对比文件名称：2013-02-28_US2013049030A_发明申请_US20130049030A1 LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE
目标专利名称：1669发光器件和包括发光器件的发光器件封装CN105098104B
本次调用的模型名称：通义千问
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：衬底<br>《直接公开》 | [0064] “支撑衬底70可以包括选自Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu‑W和掺杂杂质的半导体衬底（即Si、Ge、GaN、GaAs、ZnO、SiC或SiGe）中的至少一种。”<br>并参见[0024] “发光结构可以设置在支撑衬底70上。” | 对比文件明确公开了用于支撑多个发光结构的支撑衬底，该衬底相当于目标专利中承载发光单元的衬底，作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征B：多个发光单元，沿第一方向布置在所述衬底上<br>《直接公开》 | [0024] “第一发光结构10、第二发光结构20、第三发光结构30……”并参考图1，多个发光结构在衬底70上沿横向（即第一方向）排列。 | 对比文件公开了多个发光结构（相当于发光单元）沿横向间隔布置在支撑衬底上，直接对应于目标专利中多个发光单元沿第一方向布置在衬底上。 |
| 技术特征C：至少一个连接电极，用于连接所述发光单元<br>《直接公开》 | [0050] “第一接触部分43将第一导电型第一半导体层11电连接到第二反射电极27。”<br>[0055] “第二接触部分53将第一导电型第三半导体层21电连接到第三反射电极37。” | 对比文件中的接触部分（第一接触部分、第二接触部分）用作电连接相邻发光单元的电极，其功能与目标专利的连接电极完全相同，直接公开。 |
| 技术特征D：第一绝缘层，布置在由所述连接电极连接的相邻发光单元与所述至少一个连接电极之间<br>《直接公开》 | [0053] “第一绝缘层41设置在第一接触部分43与第二导电型第二半导体层13之间。”<br>[0054] “第二绝缘层45设置在第一接触部分43与第一导电型第三半导体层21之间。”<br>[0058] “第四绝缘层51设置在第二接触部分53与第二导电型第四半导体层23之间。” | 对比文件在相邻发光单元之间设置了绝缘层（第一、第二、第四绝缘层），这些绝缘层位于接触部分（连接电极）与相邻发光结构的半导体层之间，用于电隔离，作用与目标专利的第一绝缘层相同，直接公开。 |
| 技术特征E：每个所述发光单元包括：发光结构，包括从衬底起依次堆叠的第一导电型半导体层(122)、有源层(124)和第二导电型半导体层(126)<br>未公开 | [0025] “第一发光结构10包括第一导电型第一半导体层11、第一有源层12和第二导电型第二半导体层13。第一有源层12设置在第一导电型第一半导体层11与第二导电型第二半导体层13之间……第二导电型第二半导体层13设置在第一有源层12下方。”<br>结合[0024]发光结构设置在支撑衬底70上（支撑衬底70在底部）。从衬底到顶部，实际层序为：第二导电型半导体层、有源层、第一导电型半导体层。 | 对比文件最终产品中，从支撑衬底开始的层堆叠顺序是“第二导电型/有源层/第一导电型”，与目标专利要求的“第一导电型/有源层/第二导电型”相反。虽然生长时顺序相同，但最终结构因翻转而改变，且衬底性质不同。本领域技术人员无法直接或隐含地从对比文件得到目标专利的特定层序，因此未公开。 |
| 技术特征F：反射层(132,134)，布置在所述第二导电型半导体层上<br>未公开 | [0035] “第一反射电极17设置在第一发光结构10下方。”<br>[0040] “第二反射电极27设置在第二发光结构20下方。” | 对比文件中反射电极位于第二导电型半导体层的下方（远离出光面），而非目标专利所要求的“在第二导电型半导体层上”（远离衬底一侧）。位置相反，因此未公开。 |
| 技术特征G：其中所述至少一个连接电极将所述相邻发光单元中的第一发光单元的所述第一导电型半导体层连接到所述相邻发光单元中的第二发光单元的所述反射层<br>《直接公开》 | [0050] “第一接触部分43电连接第一导电型第一半导体层11到第二反射电极27。”<br>[0055] “第二接触部分53电连接第一导电型第三半导体层21到第三反射电极37。” | 对比文件明确公开了接触部分（连接电极）将第一发光单元的第一导电型半导体层连接至相邻第二发光单元的反射电极，连接关系和技术手段一致，直接公开。 |
| 技术特征H：其中，在所述相邻发光单元中的每一个发光单元中，在所述第一方向上所述第二导电型半导体层(126)的第一宽度(W1)等于或大于在所述第一方向上所述反射层(132)的第三宽度(W3)<br>未公开 | 对比文件全文未提及第二导电型半导体层宽度与反射层宽度之间的关系，附图中也未明确标示或暗示该特定大小关系。 | 对比文件没有任何文字或图示教导，也没有记载相关宽度参数。本领域技术人员无法直接或合理推断出上述宽度关系，因此未公开。 |
