对比文件名称：2013-07-11_KR1020130079941A_发明公开_KR1020130079941A 발광 소자 및 이를 구비한 발광 장치
目标专利名称：1669发光器件和包括发光器件的发光器件封装CN105098041B
本次调用的模型名称：GPT-4
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（段落标号及翻译内容） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括衬底（直接公开） | [0026]“透光性基板(111)” | 对比文件明确公开了透光性基板，作为衬底使用，直接公开。 |
| 技术特征B：多个发光单元，沿第一方向布置在所述衬底上（隐含公开） | [0026]“在所述透光性基板(111)上布置有多个发光单元(A1,A2)” | 对比文件公开了多个发光单元设置于衬底上，虽然未明确指定“第一方向”，但发光单元在衬底上的排列必然具有某一方向，本领域技术人员可合理推断该特征，故隐含公开。 |
| 技术特征C：至少一个连接电极，用于连接所述发光单元（直接公开） | [0052]“所述布线层(142)连接相邻发光单元” | 对比文件中的布线层（相当于连接电极）明确用于连接相邻发光单元，直接公开。 |
| 技术特征D：第一绝缘层，布置在由所述连接电极连接的相邻发光单元与所述至少一个连接电极之间（直接公开） | [0052]“所述布线层(142)与所述第二发光单元(A2)之间设置有绝缘层(133)” | 对比文件公开了绝缘层设置在布线层与发光单元之间，起到电绝缘作用，与目标专利的第一绝缘层结构和作用相同，直接公开。 |
| 技术特征E：每个发光单元包括发光结构，该发光结构包括从衬底起依次堆叠的第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层（直接公开） | [0035]“所述发光结构(120)包括第一导电型半导体层(115)、有源层(117)、第二导电型半导体层(119)” | 对比文件明确描述了发光结构的层叠顺序为第一导电型半导体层、有源层、第二导电型半导体层，与目标专利一致，直接公开。 |
| 技术特征F：反射层，布置在所述第二导电型半导体层上（直接公开） | [0044]“反射电极层(131)形成在所述第二导电型半导体层(119)上” | 对比文件公开了反射电极层直接设置于第二导电型半导体层之上，功能为反射光，直接公开。 |
| 技术特征G：所述至少一个连接电极将所述相邻发光单元中的第一发光单元的所述第一导电型半导体层连接到所述相邻发光单元中的第二发光单元的所述反射层（直接公开） | [0052]“所述布线层(142)的第一端接触所述第一发光单元(A1)的第一导电型半导体层(115)，第二端连接所述第二发光单元(A2)的反射电极层(131)” | 对比文件明确公开了布线层连接一个发光单元的第一导电型半导体层和另一发光单元的反射电极层，与目标专利的连接方式相同，直接公开。 |
| 技术特征H：在所述相邻发光单元中的每一个发光单元中，在所述第一方向上所述第二导电型半导体层的第一宽度等于或大于在所述第一方向上所述反射层的第三宽度（未公开） | 无 | 对比文件虽公开了第二导电型半导体层和反射层的存在，但未提及任何关于第一方向上层宽度的比较关系，本领域技术人员无法直接或隐含推导出该限定，故未公开。 |
| 技术特征I：所述第一方向不同于所述发光结构的厚度方向；并且所述多个发光单元中的每一个包括布置在所述第一方向上的每一个发光单元宽度的中心的至少一个电极孔以暴露出所述第一导电型半导体层的一部分（未公开） | 无 | 对比文件未描述任何电极孔结构，其发光单元中第一导电型半导体层的暴露是通过台面蚀刻形成露出区域，而非在单元中心设置通孔，也未提及电极孔位于宽度中心，故未公开。 |
| 技术特征J：使得所述连接电极穿过所述电极孔以将所述相邻发光单元中的第一发光单元的所述第一导电型半导体层连接到所述相邻发光单元中的第二发光单元的所述反射层（未公开） | 无 | 该特征依赖于技术特征I，对比文件没有电极孔，因此连接电极不穿过任何电极孔，未公开。 |
| 技术特征K：其中每个所述发光单元还包括布置在所述反射层与所述第二导电型半导体层之间的导电层（直接公开） | [0047]“所述反射电极层(131)可以包括透光性电极层/反射层的堆叠结构” | 对比文件公开了反射电极层包含位于反射层下方的透光性电极层，该透光性电极层即相当于目标专利中的导电层，直接公开。 |
| 技术特征L：所述导电层具有透光性（直接公开） | [0047]“透光性电极层” | 对比文件明确记载该电极层为透光性，具有透光功能，直接公开。 |
| 技术特征M：其中在所述第一方向上所述第二导电型半导体层的所述第一宽度、在所述第一方向上所述反射层的所述第三宽度、以及在所述第一方向上所述导电层的第二宽度满足以下关系之一（未公开） | 无 | 对比文件未公开任何关于第一宽度、第二宽度、第三宽度之间的关系，也未公开可以满足任一关系的方式，故未公开。 |
| 技术特征N：所述第一宽度、所述第二宽度和所述第三宽度是相同的（未公开） | 无 | 对比文件未提及宽度相等的限定，未公开。 |
| 技术特征O：在所述第一方向上所述导电层的所述第一宽度、所述第二宽度或所述第三宽度至少之一相互不同（未公开） | 无 | 对比文件未提及宽度不同的情况，未公开。 |
| 技术特征P：所述第二宽度等于或大于所述第三宽度（未公开） | 无 | 对比文件未公开导电层宽度与反射层宽度的比较关系，未公开。 |
| 技术特征Q：所述第一宽度与所述第二宽度相同（未公开） | 无 | 对比文件未公开此关系，未公开。 |
| 技术特征R：所述第一宽度大于所述第二宽度（未公开） | 无 | 对比文件未公开此关系，未公开。 |
| 技术特征S：所述第一宽度等于或大于所述第二宽度，且所述第二宽度等于或大于所述第三宽度（未公开） | 无 | 对比文件未公开此关系，未公开。 |
| 技术特征T：所述第一宽度大于所述第二宽度，且所述第二宽度等于或大于所述第三宽度（未公开） | 无 | 对比文件未公开此关系，未公开。 |
| 技术特征U：其中所述反射层欧姆接触所述第二导电型半导体层（直接公开） | [0046]“所述反射层的金属可以在所述第二导电型半导体层下欧姆接触” | 对比文件明确提到反射层金属可与第二导电型半导体层形成欧姆接触，直接公开。 |
| 技术特征V：所述第一宽度等于或大于所述第三宽度（未公开） | 无 | 同特征H，对比文件未公开此宽度关系，未公开。 |
| 技术特征W：其中所述反射层具有多层结构（直接公开） | [0044]“所述反射电极层(131)可以以……多层结构形成” [0046]具体描述了多层构成 | 对比文件公开了反射电极层可包含多层，如欧姆接触层、反射层、扩散防止层、保护层等，直接公开多层结构。 |
| 技术特征X：该多层结构包括反射光的第一层（直接公开） | [0046]“所述反射层……用于反射光” | 对比文件中的反射层即为用于反射光的第一层，直接公开。 |
| 技术特征Y：用作阻挡层的第二层（直接公开） | [0046]“扩散防止层” | 对比文件中的扩散防止层用于阻挡层间扩散，相当于阻挡层，直接公开。 |
| 技术特征Z：用作钝化粘附增强层的第三层（直接公开） | [0046]“保护层” | 对比文件中的保护层用于钝化和增强粘附，相当于钝化粘附增强层，直接公开。 |
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