对比文件名称：2013-05-02_KR1020130044058A_发明公开_KR1020130044058A 나노 메쉬 투명 전극과 이의 제조방법, 나노 메쉬 투명 전극을 포함하는 터치 스크린 및 디스플레이 장치
目标专利名称：形成导电网格图案的方法及由其制造的网格电极和层叠体（CN105980935B）
本次调用的模型名称：AI分析模型（基于深度思考的专利评估模型）
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：a)在包括导电层的基板的导电层上形成第一正型光敏材料层（隐含公开） | [0054]-[0058]：在基板10上形成透明导电膜110（导电层）。接着，在透明导电膜110上涂布光刻胶（即光敏材料）。然后，进行光刻工艺和显影工艺，去除透明导电膜110和光刻胶的一部分。由此，在透明导电膜110上形成光刻胶图案130。 | 对比文件公开了在具有导电层（透明导电膜）的基板上形成光敏材料层（光刻胶），虽然未明确光刻胶是正型，但光刻胶通常可分正型或负型，且对比文件未排除正型的可能性，本领域技术人员可合理推断可采用正型，因此隐含公开了形成第一正型光敏材料层。 |
| 技术特征B：b-1)在使刻有线形图案的透明光掩模与第一正型光敏材料层的上表面接触之后，将紫外线照射至透明光掩模上（未公开） | [0087]：在透明导电膜210上部对准掩模230后，进行光刻工艺和显影工艺。掩模230为普通不透明光掩模。 | 对比文件使用普通不透明掩模，并非目标专利所述的刻有线形图案的透明光掩模（如PDMS软掩模），且未明确为接触曝光，因此未公开此特征。 |
| 技术特征C：b-2)去除透明光掩模，使用显影剂使第一正型光敏材料层显影，并形成第一正型光敏材料图案层（未公开） | [0057]：通过光刻工艺和显影工艺，去除透明导电膜110和光刻胶的一部分，形成光刻胶图案130。掩模非透明光掩模，图案非线形。 | 对比文件虽有显影形成图案的步骤，但所用掩模并非透明光掩模，且形成的图案（用于裂纹）不是线形图案，因此未公开。 |
| 技术特征D：b-3)固化所形成的第一正型光敏材料图案层（未公开） | 对比文件未记载任何固化步骤。 | 对比文件在形成光刻胶图案后直接进行金属膜沉积等后续工艺，无固化处理，因此未公开。 |
| 技术特征E：c)在具有第一正型光敏材料图案层的导电层上形成第二正型光敏材料层（未公开） | 对比文件无第二光敏材料层的记载。 | 对比文件仅一次涂布光刻胶并形成图案，未进行第二次光刻胶涂布，因此未公开。 |
| 技术特征F：d)使刻有线形图案的透明光掩模与第二正型光敏材料层上表面接触，使得第一线形图案与透明光掩模的线形图案交叉而形成第二光敏材料图案层（未公开） | 对比文件无第二次光刻步骤，无透明光掩模交叉曝光。 | 对比文件完全未涉及第二次光刻或交叉线形图案的形成，因此未公开。 |
| 技术特征G：e)蚀刻导电层上未形成第一和第二光敏材料图案层的部分（未公开） | [0095]：通过湿蚀刻蚀刻金属膜250，但金属膜位于光刻胶图案上，非导电层。第一实施例无蚀刻导电层步骤。 | 对比文件蚀刻的对象是临时金属膜，而非目标专利中的导电层，因此未公开。 |
| 技术特征H：f)去除第一和第二正型光敏材料图案层以制造导电网格图案，其中导电网格图案线宽100nm~900nm（未公开） | 去除光刻胶：[0067]去除残留在基板10上的光刻胶图案130（仅一层）。线宽：[0044]金属图案线宽0.1um~10um，包含100nm~900nm。 | 对比文件只去除一层光刻胶，且导电网格图案通过裂纹填充形成，而非去除两层光刻胶后获得；虽然线宽范围被公开，但特征H的整体方法未被公开。 |
| 技术特征I：在步骤d)之后，在导电层上形成第三正型光敏材料层（未公开） | 对比文件无第三光敏材料层。 | 未公开。 |
| 技术特征J：在导电层上形成第三正型光敏材料图案层（未公开） | 对比文件无。 | 未公开。 |
| 技术特征K：透明光掩模的线形图案线宽2μm以上500μm以下（未公开） | 对比文件无透明光掩模。 | 未公开。 |
| 技术特征L：导电层包含银、铜、铝、金、镍、钛、钼、钨、铬、铂中的至少一种金属或合金（未公开） | [0043]：金属图案120可以由铝、钼或铜形成。但此为金属图案材料，非导电层材料。 | 对比文件公开的金属是用于网状金属膜，并非目标专利中待蚀刻的导电层，因此未公开。 |
| 技术特征M：导电层包括透明金属氧化物（直接公开） | [0041]：透明导电膜110可以由ITO、IZO或ITZO材料形成。 | 对比文件明确公开了导电层（透明导电膜）为透明金属氧化物，因此直接公开。 |
| 技术特征N：导电层包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铝锌-银-氧化铝锌(AZO-Ag-AZO)、氧化铟锌-银-氧化铟锌(IZO-Ag-IZO)、氧化铟锡-银-氧化铟锡(ITO-Ag-ITO)、和氧化铟锌锡-银-氧化铟锌锡(IZTO-Ag-IZTO)中的至少一种（直接公开） | [0041]：透明导电膜110由ITO、IZO或ITZO形成。 | 对比文件公开了ITO、IZO、ITZO，均属于特征N所列材料组，因此直接公开。 |
| 技术特征O：透明光掩模包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、环烯烃共聚物(COP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或其共聚物中的至少一种（未公开） | 对比文件无透明光掩模。 | 未公开。 |
| 技术特征P：导电层的厚度是5nm以上10μm以下（直接公开） | [0041]：透明导电膜110厚度为200Å(0.02um)。 | 0.02μm（20nm）在5nm~10μm范围内，因此直接公开。 |
| 技术特征Q：第一正型光敏材料层和第二正型光敏材料层的厚度分别是0.01μm以上10μm以下（未公开） | [0058]：光刻胶图案130厚度为1000Å(0.10um)。 | 对比文件只公开一层光刻胶图案厚度，未公开第二层厚度，且未明确涂布层厚度，因此特征Q未完全公开。 |
| 技术特征R：步骤b-1)和d)分别包括在使透明光掩模与第一或第二正型光敏材料层的上表面接触后，将强度为10mJ/cm²以上200mJ/cm²以下的紫外线照射至透明光掩模上（未公开） | 对比文件无曝光强度参数。 | 未公开。 |
| 技术特征S：在步骤a)中，形成导电层的方法包括热沉积、溅镀、电子束沉积、层压加工法或溶液涂覆法（隐含公开） | 对比文件未明确记载形成透明导电膜的具体方法，但本领域公知ITO可通过溅射等方法形成。 | 虽然未明确记载，但透明导电膜必然采用本领域公知的方法（如溅镀等）形成，这些方法均属于特征S所列范围，因此隐含公开。 |
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