对比文件名称：2013-05-01_EP2587542A_发明公开_EP2587542A1 Light emitting device and light emitting device package
目标专利名称：1669发光器件和包括发光器件的发光器件封装CN105098041B
本次调用的模型名称：ChatGPT-4
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括衬底。《直接公开》 | [0028]：“发光器件100包括衬底110”。 | 对比文件明确记载了衬底，与目标专利的衬底相同，作用均为提供支撑和生长基础，因此直接公开。 |
| 技术特征B：多个发光单元，沿第一方向布置在所述衬底上。《直接公开》 | [0028]：“发光结构120被划分为多个发光区域P1至Pn（其中n为大于1的自然数）”；[0042]：“发光结构120可包括多个彼此间隔的发光区域P1至Pn”。结合图1，多个发光区域沿水平方向（即第一方向）排列。 | 对比文件的发光区域即发光单元，且从附图可明确看出其沿一个方向布置在衬底上，直接公开了本特征。 |
| 技术特征C：至少一个连接电极，用于连接所述发光单元。《直接公开》 | [0052]：“连接电极160-1至160-m（m=8）设置在第一次分布布拉格反射层140-1上，并将发光区域P1至Pn串联电连接”。 | 对比文件的连接电极用于串联连接发光单元，功能与目标专利相同，直接公开。 |
| 技术特征D：第一绝缘层，布置在由所述连接电极连接的相邻发光单元与所述至少一个连接电极之间。《直接公开》 | [0060]：“第一DBR层140-1可设置在第k连接电极（例如160-1）与导电层130之间，设置在第k连接电极的第二部分102与第二导电型半导体层126之间，以及第二部分102与有源层124之间”。第一DBR层为绝缘材料。 | 对比文件的第一DBR层作为绝缘层位于连接电极与发光单元之间，起到电绝缘作用，与目标专利的第一绝缘层作用相同，直接公开。 |
| 技术特征E：其中每个所述发光单元包括：发光结构，包括从衬底起依次堆叠的第一导电型半导体层(122)、有源层(124)和第二导电型半导体层(126)。《直接公开》 | [0031]：“发光结构120可包括第一导电型半导体层122、有源层124和第二导电型半导体层126，顺序堆叠在衬底110上”。 | 对比文件明确公开了该堆叠结构，各层名称和顺序均一致，直接公开。 |
| 技术特征F：反射层(132,134)，布置在所述第二导电型半导体层上。《直接公开》 | [0045]：“第一次分布式布拉格反射层140-1位于发光区域P1至Pn上”；该层被明确称为“反射层”，且位于第二导电型半导体层上（通过导电层间接）。 | 对比文件的第一DBR层是反射层，布置在第二导电型半导体层上方（经导电层），功能为反射光，直接公开。 |
| 技术特征G：其中所述至少一个连接电极将所述相邻发光单元中的第一发光单元的所述第一导电型半导体层连接到所述相邻发光单元中的第二发光单元的所述反射层。《未公开》 | [0053]：“每个连接电极（例如160-1）可将一个发光区域（例如P1）的导电层130电连接到另一个发光区域（例如P2）的第一导电型半导体层122”；[0054]：“另一方案中不含导电层时，连接电极将第一发光区域的第二导电型半导体层连接到第二发光区域的第一导电型半导体层”。 | 对比文件的连接电极连接的是导电层（或第二导电型）到第一导电型，而非第一导电型到反射层。连接目标（反射层）完全不同，且对比文件的反射层（DBR）为绝缘体，无法作为电连接对象。因此未公开。 |
| 技术特征H：其中，在所述相邻发光单元中的每一个发光单元中，在所述第一方向上所述第二导电型半导体层(126)的第一宽度(W1)等于或大于在所述第一方向上所述反射层(132)的第三宽度(W3)。《未公开》 | 对比文件全文未涉及任何关于第二导电型半导体层宽度与反射层宽度的比较关系。 | 目标专利明确限定了宽度关系，对比文件没有公开任意宽度数值或比例，也未给出任何暗示。因此未公开。 |
| 技术特征I：所述第一方向不同于所述发光结构的厚度方向；并且中所述多个发光单元中的每一个包括布置在所述第一方向上的每一个发光单元宽度的中心的至少一个电极孔以暴露出所述第一导电类型半导体层的一部分。《未公开》 | [0059]：“第k连接电极（例如160-1）可包括至少一个第二部分（例如102），该部分穿过第一DBR层、导电层130、第二导电型半导体层126和有源层124，并接触第一导电型半导体层122”。未提及电极孔位于宽度中心。 | 对比文件虽形成接触第一导电型的孔，但未公开孔位于发光单元宽度中心，也未公开“第一方向不同于厚度方向”这一关系（该关系隐含，但孔位特征未公开）。因此未公开。 |
