**对比文件名称：** 2015-12-23_CN105185865A_发明公开_CN105185865A 太阳能电池的后加工设备
**目标专利名称：** 1666太阳能电池CN107039542B
**本次调用的模型名称：** 本模型（资深专利代理师分析模式）
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：该双面太阳能电池包括：晶体半导体基板，该晶体半导体基板包含第一导电类型的杂质并且具有前表面和与所述前表面相对的后表面<br>《直接公开》 | [0030]：“参照图1，根据该实施方式的太阳能电池100包括：包括基极区10的半导体基板110…”。[0031]：“半导体基板110可以由晶体半导体形成。例如，半导体基板110可以由单晶半导体(例如，单晶硅)或多晶半导体(例如，多晶硅)形成”。[0035]：“第二导电类型可以是n型或p型…基极区10可以由掺杂有V族元素…或III族元素…的单晶半导体或多晶半导体形成”。[0169]：“半导体基板110具有光入射在半导体基板110的前表面和后表面两者上的双面结构”。 | 对比文件明确公开了半导体基板由晶体半导体形成，包含导电杂质（基极区），并具有前表面和后表面。同时，对比文件在[0169]中明确提到双面结构（光入射到前表面和后表面两者），因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：前掺杂层，该前掺杂层被设置在所述半导体基板的所述前表面上<br>《直接公开》 | [0037]：“第一导电类型的第一导电区20（其与基极区10的第二导电类型相反）可以形成在半导体基板110的前表面处”。[0184]（图9实施例）：“第一导电区20可以包括：非晶半导体(例如，非晶硅)、微晶体半导体(例如，微晶体硅)或者多晶半导体(例如，多晶硅)”。 | 对比文件公开了在前表面形成第一导电区（即前掺杂区），该区域可以是掺杂的非晶硅（如[0184]所示），并且直接设置在半导体基板前表面（或通过隧道化层，但隧道化层属于钝化层，不影响“设置在前表面上”的认定）。因此技术特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：后掺杂层，该后掺杂层被设置在所述半导体基板的所述后表面上<br>《直接公开》 | [0042]：“第二导电类型的第二导电区30（其与基极区10的第二导电类型相同，具有比基极区10更高掺杂浓度的第二导电掺杂剂）可以形成在半导体基板110的后表面处”。[0184]（图9实施例）同样适用于第二导电区30。 | 对比文件公开了在后表面形成第二导电区（后掺杂区），该区域可以是掺杂的非晶硅（如[0184]所示），并且直接设置在半导体基板后表面（或通过隧道化层）。因此技术特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：防反射层，该防反射层被设置在所述前掺杂层上并且具有第一厚度<br>《未公开》 | [0050]：“第一钝化膜22和防反射膜24顺序地形成在半导体基板110的前表面上，更精确地在形成在半导体基板110上的第一导电区20上形成”。[0057]：“防反射膜24可以具有单膜结构或多层膜结构，其根据从由包括氢的氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝…所构成的组中选择的至少一种形成”。[0186]-[0187]（图9实施例）：“第一透明导电层421可以形成在第一电极42与第一导电区20之间…防反射膜24可以包括具有比第一透明导电层421更低的折射率的电介质材料”。 | 对比文件中的防反射膜24是电介质层（如氮化硅），而非透明导电层；目标专利的防反射层是透明导电层且直接设置在前掺杂层上。对比文件中的防反射膜位于透明导电层或钝化膜之上，结构顺序不同，且未教导透明导电层作为防反射层。因此技术特征D未被公开。 |
| 技术特征E：前收集器电极，该前收集器电极被设置在所述防反射层上<br>《未公开》 | [0050]：“第一电极42与第一钝化膜22和防反射膜24接触地形成在第一导电区20处（即，经由贯穿第一钝化膜22和防反射膜24形成的开孔102）”。[0065]：“指状电极42a和汇流条电极42b可以贯穿第一钝化膜22和防反射膜24形成”。 | 对比文件中前收集器电极贯穿防反射膜并延伸到导电区，并非“设置在防反射层上”（即电极直接位于防反射层表面）。该结构属于贯穿接触，而非表面设置。因此技术特征E未被公开。 |
| 技术特征F：反射层，该反射层被设置在所述后掺杂层下面并且具有第二厚度<br>《未公开》 | [0062]：“第二电极44遍布半导体基板110的后表面形成，以使光可以被半导体基板110的后表面反射”。[0186]（图9实施例）：“第二透明导电层441可以形成在第二电极44与第二导电区30之间”。 | 对比文件中后表面的反射功能由第二电极（金属）或透明导电层实现，但反射层必须是透明导电层且具有特定功能。对比文件的第二透明导电层主要用于降低电阻，未明确作为反射层，且厚度未限定。因此技术特征F未被公开。 |