| 技术特征I：所述第一方向不同于所述发光结构的厚度方向；并且所述多个发光单元中的每一个包括布置在所述第一方向上的每一个发光单元宽度的中心的至少一个电极孔以暴露出所述第一导电类型半导体层的一部分<br>未公开 | [0050] “第一接触部分43与第一导电型第一半导体层11的内部分接触。”<br>然而，对比文件并未公开在每个发光单元宽度中心设置电极孔，接触部分通过与发光结构边界处的开口接触，而非通过单元内部的电极孔。 | 对比文件未公开“电极孔”这一结构，也未公开电极孔位于发光单元宽度中心。虽然第一方向不同于厚度方向是公知，但核心的电极孔特征缺失，因此整体未公开。 |
| 技术特征J：使得所述连接电极穿过所述电极孔以将所述相邻发光单元中的第一发光单元的所述第一导电型半导体层连接到所述相邻发光单元中的第二发光单元的所述反射层<br>未公开 | 对比文件无对应内容。接触部分形成在相邻发光结构之间的区域，不穿过发光单元内部的电极孔。 | 特征I未公开，故基于该孔的特征J也未公开。对比文件没有连接电极穿过电极孔的结构。 |
| 技术特征K：其中每个所述发光单元还包括布置在所述反射层与所述第二导电型半导体层之间的导电层(142,144)<br>《直接公开》 | [0035] “第一欧姆接触层15设置在第一反射电极17和第一发光结构10之间。”<br>[0036] “第一欧姆接触层15可以包括透明导电氧化物层，例如ITO、IZO等。” | 对比文件中的欧姆接触层（15、25、35）位于反射电极和第二导电型半导体层之间，具有导电功能，相当于目标专利的导电层，直接公开。 |
| 技术特征L：所述导电层具有透光性<br>《直接公开》 | [0036] “第一欧姆接触层15可以包括透明导电氧化物层，例如ITO、IZO、AZO等。” | 对比文件明确欧姆接触层为透明导电材料，具有透光性，直接公开。 |
| 技术特征M：其中在所述第一方向上所述第二导电型半导体层(126)的所述第一宽度(W1)、在所述第一方向上所述反射层(132)的所述第三宽度(W3)、以及在所述第一方向上所述导电层(142)的的第二宽度(W2)满足以下关系之一<br>未公开 | 对比文件未提及任何上述宽度的关系。 | 对比文件没有任何关于第一、第二、第三宽度之间关系的描述或暗示，因此未公开。 |
| 技术特征N：所述第一宽度、所述第二宽度和所述第三宽度是相同的<br>未公开 | 对比文件无记载。 | 对比文件没有公开宽度相等的技术内容。 |
| 技术特征O：在所述第一方向上所述导电层的所述第一宽度、所述第二宽度或所述第三宽度至少之一相互不同<br>未公开 | 对比文件无记载。 | 对比文件没有公开任何宽度不同的关系。 |
| 技术特征P：所述第二宽度等于或大于所述第三宽度<br>未公开 | 对比文件无记载。 | 对比文件没有公开导电层宽度与反射层宽度之间的关系。 |
| 技术特征Q：所述第一宽度与所述第二宽度相同<br>未公开 | 对比文件无记载。 | 对比文件没有公开第二导电型半导体层宽度与导电层宽度相同。 |
| 技术特征R：所述第一宽度大于所述第二宽度<br>未公开 | 对比文件无记载。 | 对比文件没有公开第一宽度大于第二宽度。 |
| 技术特征S：所述第一宽度(W1)等于或大于所述第二宽度(W2)，且所述第二宽度(W2)等于或大于所述第三宽度(W3)<br>未公开 | 对比文件无记载。 | 对比文件没有公开该层级宽度关系。 |
| 技术特征T：所述第一宽度(W1)大于所述第二宽度(W2)，且所述第二宽度(W2)等于或大于所述第三宽度(W3)<br>未公开 | 对比文件无记载。 | 对比文件没有公开该组合关系。 |
| 技术特征U：其中所述反射层欧姆接触所述第二导电型半导体层<br>《直接公开》 | [0125] “第一欧姆反射电极16可以同时执行第一反射电极17和第一欧姆接触层15的功能，并且欧姆接触第二导电型第二半导体层13。” | 对比文件公开了欧姆反射电极直接与第二导电型半导体层形成欧姆接触的实施例，直接公开了反射层欧姆接触第二导电型半导体层的特征。 |
| 技术特征V：所述第一宽度(W1)等于或大于所述第三宽度(W3)<br>未公开 | 同特征H，对比文件无记载。 | 同特征H，未公开。 |
| 技术特征W：其中所述反射层具有多层结构<br>《直接公开》 | [0037] “第二反射电极27可以形成为多层结构（a multiple structure），例如使用金属或合金与透明导电材料的多层。” | 对比文件明确记载反射电极可为多层结构，直接公开了反射层具有多层结构。 |
| 技术特征X：该多层结构包括：反射光的第一层<br>未公开 | [0037]虽提及多层结构，但未具体说明各层的功能分工。未描述哪一层用于反射光。 | 对比文件未公开多层结构中专门用于反射光的第一层，也未公开反射层具有明确的功能分层。 |
| 技术特征Y：用作阻挡层的第二层<br>未公开 | 对比文件中扩散阻挡层（如第一扩散阻挡层19）独立于反射电极设置，并非反射层多层结构的一部分。 | 对比文件未公开反射层多层结构中的阻挡层。 |
| 技术特征Z：用作钝化粘附增强层的第三层<br>未公开 | 对比文件无对应内容。 | 对比文件未公开反射层多层结构中的钝化粘附增强层。 |
## 公开性代码
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、D、G、K、L、U、W，因此输出以下大写代码：
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<G>>><<<K>>><<<L>>><<<U>>><<<W>>>
未发现对比文件隐含公开任何其他技术特征，故不输出小写代码。