公开） | 对比文件[0012]公开氟掺杂氧化锡透明导电膜；[0071]提到用于太阳能电池的透明电极。但未区分防反射和反射功能，且未在同一个电池中设置两个透明导电层。 | 对比文件仅公开单一透明导电膜，未教导在太阳能电池前后表面均设置透明导电层并分别赋予防反射和反射功能。本领域技术人员不能直接得到该特征，隐含公开也缺乏合理依据。因此未公开。 |
| 技术特征I：所述透明导电层包括能够控制所述透明导电层的电学特性和光学特性的氧；并且其中，所述反射层的所述第二厚度小于所述防反射层的所述第一厚度（未公开） | 对比文件未提及氧含量控制；单层膜厚度0.3-1μm ([0012])，无两层厚度比较。 | 对比文件未涉及通过氧含量控制电学和光学特性（其掺杂为氟），也未教导比较两个透明导电层的厚度。因此未公开。 |
| 技术特征J：其中，所述防反射层的氧含量小于所述反射层的氧含量（未公开） | 对比文件未公开氧含量，更未比较不同层的氧含量。 | 对比文件没有公开氧含量这一参数。因此未公开。 |
| 技术特征K：因而，所述反射层的吸光率小于所述防反射层的吸光率（未公开） | 对比文件未公开吸光率比较。 | 对比文件未公开吸光率比较，也未教导通过氧含量控制吸光率。因此未公开。 |
| 技术特征L：所述防反射层的薄膜电阻小于所述反射层的薄膜电阻；并且其中，形成被配置为反射在进入所述防反射层之后通过所述晶体半导体基板透射的光的所述反射层的所述透明导电层的所述第二厚度为25nm至75nm（未公开） | 对比文件[0012]公开薄膜电阻2-15Ω/□，厚度0.3-1μm，无两层比较和25-75nm范围。 | 对比文件没有公开任何关于两层薄膜电阻比较的内容，也没有反射层厚度25-75nm的具体范围。因此未公开。 |
| 技术特征M：其中，所述防反射层和所述反射层由相同的材料形成（未公开） | 对比文件[0012]公开氟掺杂氧化锡材料，但未教导在同一个器件中使用相同材料形成两个层。 | 尽管对比文件公开了FTO材料，但未公开在太阳能电池前后层采用相同材料。因此未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述防反射层和所述反射层由如下的层形成：包含氧化铟In2O3作为主要成分并且包含锡Sn、锌Zn、钨W、铈Ce或氢H作为杂质的层（未公开） | 对比文件[0012]公开氟掺杂氧化锡膜，未涉及氧化铟基材料。 | 对比文件未公开任何基于氧化铟的透明导电材料。因此未公开。 |
| 技术特征O：或者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛Ti和钽Ta中的至少一种作为杂质的层（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开该材料组合。因此未公开。 |
| 技术特征P：或者包含氧化锌ZnO作为主要成分并且包含铝Al、硼B或镓Ga作为杂质的层（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开ZnO基材料。因此未公开。 |
| 技术特征Q《直接公开》：或者包含氧化锡SnO2作为主要成分并且包含氟F作为杂质的层。 | 对比文件[0012]：“一种大面积透明导电膜，其特征在于该膜是氟掺杂氧化锡膜”；[0038]：“使用锡和氟材料通过喷雾热解制备氟掺杂氧化锡膜”；Table 1实施例均为FTO膜。 | 对比文件明确公开了以SnO2为主要成分、F为杂质的透明导电膜。本领域技术人员可以直接、毫无疑义地确定该技术方案。因此直接公开。 |
| 技术特征R：其中，所述前收集器电极和所述后收集器电极中的每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极（未公开） | 对比文件未公开电极形状。 | 对比文件未公开任何关于电极结构的具体内容。因此未公开。 |
| 技术特征S：所述多个指状电极沿着第一方向延伸（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开指状电极及其方向。因此未公开。 |
| 技术特征T：所述至少一个汇流条电极沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸并且物理连接到所述多个指状电极（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开汇流条电极及其连接关系。因此未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述防反射层的所述第一厚度为70nm至100nm（未公开） | 对比文件厚度0.3-1μm (300-1000nm)，不包含70-100nm范围。 | 对比文件公开的厚度范围远大于70-100nm，且未指定防反射层厚度。因此未公开。 |
| 技术特征V：该太阳能电池还包括：前钝化层，该前钝化层被设置在所述前掺杂层和所述半导体基板之间（未公开） | 对比文件未公开任何钝化层。 | 对比文件未涉及钝化层的设置。因此未公开。 |
| 技术特征W：后钝化层，该后钝化层被设置在所述后掺杂层和所述半导体基板之间（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件未涉及后钝化层。因此未公开。 |
| 技术特征X：其中，所述前掺杂层和所述后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成；并且其中，所述前钝化层和所述后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成（未公开） | 对比文件未公开非晶硅掺杂层或本征非晶硅/隧穿氧化物钝化层。 | 对比文件未涉及这些具体材料。因此未公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体基板的所述前表面和所述后表面中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面（未公开） | 对比文件基板为玻璃，通常平坦；未提及纹理化。 | 对比文件未公开纹理化表面结构。因此未公开。 |
| 技术特征Z：其中，所述防反射层和所述反射层中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面（未公开） | 对比文件未公开透明导电层的纹理化。 | 对比文件未公开透明导电膜具有纹理化表面。因此未公开。 |
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