**对比文件名称：** 2002-09-27_JP2002280873A_发明专利_JP2002280873A Piezoelectric element
**目标专利名称：** 1671形成导电网格图案的方法及由其制造的网格电极和层叠体（CN105980935B）
**本次调用的模型名称：** DeepSeek（V2.5）
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：a)在包括导电层的基板的导电层上形成第一正型光敏材料层<br>判断：未公开 | [0044]“その表面上には、銀（Ａｇ）の薄膜からなる表面電極を、裏面上の同位置に同形状の裏面電極を各々形成している。”<br>（中文翻译：在其表面上，形成由银（Ag）薄膜构成的表面电极，在背面的相同位置各自形成相同形状的背面电极。） | 对比文件仅公开了在压电基板上形成银薄膜作为电极（导电层），并未公开任何在导电层上形成光敏材料层的步骤，更未提及“正型光敏材料”或“第一光敏材料层”。因此，该技术特征未被对比文件直接或隐含公开。 |
| **技术特征B**：b-1)在使刻有线形图案的透明光掩模与所述第一正型光敏材料层的上表面接触之后，将紫外线照射至所述透明光掩模上<br>判断：未公开 | 对比文件全文未涉及任何光掩模、线形图案、紫外线曝光步骤或光敏材料层。 | 对比文件的主题是压电元件的电极形状设计，完全不涉及使用透明光掩模进行光刻的工艺。没有关于“刻有线形图案的透明光掩模”、“接触曝光”或“紫外线照射”的任何记载，本领域技术人员无法从对比文件中获得该技术特征的任何教导。 |
| **技术特征C**：b-2)去除所述透明光掩模，使用显影剂使所述第一正型光敏材料层显影，并形成第一正型光敏材料图案层<br>判断：未公开 | 对比文件全文未涉及显影剂、显影工艺或光敏材料图案层。 | 对比文件无任何关于光刻显影步骤或形成光敏材料图案的内容。该特征涉及典型的光刻显影工艺，在对比文件中完全没有对应或暗示。 |
| **技术特征D**：b-3)固化所形成的第一正型光敏材料图案层<br>判断：未公开 | 对比文件全文未涉及光敏材料图案层的固化步骤。 | 对比文件未提及任何固化工艺。目标专利中的固化是确保光敏材料图案在后续工艺中稳定的关键步骤，而对比文件无任何相关描述。 |
| **技术特征E**：c)在具有所述第一正型光敏材料图案层的所述导电层上形成第二正型光敏材料层<br>判断：未公开 | 对比文件全文未涉及第二光敏材料层或任何重叠涂布工艺。 | 对比文件未公开在已有图案化光敏层的导电层上再次涂布光敏材料层的步骤，也没有任何关于多次形成光敏材料层的教导。 |
| **技术特征F**：d)使所述刻有线形图案的透明光掩模与所述第二正型光敏材料层的上表面接触，使得所述第一正型光敏材料图案层的线形图案与该透明光掩模的线形图案交叉而在所述导电层上形成第二正型光敏材料图案层<br>判断：未公开 | 对比文件全文未涉及第二次曝光、光掩模交叉对准或形成交叉图案。 | 该特征是目标专利的核心，即通过两次交叉曝光形成网格图案。对比文件仅涉及单一电极形状的优化，完全没有提及任何关于两次曝光、交叉线形图案或形成网格结构的内容。 |
| **技术特征G**：e)蚀刻所述导电层上未形成所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层的部分<br>判断：未公开 | 对比文件全文未涉及蚀刻工艺或使用光敏图案作为蚀刻掩模。 | 对比文件未公开任何蚀刻步骤，也没有将光敏材料图案作为掩模来图形化导电层的教导。其电极可能通过其他方式（如直接沉积）形成，但未进行具体说明。 |
| **技术特征H**：f)去除所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层以制造导电网格图案，其中，所述导电网格图案的线宽是100nm以上900nm以下<br>判断：未公开 | [0044]形成银薄膜电极；[0045]“電極１２の厚みを０．３μｍ、ｚ軸方向の幅ｗを３ｍｍ”<br>（中文翻译：电极厚度0.3μm，z轴方向宽度w为3mm） | 对比文件中的电极宽度为3mm（毫米级），而目标专利中导电网格图案线宽为100nm-900nm（纳米级），两者数量级完全不同。对比文件未公开网格结构，也未提及次微米线宽。去除光敏材料层制造导电网格的步骤在对比文件中完全不存在。 |
| **技术特征I**：该方法还包括，在步骤d)之后，在其上形成有所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层的所述导电层上形成第三正型光敏材料层<br>判断：未公开 | 对比文件全文未涉及第三次形成光敏材料层。 | 对比文件未公开任何形成多层光敏材料层的工艺，尤其是作为附加步骤的第三光敏材料层，该特征属于目标专利的进一步细化，对比文件无任何暗示。 |
