对比文件的名称：2015-09-24_US2015270422A_发明申请_US20150270422A1 METHOD FOR PRODUCING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELL, METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELL MODULE, CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELL, AND SOLAR CELL MODULE
目标专利的名称：1666太阳能电池CN107039542B
本次调用的模型名称：未指定
以下为特征比对表格。对于每个技术特征，严格按目标专利权利要求的划分执行，列明对比文件原文引用（翻译为中文）及公开性判断。直接公开或隐含公开的判断结果标注于表格第一栏，并在第三栏给出专业论述。
| 第一栏：技术特征描述及公开性判断 | 第二栏：对比文件原文引用（翻译） | 第三栏：公开性论述 |
| **技术特征A**：该双面太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质并且具有前表面和与所述前表面相对的后表面 | 对比文件[0039]：“一种结晶硅太阳能电池，包括一个导电类型单晶硅衬底、第一主表面、第二主表面和外周部，所述衬底具有外周端面”。 对比文件[0037]：“所述一个导电类型单晶硅衬底为n型或p型”。 对比文件[0153]：“硅衬底2优选具有带纹理结构的表面”。 对比文件[0140]：“在硅衬底2的第二主表面侧依次层叠第二本征硅薄膜层7、一个导电类型硅薄膜层8、第二透明电极层10和背电极层11”。 | **未公开**。对比文件公开了单晶硅基板及其导电类型，但未明确该太阳能电池为双面型。由于后侧背电极层11为整层覆盖（非指状或透光结构），本领域技术人员无法从对比文件确定该电池能接收双面光，因此技术特征A未被对比文件直接或隐含公开。 |
| **技术特征B**：前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的所述前表面上 | 对比文件[0139]：“在基板的第一主表面侧上依次层叠第一本征硅薄膜层3、相反导电类型硅薄膜层5（光入射侧硅薄膜层）”。 该“相反导电类型硅薄膜层5”即为p型掺杂层。 | **直接公开**。对比文件明确将p型非晶硅薄膜(opposite conductivity-type silicon thin film layer)设置于第一主表面（前表面），与目标专利的前掺杂层位置和功能完全相同。 |
| **技术特征C**：后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的所述后表面上 | 对比文件[0140]：“在第二主表面侧上依次层叠第二本征硅薄膜层7、一个导电类型硅薄膜层8（背面侧硅薄膜层）”。 该“一个导电类型硅薄膜层8”即为n型掺杂层。 | **直接公开**。对比文件明确将n型非晶硅薄膜设置于第二主表面（后表面），与目标专利的后掺杂层位置和功能相同。 |
| **技术特征D**：防反射层，该防反射层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度 | 对比文件[0139]：“第一透明电极层6（光入射侧透明电极层）层叠于相反导电类型硅薄膜层5上”。 对比文件[0202]：“第一透明电极层6也用作抗反射膜”。 | **直接公开**。对比文件的第一透明电极层6直接位于前掺杂层上，且明确具有抗反射功能，对应于目标专利的防反射层。其厚度虽然未完全限定，但该特征仅要求“具有第一厚度”的结构存在，对比文件已公开。 |
| **技术特征E**：前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述防反射层上 | 对比文件[0139]：“收集器电极15设置在第一透明电极层6的第一主表面侧”。 | **直接公开**。对比文件公开了前收集器电极（collector electrodes 15）直接形成于第一透明电极层（防反射层）上。 |
| **技术特征F**：反射层，该反射层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度 | 对比文件[0140]：“第二透明电极层10（背面侧透明电极层）层叠于一个导电类型硅薄膜层8下”。 对比文件[0207]：“第二透明电极层10……增加背表面反射”。 | **直接公开**。对比文件的第二透明电极层10设置于后掺杂层下面，并具有增强背反射的功能，对应于目标专利的反射层。 |
