对比文件名称：2011-03-30_KR1020110032307A_发明公开_KR1020110032307A 태양 전지
目标专利名称：1666太阳能电池CN107039542B
本次调用模型名称：AI分析模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译及段落编号） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：该双面太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质并且具有前表面和与所述前表面相对的后表面（直接公开） | 段落[34]：“基板110是第一导电类型，例如n型导电类型的半导体基板，由单晶硅或多晶硅等晶体硅形成。”基板具有前表面和后表面是太阳能电池的基本结构。 | 对比文件明确公开了晶体半导体基板（n型硅），具有前表面和后表面，因此特征A被直接公开。 |
| **技术特征B**：前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的所述前表面上（直接公开） | 段落[33]：“……位于作为入射光的前表面上的发射极120”；段落[107]：“抗反射膜130b包括位于发射极120c上的第一部分131”。 | 对比文件中的发射极（p型）对应前掺杂层，直接设置在基板前表面上，因此特征B被直接公开。 |
| **技术特征C**：后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的所述后表面上（直接公开） | 段落[67]：“后表面电场部171位于基板后表面”；段落[95]：“后表面电场部171b由含有杂质的非晶硅形成，位于基板后表面”。 | 后表面电场部（或后表面发射极）对应后掺杂层，位于基板后表面上，特征C被直接公开。 |
| **技术特征D**：防反射层，该防反射层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度（直接公开） | 段落[107]：“抗反射膜130b包括位于发射极120c上的第一部分131”；段落[49]：“AZO膜约65nm至95nm厚度”。 | 第一部分（透明导电层）直接位于前掺杂层上，且具有厚度，特征D被直接公开（厚度值未限定，只要存在厚度即可）。 |
| **技术特征E**：前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述防反射层上（直接公开） | 段落[108]：“第一部分131的一部分与第一电极141和汇流条142物理电连接”。 | 第一电极（前收集器电极）设置在第一部分（防反射层）上，特征E被直接公开。 |
| **技术特征F**：反射层，该反射层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度（直接公开） | 段落[115]：“导电膜162是透明导电材料，将穿过基板的光反射回基板”；段落[105]：“后表面电场部171c上设置导电膜162”。 | 导电膜作为反射层位于后掺杂层下面，具有厚度，特征F被直接公开。 |
| **技术特征G**：后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述反射层下面（直接公开） | 段落[105]：“第二电极151设置在后表面电场部171c上的导电膜162上”（按方向理解，第二电极在导电膜下方）。 | 后收集器电极（第二电极）位于反射层（导电膜）下方，特征G被直接公开。 |
| **技术特征H**：其中，所述防反射层和所述反射层各自由透明导电层形成（直接公开） | 段落[110]：“第一部分131具有导电性（透明导电）”；段落[115]：“导电膜162是透明导电材料（ITO或ZnO）”。 | 前防反射层（第一部分）和后反射层（导电膜）均为透明导电层，特征H被直接公开。 |
| **技术特征I**：所述透明导电层包括能够控制所述透明导电层的电学特性和光学特性的氧；并且中，所述反射层的所述第二厚度小于所述防反射层的所述第一厚度（未公开） | 段落[44]：“透明材料根据氧含量改变透射率和绝缘特性”，即氧能控制光学和电学特性；但对比文件未公开厚度大小关系。 | 前半部分（氧控制）被公开，但反射层厚度小于防反射层厚度的关系未在对比文件中体现，故特征I整体未公开。 |
| **技术特征J**：其中，所述防反射层的氧含量小于所述反射层的氧含量（未公开） | 对比文件第四实施例中，前防反射层（第一部分131）氧含量低（≤10%）；后反射层（导电膜162）的氧含量未注明，且后抗反射膜的第一部分氧含量可能同样较低，未给出比较关系。 | 对比文件未明确防反射层与反射层氧含量的大小关系，特征J未公开。 |
| **技术特征K**：因而，所述反射层的吸光率小于所述防反射层的吸光率（未公开） | 无直接引用。 | 该特征依赖于特征J的氧含量关系，故未公开。 |
| **技术特征L**：所述防反射层的薄膜电阻小于所述反射层的薄膜电阻；并且中，形成被配置为反射在进入所述防反射层之后通过所述晶体半导体基板透射的光的所述反射层的所述透明导电层的所述第二厚度为25nm至75nm（未公开） | 无直接引用；对比文件未提及薄膜电阻比较及该具体厚度范围。 | 薄膜电阻关系和第二厚度范围均未公开，特征L未公开。 |