| 技术特征J：使得所述连接电极穿过所述电极孔以将所述相邻发光单元中的第一发光单元的所述第一导电型半导体层连接到所述相邻发光单元中的第二发光单元的所述反射层。《未公开》 | 基于G和I的未公开，本特征无法成立。 | 连接电极穿过孔连接的目标是反射层，而对比文件的连接电极不连接反射层，且孔位未明确，故未公开。 |
| 技术特征K：其中每个所述发光单元还包括布置在所述反射层与所述第二导电型半导体层之间的导电层(142,144)。《直接公开》 | [0044]：“导电层130设置在第二导电型半导体层126上”；[0045]：“第一次分布式布拉格反射层140-1位于发光区域P1至Pn上”。因此导电层位于第二导电型与第一DBR层（反射层）之间。 | 对比文件的导电层确切地布置在第二导电型半导体层与反射层（第一DBR）之间，目标专利的导电层位置相同，均用于透光和电流扩散，直接公开。 |
| 技术特征L：所述导电层具有透光性。《直接公开》 | [0044]：“导电层130减少全反射并展示优异的透射比”。 | 对比文件明确记载导电层具有高透射性，直接公开。 |
| 技术特征M：其中在所述第一方向上所述第二导电型半导体层(126)的所述第一宽度(W1)、在所述第一方向上所述反射层(132)的所述第三宽度(W3)、以及在所述第一方向上所述导电层(142)的第二宽度(W2)满足以下关系之一。《未公开》 | 对比文件全文未公开任何有关第一宽度、第二宽度、第三宽度的定义或关系。 | 目标专利限定了三个宽度之间的多种关系，对比文件没有任何宽度数值或相对大小关系的记载，也未暗示。因此未公开。 |
| 技术特征N：所述第一宽度、所述第二宽度和所述第三宽度是相同的。《未公开》 | 基于M的未公开，本具体关系未公开。 | 同理，未公开。 |
| 技术特征O：在所述第一方向上所述导电层的所述第一宽度、所述第二宽度或所述第三宽度至少之一相互不同。《未公开》 | 无相关公开。 | 未公开。 |
| 技术特征P：所述第二宽度等于或大于所述第三宽度。《未公开》 | 无相关公开。 | 未公开。 |
| 技术特征Q：所述第一宽度与所述第二宽度相同。《未公开》 | 无相关公开。 | 未公开。 |
| 技术特征R：所述第一宽度大于所述第二宽度。《未公开》 | 无相关公开。 | 未公开。 |
| 技术特征S：所述第一宽度(W1)等于或大于所述第二宽度(W2)，且所述第二宽度(W2)等于或大于所述第三宽度(W3)。《未公开》 | 无相关公开。 | 未公开。 |
| 技术特征T：所述第一宽度(W1)大于所述第二宽度(W2)，且所述第二宽度(W2)等于或大于所述第三宽度(W3)。《未公开》 | 无相关公开。 | 未公开。 |
| 技术特征U：其中所述反射层欧姆接触所述第二导电型半导体层。《未公开》 | [0047]：“第一DBR层140-1可以是电绝缘材料”。 | 对比文件的第一DBR层为绝缘体，无法实现欧姆接触，且未公开任何欧姆接触层。因此未公开。 |
| 技术特征V：所述第一宽度(W1)等于或大于所述第三宽度(W3)。《未公开》 | 同H，对比文件无宽度关系公开。 | 未公开。 |
| 技术特征W：其中所述反射层具有多层结构。《直接公开》 | [0047]：“第一次分布式布拉格反射层140-1可具有至少一个第一层和至少一个第二层交替堆叠至少一次的结构”。 | 对比文件的第一DBR层明确为交替堆叠的多层结构，直接公开。 |
| 技术特征X：该多层结构包括：反射光的第一层。《隐含公开》 | [0047]：“至少一个第一层和至少一个第二层交替堆叠，第一层与第二层折射率不同”。该多层结构整体用于反射光，第一层作为组成部分必然参与反射。 | 本领域技术人员可以合理推断，DBR多层结构中的第一层（靠近发光结构）用于反射光，以实现高反射率。虽未明确文字描述，但隐含公开。 |
| 技术特征Y：用作阻挡层的第二层。《未公开》 | 对比文件未描述任何层具有阻挡层功能。 | 目标专利的阻挡层用于防止金属扩散等，对比文件的介电层无此功能描述，未公开。 |
| 技术特征Z：用作钝化粘附增强层的第三层。《未公开》 | 对比文件未描述任何层具有钝化粘附增强功能。 | 目标专利的第三层用于钝化和增强粘附，对比文件未公开。 |
## 公开性代码输出
根据上述判断，对比文件直接公开的技术特征及其代码为：A、B、C、D、E、F、K、L、W；隐含公开的技术特征为：X。
因此，输出代码如下：
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<F>>><<<K>>><<<L>>><<<W>>><<<x>>>