**对比文件名称：** 2010-03-11_JP2010056195A_发明专利_JP2010056195A Semiconductor light emitting device
**目标专利名称：** 1672发光器件CN103855180B
**调用的模型名称：** 未指定，本次分析基于通用专利分析逻辑（当前模型）
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（日文及中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 其中所述电流阻挡层设置在所述第一发光单元的所述下半导体层与所述导电互连层之间、所述衬底与所述导电互连层之间、以及所述第二发光单元的所述发光结构与所述导电互连层之间<br><br>**《直接公开》** | **原文：** 「絶縁膜３０は、発光素子部１０、２０間のサファイア基板８０の露出領域、及び隣接する発光素子部１０、２０の積層体段差部（ｐ型半導体層の周縁部を含む）を被覆している。」「また、絶縁膜３０は、一方の発光素子部（第１の発光素子部１０）のｎ型半導体層１２の露出部１２１全体を被覆するように延伸して形成し、ｎ型半導体層１２の露出部１２１の中央付近に幅１０μｍの開口部３８を有する。」「絶縁膜３０は、もう一方の発光素子部（第２の発光素子部２０）のｐ型半導体層２４上にも延伸し…形成する。」<br>**翻译：** “绝缘膜30覆盖发光元件部10、20之间的蓝宝石基板80的露出区域，以及相邻发光元件部10、20的层叠段差部（包括p型半导体层的周缘部）。”“此外，绝缘膜30延伸形成为覆盖一个发光元件部（第1发光元件部10）的n型半导体层12的露出部121整体，并在n型半导体层12的露出部121的中央附近具有宽度10μm的开口部38。”“绝缘膜30还延伸到另一个发光元件部（第2发光元件部20）的p型半导体层24上…形成。”<br>（对应图2A、2B及实施例描述） | 对比文件的绝缘膜30（相当于电流阻挡层）同时位于第一发光元件部（第一发光单元）的n型半导体层（下半导体层）与电极40（导电互连层）之间（开口部除外）、基板80的露出区域与电极40之间，以及第二发光元件部（第二发光单元）的p型半导体层（发光结构）与电极40之间（通过透光性电极间接接触但仍在两者之间）。该绝缘膜由绝缘材料制成，用于防止短路和阻挡电流，与目标专利的电流阻挡层作用和设置位置完全相同。因此特征A被直接公开。 |
| **技术特征B：** 其中所述上电极还包括设置在所述第一粘附层与所述第一接合层之间的第一屏障层<br><br>**《直接公开》** | **原文：** 「好ましい多層膜構造の構成の例としては、下層からＴｉ／Ｒｈ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｈ／Ｗ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｈ／Ｗ／Ａｕ／Ｗ／Ｎｉ等が挙げられる。」「ＲｈとＡｕとの間にＰｔやＷを積層することによって、ＡｕあるいはＲｈの拡散を防止することができる。」<br>**翻译：** “作为优选的多层膜结构的例子，包括从下层起Ti/Rh/Au、Ti/Rh/W/Au、Ti/Rh/W/Au/W/Ni等。”“通过在Rh和Au之间层叠Pt或W，可以防止Au或Rh的扩散。”<br>（对应电极40的材料描述） | 对比文件公开了上电极（p侧电极）可由多层膜形成，其中Ti作为粘附层（第一粘附层），Au作为接合层（第一接合层），Rh或W等作为屏障层设置于Ti与Au之间，用于防止扩散。这完全对应目标专利中上电极的第一屏障层。因此特征B被直接公开。 |
| **技术特征C：** 其中所述下电极还包括设置在所述第二粘附层与所述第二接合层之间的第二屏障层<br><br>**《直接公开》** | **原文：** 「好ましい多層膜構造の構成の例としては、下層からＴｉ／Ｒｈ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｈ／Ｗ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｈ／Ｗ／Ａｕ／Ｗ／Ｎｉ等が挙げられる。」<br>**翻译：** “作为优选的多层膜结构的例子，包括从下层起Ti/Rh/Au、Ti/Rh/W/Au、Ti/Rh/W/Au/W/Ni等。”<br>（该描述同样适用于n侧电极45，即下电极） | 对比文件公开的下电极（n侧电极）同样采用相同的多层结构，包括粘附层（Ti）、屏障层（Rh、W等）、接合层（Au）。因此特征C被直接公开。 |