| **技术特征G**：后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述反射层下面 | 对比文件[0140]：“背电极层11（背电极）层叠于第二透明电极层10下”。 | **直接公开**。对比文件的背电极层11直接位于第二透明电极层（反射层）下面，起到收集载流子的作用，与目标专利的后收集器电极对应。 |
| **技术特征H**：其中，所述防反射层和所述反射层各自由透明导电层形成 | 对比文件[0193]：“第一透明电极层6和第二透明电极层10是包含导电氧化物作为主要成分的层”。 对比文件[0194]：“作为导电氧化物，例如可以使用氧化锌、氧化铟或氧化锡”。 | **直接公开**。对比文件明确第一和第二透明电极层均为透明导电层。 |
| **技术特征I**：所述透明导电层包括能够控制所述透明导电层的电学特性和光学特性的氧；并且中，所述反射层的所述第二厚度小于所述防反射层的所述第一厚度 | 对比文件未明确提及透明导电层的氧含量控制功能。对比文件中第一透明电极层和第二透明电极层的厚度关系未规定；虽给出各自优选范围（[0202]第一层10-140nm，[0208]第二层5-180nm），但未公开第二厚度小于第一厚度。 | **未公开**。对比文件未记载通过氧含量控制电学和光学特性，也未公开后透明导电层厚度小于前透明导电层厚度。本领域技术人员无法直接从对比文件确定该特征。 |
| **技术特征J**：其中，所述防反射层的氧含量小于所述反射层的氧含量 | 对比文件未涉及防反射层与反射层的氧含量比较。 | **未公开**。对比文件未为前、后透明导电层指定不同氧含量，亦未给出任何氧含量差异的教导。 |
| **技术特征K**：因而，所述反射层的吸光率小于所述防反射层的吸光率 | 对比文件未涉及吸光率比较。 | **未公开**。基于氧含量差异的吸光率比较未在对比文件中讨论或暗示。 |
| **技术特征L**：所述防反射层的薄膜电阻小于所述反射层的薄膜电阻；并且中，形成被配置为反射在进入所述防反射层之后通过所述晶体半导体基板透射的光的所述反射层的所述透明导电层的所述第二厚度为25nm至75nm | 前一部分：对比文件未比较前、后透明电极层的薄膜电阻。 后一部分：对比文件实施例1([0410])中第二透明电极层厚度为50nm，落入25-75nm范围，但未明确该功能。 | **未公开**。薄膜电阻比较特征完全未被对比文件公开。虽然对比文件实施例1的第二透明电极层厚度为50nm，但该特征整体要求同时满足薄膜电阻关系，因此整体未被公开。 |
| **技术特征M**：其中，所述防反射层和所述反射层由相同的材料形成 | 对比文件实施例1([0458][0459][0460])中，第一透明电极层6和第二透明电极层10均由ITO形成。 对比文件[0193]虽然未强制必须相同，但实施例直接使用了相同材料。 | **直接公开**。对比文件的具体实施方式中，防反射层（第一透明电极层）和反射层（第二透明电极层）均为ITO，属于相同材料，因此该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征N**：其中，所述防反射层和所述反射层由如下的层形成：包含氧化铟In2O3作为主要成分并且包含锡Sn、锌Zn、钨W、铈Ce或氢H作为杂质的层 | 对比文件[0197]：“当氧化铟用于透明电极层时，掺杂物质包括锌、锡、钛、钨、钼和硅”。 对比文件[0194]：“更优选使用包含氧化铟锡(ITO)作为主要成分的层”。 | **部分公开但未完全公开**。对比文件公开了氧化铟掺杂锡、锌、钨，但未公开铈和氢。由于该马库什组包含未公开的杂质，该技术特征整体未被对比文件直接公开或隐含公开。 |
| **技术特征O**：者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛Ti和钽Ta中的至少一种作为杂质的层 | 对比文件[0197]：“掺杂物质包括……钛”。未提及钽。 | **部分公开但未完全公开**。对比文件公开了钛，但未公开钽。因此该技术特征未被对比文件完全公开。 |
| **技术特征P**：者包含氧化锌ZnO作为主要成分并且包含铝Al、硼B或镓Ga作为杂质的层 | 对比文件[0197]：“当氧化锌用于透明电极层时，掺杂物质包括铝、镓、硼、硅和碳”。 | **直接公开**。对比文件明确公开了氧化锌掺杂铝、硼、镓。 |
| **技术特征Q**：者包含氧化锡SnO2作为主要成分并且包含氟F作为杂质的层 | 对比文件[0199]：“当氧化锡用于透明电极层时，掺杂物质包括氟”。 | **直接公开**。对比文件明确公开了氧化锡掺杂氟。 |