| 技术特征G：后收集器电极，该后收集器电极被设置在所述反射层下面<br>《未公开》 | [0062]：“第二电极44遍布半导体基板110的后表面形成”。[0186]（图9实施例）：“第二透明导电层441形成在第二电极44与第二导电区30之间”。 | 由于反射层（透明导电层）未被公开，后收集器电极的设置基础不存在。对比文件中后电极直接设置在导电区或钝化膜上，而非设置在反射层下面。因此技术特征G未被公开。 |
| 技术特征H：其中，所述防反射层和所述反射层各自由透明导电层形成<br>《未公开》 | [0057]（防反射膜24为电介质材料）。[0189]（图9实施例）：“第一透明导电层421可以包括铟锡氧化物(ITO)或碳纳米管(CNT)”。[0190]类似地第二透明导电层441。 | 对比文件中防反射层为电介质膜（非透明导电层），反射层未明确为透明导电层（尽管图9有透明导电层，但功能不同）。目标专利的防反射层和反射层均由透明导电层制成并分别承担防反射和反射功能，对比文件未公开此组合。因此技术特征H未被公开。 |
| 技术特征I：所述透明导电层包括能够控制所述透明导电层的电学特性和光学特性的氧；并且中，所述反射层的所述第二厚度小于所述防反射层的所述第一厚度<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及透明导电层中的氧含量控制，未提及防反射层与反射层的厚度比较。 | 对比文件未涉及通过氧含量调节透明导电层特性的内容，更未公开反射层厚度小于防反射层厚度的具体关系。因此技术特征I未被公开。 |
| 技术特征J：其中，所述防反射层的氧含量小于所述反射层的氧含量<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及防反射层和反射层（即前后透明导电层）的氧含量比较。 | 目标专利通过氧含量差异实现不同电学和光学特性，对比文件未公开任何关于氧含量差异的内容。因此技术特征J未被公开。 |
| 技术特征K：因而，所述反射层的吸光率小于所述防反射层的吸光率<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及吸光率的比较。 | 由于氧含量差异未被公开，吸光率差异也无法推导。因此技术特征K未被公开。 |
| 技术特征L：所述防反射层的薄膜电阻小于所述反射层的薄膜电阻；并且中，形成被配置为反射在进入所述防反射层之后通过所述晶体半导体基板透射的光的所述反射层的所述透明导电层的所述第二厚度为25nm至75nm<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及薄膜电阻比较，未提及反射层厚度25-75nm。 | 薄膜电阻差异和具体厚度范围均未出现。因此技术特征L未被公开。 |
| 技术特征M：其中，所述防反射层和所述反射层由相同的材料形成<br>《隐含公开》 | [0189]：“第一透明导电层421可以包括铟锡氧化物(ITO)或碳纳米管(CNT)”。[0190]：“第二透明导电层441的材料和形状可以类似于第一透明导电层421的材料和形状”。 | 对比文件图9实施例中，前后透明导电层均优选为ITO，本领域技术人员根据“类似”的教导可以合理推断出二者由相同材料（如ITO）形成。因此技术特征M被隐含公开。 |
| 技术特征N：其中，所述防反射层和所述反射层由如下的层形成：包含氧化铟In2O3作为主要成分并且包含锡Sn、锌Zn、钨W、铈Ce或氢H作为杂质的层<br>《直接公开》 | [0189]：“第一透明导电层421可以包括铟锡氧化物(ITO)”。 | ITO即为以In2O3为主要成分、包含Sn作为杂质的层，属于特征N中列举的一种具体方案。因此技术特征N被直接公开。 |
| 技术特征O：者包含氧化铟作为主要成分并且包含钛Ti和钽Ta中的至少一种作为杂质的层<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及含Ti或Ta的透明导电层材料。 | 对比文件未公开此类材料，无法直接或隐含得到。因此技术特征O未被公开。 |
| 技术特征P：者包含氧化锌ZnO作为主要成分并且包含铝Al、硼B或镓Ga作为杂质的层<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及氧化锌基透明导电层。 | 对比文件未公开此类材料。因此技术特征P未被公开。 |
| 技术特征Q：者包含氧化锡SnO2作为主要成分并且包含氟F作为杂质的层<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及氧化锡基透明导电层。 | 对比文件未公开此类材料。因此技术特征Q未被公开。 |
| 技术特征R：其中，所述前收集器电极和所述后收集器电极中的每一个包括多个指状电极和至少一个汇流条电极<br>《直接公开》 | [0065]：“第一电极42可以包括按均匀节距设置的多个指状电极42a…第一电极42还可以包括沿相交指状电极42a的方向形成的至少一个汇流条电极42b”。[0169]：“第二电极44可以具有与先前参照图1和2描述的第一电极42相同或相似的平坦形状”。 | 对比文件[0065]明确公开了前电极（第一电极）包括指状电极和汇流条电极。[0169]公开了双面结构下后电极（第二电极）具有相同形状，即也包括指状和汇流条电极。因此技术特征R被直接公开。 |