| **技术特征D：** 其中所述导电互连层还包括设置在所述第三粘附层与所述第三接合层之间的第三屏障层<br><br>**《直接公开》** | **原文：** 「好ましい多層膜構造の構成の例としては、下層からＴｉ／Ｒｈ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｈ／Ｗ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｈ／Ｗ／Ａｕ／Ｗ／Ｎｉ等が挙げられる。」<br>**翻译：** “作为优选的多层膜结构的例子，包括从下层起Ti/Rh/Au、Ti/Rh/W/Au、Ti/Rh/W/Au/W/Ni等。”<br>（该电极40起连接相邻发光元件部的作用，相当于导电互连层） | 对比文件中用于连接相邻发光元件部的电极40（导电互连层）同样采用多层结构，包含粘附层（Ti）、屏障层（Rh、W等）、接合层（Au）。因此特征D被直接公开。 |
| **技术特征E：** 其中所述导电互连层、所述上电极、所述导电层和所述电流阻挡层在垂直方向上彼此交叠<br><br>**《直接公开》** | **原文：** 「ｐ型半導体層１４、２４上と、ｐ型半導体層１４、２４の上に延伸された絶縁膜３０上とに、膜厚１７００ÅのＩＴＯからなる透光性電極９０を成膜する。次に、下層よりＴｉ／Ｒｈ／Ａｕ＝１５／２０００／４０００Åからなる電極４０を成膜する。」<br>**翻译：** “在p型半导体层14、24上以及延伸在p型半导体层14、24上的绝缘膜30上，形成膜厚1700Å的ITO透光性电极90。接着，从下层起形成Ti/Rh/Au=15/2000/4000Å的电极40。”<br>（对应p侧延伸部形成工艺） | 在对比文件的p侧延伸部，从下至上依次为：p型半导体层、透光性电极90（导电层）、绝缘膜30（电流阻挡层）、电极40（同时作为上电极和导电互连层）。这些层在垂直方向上完全交叠，与特征E完全一致。因此特征E被直接公开。 |
| **技术特征F：** 其中所述第二发光单元的所述上半导体层具有面对所述第二发光单元的所述上电极的顶表面<br><br>**《直接公开》** | **原文：** 「ｐ型半導体層２４上に延伸した電極４０は、透光性電極９０を介してｐ型半導体層２４と電気的に接続される。」<br>**翻译：** “延伸在p型半导体层24上的电极40，通过透光性电极90与p型半导体层24电连接。”<br>（结合图2A、2B） | 对比文件中第二发光元件部20的p型半导体层（上半导体层）的顶表面通过透光性电极90面对上电极40，即顶表面与上电极相对。这是基本结构，因此特征F被直接公开。 |
| **技术特征G：** 其中所述电流阻挡层设置在所述上电极的下表面与所述上半导体层的所述顶表面之间<br><br>**《直接公开》** | **原文：** 「ｐ側延伸部７０では、ｐ側の電極（ｐ側電極４７を含む）は、絶縁膜３０を介してｐ型半導体層２４上に形成された透光性電極９０上に形成されるのが好ましい。」<br>**翻译：** “在p侧延伸部70中，p侧电极（包括p侧电极47）优选地通过绝缘膜30形成在形成于p型半导体层24上的透光性电极90上。”<br>（结合上述工艺描述，绝缘膜30位于电极40与透光性电极90之间，透光性电极90位于p型半导体层上） | 在对比文件的p侧延伸部，绝缘膜30（电流阻挡层）位于上电极40的下表面与上半导体层（p型层）的顶表面之间的垂直层中（中间有透光性电极但处于二者之间）。该绝缘膜起到阻挡电流的作用。目标专利特征G并未排除中间导电层的存在，且从实质上看，电流阻挡层设置于上电极与上半导体层之间的区域。同时，对比文件在n侧延伸部中绝缘膜直接位于电极与半导体层之间，进一步印证了该布置。因此特征G被直接公开（至少等同公开）。 |
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### 公开性结论
基于以上比对，对比文件 2010-03-11_JP2010056195A 直接公开了目标专利的所有技术特征A至G。
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