| **技术特征R**：其中，所述前收集器电极和所述后收集器电极中的每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极 | 对比文件[0139]：“收集器电极15”通常为梳状电极，包括指状和汇流条。但后收集器电极为背电极层11（对比文件[0140]），其为整层金属层，未形成指状和汇流条结构。 | **未公开**。对比文件的前收集器电极（15）虽然包括指状和汇流条，但后收集器电极（背电极层11）是整层覆盖，不包括指状和汇流条。因此该特征未被公开。 |
| **技术特征S**：所述多个指状电极沿着第一方向延伸 | 对比文件[0139]的梳状电极（comb-shaped electrodes）必然具有沿第一方向延伸的指状部分。 | **直接公开**。前收集器电极的指状沿第一方向延伸属于梳状电极的常规设计，对比文件已公开。 |
| **技术特征T**：所述至少一个汇流条电极沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸并且物理连接到所述多个指状电极 | 对比文件[0139]梳状电极的汇流条通常垂直于指状延伸并连接。 | **直接公开**。对比文件的前收集器电极结构必然包含汇流条与指状正交连接，属于直接公开。 |
| **技术特征U**：其中，所述防反射层的所述第一厚度为70nm至100nm | 对比文件[0202]：“第一透明电极层6的薄膜厚度优选范围为10nm至140nm”。 对比文件实施例1([0458])第一透明电极层厚度为130nm。 对比文件未专门公开70-100nm这一特定范围。 | **未公开**。对比文件虽给出宽范围10-140nm，但未明确指出70-100nm的优选范围，且实施例130nm不在此范围内，因此本技术特征未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征V**：该太阳能电池还包括：前钝化层，该前钝化层被设置在所述前掺杂层和所述半导体基板之间 | 对比文件[0139]：“第一本征硅薄膜层3”。该层位于硅基板2与相反导电类型硅薄膜层5（前掺杂层）之间。 | **直接公开**。对比文件的第一本征非晶硅层即为前钝化层。 |
| **技术特征W**：后钝化层，该后钝化层被设置在所述后掺杂层和所述半导体基板之间 | 对比文件[0140]：“第二本征硅薄膜层7”。该层位于硅基板2与一个导电类型硅薄膜层8（后掺杂层）之间。 | **直接公开**。对比文件的第二本征非晶硅层即为后钝化层。 |
| **技术特征X**：其中，所述前掺杂层和所述后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成；并且中，所述前钝化层和所述后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成 | 对比文件[0139][0140]：前掺杂层为p型非晶硅，后掺杂层为n型非晶硅。 前钝化层和后钝化层均为本征非晶硅（[0139]第一本征硅薄膜层3,[0140]第二本征硅薄膜层7）。 未提及隧穿氧化物。 | **直接公开**。对比文件明确掺杂非晶硅形成前、后掺杂层，且钝化层由本征非晶硅形成。由于技术特征X使用“或”，本征非晶硅为其中一种选择，因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征Y**：其中，所述半导体基板的所述前表面和所述后表面中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面 | 对比文件[0154]：“光入射表面（第一主表面侧的表面）和背表面（第二主表面侧的表面）形成为纹理结构（凹凸结构）”。 | **直接公开**。对比文件明确基板前后表面均具有纹理结构。 |
| **技术特征Z**：其中，所述防反射层和所述反射层中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面 | 对比文件[0191]：“在沉积层方向外侧的相反导电类型硅薄膜层和一个导电类型硅薄膜层……具有与硅衬底2几乎相同的表面形状”。透明电极层形成于这些层上，因此也具有纹理状表面。 | **直接公开**。对比文件说明透明电极层遵循基板的纹理表面，从而形成纹理化表面。 |
根据以上比对，对比文件直接公开了技术特征 B、C、D、E、F、G、H、M、P、Q、S、T、V、W、X、Y、Z。技术特征 A、I、J、K、L、N、O、R、U 未被直接或隐含公开。未发现隐含公开的特征。
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