| **技术特征J**：在所述导电层上形成第三正型光敏材料图案层<br>判断：未公开 | 对比文件全文未涉及第三光敏材料图案层。 | 同技术特征I，对比文件无形成第三光敏材料图案层的任何内容。 |
| **技术特征K**：其中，所述透明光掩模的线形图案的线宽是2μm以上500μm以下<br>判断：未公开 | 对比文件全文未涉及透明光掩模或其线形图案的尺寸参数。 | 对比文件未提及光掩模，因此对该特征的任何尺寸限定均未公开。 |
| **技术特征L**：其中，所述导电层包含银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)和铂(Pt)中的至少一种金属或其中两种以上金属的合金<br>判断：**直接公开** | [0044]“銀（Ａｇ）の薄膜からなる表面電極”<br>（中文翻译：由银（Ag）薄膜构成的表面电极） | 对比文件明确公开了导电层（电极）由银（Ag）形成。银是权利要求L所列举的金属之一，因此对比文件直接公开了导电层包含银这一技术方案。本领域技术人员可毫无疑义地确定其公开了银。其他金属虽未具体公开，但权利要求L为选择项，对比文件公开了其中一项即构成直接公开。 |
| **技术特征M**：其中，所述导电层包括透明金属氧化物<br>判断：未公开 | 对比文件全文未涉及任何透明金属氧化物。 | 对比文件中的导电层为银（金属），而非透明金属氧化物。该特征未被公开。 |
| **技术特征N**：其中，所述导电层包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铝锌-银-氧化铝锌(AZO-Ag-AZO)、氧化铟锌-银-氧化铟锌(IZO-Ag-IZO)、氧化铟锡-银-氧化铟锡(ITO-Ag-ITO)、和氧化铟锌锡-银-氧化铟锌锡(IZTO-Ag-IZTO)中的至少一种<br>判断：未公开 | 对比文件全文未涉及此类透明金属氧化物复合材料。 | 对比文件仅提及金属银，未公开任何透明金属氧化物或其多层结构，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征O**：其中，所述透明光掩模包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、环烯烃共聚物(COP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或其共聚物中的至少一种<br>判断：未公开 | 对比文件全文未涉及光掩模材料。 | 对比文件未提及任何透明光掩模，更未涉及具体材料，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征P**：其中，所述导电层的厚度是5nm以上10μm以下<br>判断：**直接公开** | [0045]“電極１２の厚みを０．３μｍ”<br>（中文翻译：电极12的厚度为0.3μm） | 对比文件明确公开了电极（导电层）的厚度为0.3μm（即300nm）。该数值完全落入权利要求P的数值范围（5nm-10μm）之内，因此本领域技术人员可以毫无疑义地认为对比文件直接公开了该技术特征的一个具体实施方案。 |
| **技术特征Q**：其中，所述第一正型光敏材料层和所述第二正型光敏材料层的厚度分别是0.01μm以上10μm以下<br>判断：未公开 | 对比文件全文未涉及任何光敏材料层。 | 对比文件未公开光敏材料层的存在，因此其厚度特征无从谈起，未被公开。 |
| **技术特征R**：其中，所述步骤b-1)和d)分别包括在使所述透明光掩模与所述第一正型光敏材料层或所述第二正型光敏材料层的上表面接触之后，将强度为10mJ/cm²以上200mJ/cm²以下的紫外线照射至该透明光掩模上<br>判断：未公开 | 对比文件全文未涉及紫外线曝光及其强度参数。 | 对比文件无任何关于曝光强度和步骤的内容，该特征未被公开。 |
| **技术特征S**：其中，在步骤a)中，形成所述导电层的方法包括热沉积、溅镀、电子束沉积、层压加工法或溶液涂覆法<br>判断：未公开 | [0044]仅提到“形成している”（形成），未说明具体方法。 | 对比文件仅泛泛提及形成电极，未公开任何具体的导电层形成方法，因此该特征未被公开。 |
根据上述严谨对比，对比文件JP2002280873A仅直接公开了技术特征L（导电层包含银）和技术特征P（导电层厚度一定值落入范围），未直接或隐含公开其他任何技术特征。
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