| 技术特征S：所述多个指状电极沿着第一方向延伸<br>《直接公开》 | [0065]：“指状电极42a…彼此平行，而且另外，平行于半导体基板110的边缘”。 | 指状电极沿一定方向（第一方向）延伸，对比文件明确教导它们彼此平行，即沿某方向延伸。因此技术特征S被直接公开。 |
| 技术特征T：所述至少一个汇流条电极沿着与所述第一方向正交的第二方向延伸并且物理连接到所述多个指状电极<br>《直接公开》 | [0065]：“第一电极42还可以包括沿相交指状电极42a的方向形成的至少一个汇流条电极42b，以相交指状电极42a”。 | 汇流条电极沿与指状电极相交（正交）的方向延伸，并物理连接指状电极。对比文件通过“相交”明确公开了该正交关系及物理连接。因此技术特征T被直接公开。 |
| 技术特征U：其中，所述防反射层的所述第一厚度为70nm至100nm<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及防反射层（或透明导电层）的厚度范围。 | 目标专利中防反射层（前透明导电层）厚度范围明确限定，对比文件未给出任何厚度数值。因此技术特征U未被公开。 |
| 技术特征V：该太阳能电池还包括：前钝化层，该前钝化层被设置在所述前掺杂层和所述半导体基板之间<br>《直接公开》 | [0180]（图9实施例）：“第一隧道化层52可以改进半导体基板110的前表面的钝化特性…第一隧道化层52可以包括：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、本征非晶半导体(例如，本征非晶硅)”。[0183]：“第一导电类型的第一导电区20…可以形成在第一隧道化层52上”。 | 对比文件图9实施例中，第一隧道化层52位于半导体基板和第一导电区（前掺杂层）之间，且作为钝化层（隧道化层相当于钝化层）。因此技术特征V被直接公开。 |
| 技术特征W：后钝化层，该后钝化层被设置在所述后掺杂层和所述半导体基板之间<br>《直接公开》 | [0185]：“第二隧道化层54的材料和厚度类似于第一隧道化层52的材料和厚度”。[0185]：“第二导电区30置于第二隧道化层54上”。 | 类似地，第二隧道化层54位于半导体基板和第二导电区（后掺杂层）之间，起到钝化作用。因此技术特征W被直接公开。 |
| 技术特征X：其中，所述前掺杂层和所述后掺杂层由包含杂质的非晶硅形成；并且中，所述前钝化层和所述后钝化层由本征非晶硅或隧穿氧化物形成<br>《直接公开》 | [0184]（前掺杂层/后掺杂层）：“第一导电区20可以包括：非晶半导体(例如，非晶硅)、微晶体半导体(例如，微晶体硅)或者多晶半导体(例如，多晶硅)…第一导电掺杂剂可以在形成半导体层时被包括”。[0180]（前钝化层/后钝化层）：“第一隧道化层52可以包括…本征非晶半导体(例如，本征非晶硅)…第一隧道化层52可以包括…氧化硅…”。[0185]第二隧道化层54类似。 | 对比文件明确教导前掺杂层和后掺杂层可以由非晶硅形成且包含杂质（掺杂剂）；前钝化层和后钝化层可以由本征非晶硅或隧穿氧化物（氧化硅）形成。因此技术特征X的两种方案均被直接公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体基板的所述前表面和所述后表面中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面<br>《直接公开》 | [0032]：“半导体基板110的前表面和/或后表面可以被纹理化，以使半导体基板110的前表面和/或后表面具有凹凸形状。例如，该凹凸形状可以是形成在半导体基板110的(111)表面处的锥体形状，具有不规则尺寸”。 | 对比文件直接公开了半导体基板前表面和/或后表面可以形成纹理化表面（凹凸形状、锥体形状）。因此技术特征Y被直接公开。 |
| 技术特征Z：其中，所述防反射层和所述反射层中的每一个被形成为包括多个细小的不平坦部分的纹理化表面<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及防反射层和反射层（透明导电层）的表面纹理化特征。 | 尽管对比文件公开了基板纹理化，但未涉及防反射层和反射层的表面形貌。目标专利中透明导电层在纹理化基板上形成而具有纹理，但对比文件未明确公开或隐含该特征。因此技术特征Z未被公开。 |
## 公开性代码总结
根据上述特征比对表格，被直接公开或隐含公开的技术特征对应的代码（大写直接公开，小写隐含公开）如下：
- 技术特征A直接公开：<<<A>>>
- 技术特征B直接公开：<<<B>>>
- 技术特征C直接公开：<<<C>>>
- 技术特征M隐含公开：<<<m>>>
- 技术特征N直接公开：<<<N>>>
- 技术特征R直接公开：<<<R>>>
- 技术特征S直接公开：<<<S>>>
- 技术特征T直接公开：<<<T>>>
- 技术特征V直接公开：<<<V>>>
- 技术特征W直接公开：<<<W>>>
- 技术特征X直接公开：<<<X>>>
- 技术特征Y直接公开：<<<Y>>>
其余技术特征（D、E、F、G、H、I、J、K、L、O、P、Q、U、Z）未被对比文件直接或隐含公开，因此不插入任何代码。