| **技术特征M**：其中，所述防反射层和所述反射层由相同的材料形成（直接公开） | 段落[119]：“在基板后表面也形成有与前表面相同的抗反射膜130b”，前抗反射膜的第一部分为AZO，后抗反射膜的第一部分也应为AZO。 | 图10双面电池中，前后透明导电层（第一部分）均为AZO，材料相同，特征M被直接公开。 |
| **技术特征N**：其中，所述防反射层和所述反射层由如下的层形成：包含氧化铟In2O3作为主要成分并且包含锡Sn、锌Zn、钨W、铈Ce或氢H作为杂质的层（未公开） | 对比文件主要使用AZO（ZnO:Al）和ITO/ZnO，未见使用In2O3基材料作为前防反射层。 | 对比文件未公开该特定材料体系，特征N未公开。 |
| **技术特征O**：者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛Ti和钽Ta中的至少一种作为杂质的层（未公开） | 同上。 | 未公开。 |
| **技术特征P**：者包含氧化锌ZnO作为主要成分并且包含铝Al、硼B或镓Ga作为杂质的层（直接公开） | 段落[47]：“AZO（铝掺杂氧化锌）”；段落[119]后表面同样结构，前后透明导电层均为AZO。 | 前后透明导电层均为AZO（ZnO:Al），完全符合特征P，直接公开。 |
| **技术特征Q**：者包含氧化锡SnO2作为主要成分并且包含氟F作为杂质的层（未公开） | 无引用。 | 对比文件未使用FTO材料，特征Q未公开。 |
| **技术特征R**：其中，所述前收集器电极和所述后收集器电极中的每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极（直接公开） | 段落[60]：“多个第一电极141大致平行延伸”；段落[61]：“至少一个集电部142与第一电极141连接”；段落[118]：“后电极151a与第一电极141类似，几乎平行延伸”。 | 前电极有指状（141）和汇流条（142）；后电极设计类似，包含指状和汇流条，特征R直接公开。 |
| **技术特征S**：所述多个指状电极沿着第一方向延伸（直接公开） | 段落[60]：“第一电极141大致平行延伸”。 | 指状电极延伸方向公开，特征S直接公开。 |
| **技术特征T**：所述至少一个汇流条电极沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸并且物理连接到所述多个指状电极（直接公开） | 段落[61]：“集电部142与第一电极141交叉方向延伸并连接”。 | 汇流条垂直连接指状电极，特征T直接公开。 |
| **技术特征U**：其中，所述防反射层的所述第一厚度为70nm至100nm（未公开） | 段落[49]：“AZO膜约65nm至95nm厚度”，但该厚度为测试样本的总抗反射膜厚度，非目标专利的前透明导电层（第一部分）厚度，且未明确范围。 | 对比文件未公开防反射层的厚度范围为70‑100nm，特征U未公开。 |
| **技术特征V**：该太阳能电池还包括：前钝化层，该前钝化层被设置在所述前掺杂层和所述半导体基板之间（未公开） | 对比文件中的前保护膜（如191）位于发射极之上，而非发射极与基板之间。 | 对比文件不存在位于前掺杂层与基板之间的钝化层，特征V未公开。 |
| **技术特征W**：后钝化层，该后钝化层被设置在所述后掺杂层和所述半导体基板之间（直接公开） | 段落[96]：“后保护膜192a位于基板后表面的大部分区域，在发射极部、后表面电场部和基板之间”。 | 后保护膜（后钝化层）设置在后掺杂层（后表面电场部）与基板之间，特征W直接公开。 |
| **技术特征X**：其中，所述前掺杂层和所述后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成；并且中，所述前钝化层和所述后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成。（隐含公开） | 段落[94]：“发射极120b由非晶硅形成”；[95]：“后表面电场部171b由非晶硅形成”；[41]：“前保护膜可以由非晶硅、氧化硅或氮化硅形成”。 | 掺杂层由非晶硅公开；钝化层虽未明确本征非晶硅，但本领域技术人员知悉作为钝化层通常使用本征非晶硅，且对比文件未排除这种可能，因此可合理推断钝化层可由本征非晶硅形成；隧穿氧化物未提及但“或”使得存在一种可能即可，故特征X隐含公开。 |
| **技术特征Y**：其中，所述半导体基板的所述前表面和所述后表面中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面（未公开） | 段落[35]：“基板的前表面被纹理化形成凹凸纹理表面”。 | 仅公开前表面纹理，后表面纹理未公开，特征Y未公开。 |
| **技术特征Z**：其中，所述防反射层和所述反射层中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面（未公开） | 段落[35]涉及前表面纹理，但后表面纹理未公开，后反射层的纹理状态不确定。 | 由于后表面纹理未公开，无法认定后反射层也具有纹理，特征Z未公开。 |
**结论代码**
直接公开：<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<F>>><<<G>>><<<H>>><<<M>>><<<P>>><<<R>>><<<S>>><<<T>>><<<W>>>
隐含公开：<<<x>>>