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对比文件列表
2003-10-14_JP2003290646A_发明专利_JP2003290646A Micelle dispersion production method and micelle dispersion obtained thereby_+++A_B_C_D_L_M+++.docx
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2007-08-14_KR1020070081004A_发明公开_KR20070081004A MICRO-SLOT FOR INTERACTION CHAMBER AND HIGH PRESSURE MILLING APPARATUS THEREWITH_+++C_D_K_a_l+++.docx
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2008-09-11_DE102007011205A_发明专利_DE102007011205A1 High pressure homogenizer producing fine dispersion with narrow size distribution, includes bluff body agitation between constriction and flow stabiliz_+++a_b_c_l+++.docx
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2010-06-17_US2010147188A_发明申请_US20100147188A1 Graphite nanoplatelets and compositions_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2011-02-17_KR1020110016420A_发明公开_KR1020110016420A 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2011-02-17_WO2011019095A_发明申请_WO2011019095A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2011-04-08_KR1020110036721A_发明公开_KR1020110036721A 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_C_D_f_g_h_l_m+++.docx
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2011-06-22_KR101043895B_发明授权_KR101043895B1 고압력 호모게나이저용 분사 모듈_+++A_B_C_D_L+++.docx
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2011-08-04_KR101053933B_发明授权_KR101053933B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-05-17_KR1020120049679A_发明公开_KR1020120049679A 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2012-08-09_US2012201738A_发明申请_US20120201738A1 METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-10-25_US2012270108A_发明申请_US20120270108A1 ANODE ACTIVE MATERIAL, ANODE AND LITHIUM BATTERY INCLUDING THE MATERIAL, AND METHOD OF PREPARING THE MATERIAL_+++a_b_c_d_f_g_h+++.docx
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2012-11-15_JP2012227147A_发明专利_JP2012227147A Negative electrode active material, negative electrode and lithium battery including the negative electrode active material, and method of producing the neg_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-03-18_KR1020130027768A_发明公开_KR1020130027768A 고압 분산 장치_+++A_C_D_L_b+++.docx
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2013-05-22_KR101264316B_发明授权_KR101264316B1 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2014-06-26_WO2014097234A_发明申请_WO2014097234A2 HOMOGENISING PROCESS AND APPARATUS WITH FLOW REVERSAL_+++A_B_C_D_f_g_h_l+++.docx
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2014-09-17_CN102471068B_发明授权_CN102471068B 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2014-10-27_KR101455040B_发明授权_KR101455040B1 초고압 균질기를 이용한 연속식 금속산화물 나노입자의 제조 장치 및 이를 이용한 제조 방법_+++C_D_a_l+++.docx
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2015-03-03_US8968695B_发明授权_US08968695B2 Method of producing nano-size graphene-based material and an equipment for producing the same_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2015-03-09_KR101499530B_发明授权_KR101499530B1 초고압 균질기를 이용한 천연고분자의 저분자화 방법_+++A_C_D_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-06-11_US2015158729A_发明申请_US20150158729A1 Method for Manufacturing Nano-Graphene Sheets_+++M_a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099378A_发明申请_WO2015099378A1 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-07-02_WO2015099457A_发明申请_WO2015099457A1 그래핀의 제조 방법_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
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2015-07-06_KR1020150076093A_发明公开_KR1020150076093A 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_H_M_b_g_l+++.docx
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2015-07-06_KR1020150076105A_发明公开_KR1020150076105A 그래핀의 제조 방법_+++A_B_C_D_F_G_H_M_l+++.docx
2026-07-03 01:19
WO2011019184A2_Description_20260621_2245_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2014-06-26_WO2014097234A_发明申请_WO2014097234A2 HOMOGENISING PROCESS AND APPARATUS WITH FLOW REVERSAL_+++A_B_C_D_f_g_h_l+++.docx

对比文件:2014-06-26_WO2014097234A_发明申请_WO2014097234A2 HOMOGENISING PROCESS AND APPARATUS WITH FLOW REVERSAL

目标专利:1673包括优化出口的片材剥离装置CN107921584B

模型:Qwen-Max-0919

### 特征比对表格

技术特征及公开性对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
技术特征A:入口,片材供应到所述入口中 [直接公开]对比文件[p0039]:“所述数字1整体表示均质化设备或阀,设有用于待均质化流体的入口2。”对比文件明确记载了入口结构,流体(包含待处理片材)通过入口供应。该入口功能与目标专利的入口完全相同,均是供片材进入装置。本领域技术人员能毫无疑义地认定对比文件公开了该技术特征。
技术特征B:高压泵,位于所述入口的前端,并产生用于对所述片材加压的压力 [直接公开]对比文件[p0009]:“均质化/微粉化装置通常包括泵,可能是高压可变流量泵,以及均质化阀,其入口连接到泵的出口,以便接收加压流体并将低压均质化流体从出口排出。”对比文件明确要求装置包括高压泵,且泵的出口连接入口,即泵位于入口前端,用于产生压力对流体加压。作用与目标专利的高压泵相同,均为提供压力使片材通过后续通道进行均质化。因此直接公开。
技术特征C:微通道,位于所述入口的后端,所述片材通过所述高压泵产生的压力穿过所述微通道,由此所述片材被均质化 [直接公开]对比文件[p0011]:“流体被迫从第一高压室通过一个尺寸缩小的强制通道到达第二微粉化室。”<br>对比文件[p0044]:“均质化步骤在均质化区域4、6、7、13、14中进行,在间隙(gap)中,从外部向内部行进。”对比文件的“尺寸缩小的强制通道”或“间隙”即为微通道,位于入口后端。流体在高压下通过该通道,受到剪切力而实现均质化。其作用与目标专利的微通道完全相同。本领域技术人员可直接识别该微通道结构。
技术特征D:出口,位于所述微通道的后端 [直接公开]对比文件[p0045]:“微粉化/均质化是从区域4开始的过程,一直持续到到达低压区域或出口10。”对比文件明确设置了出口(出口10),位于均质化区域(即微通道)之后,用于排出处理后的流体。出口位置和作用与目标专利一致,直接公开。
技术特征E:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的最小距离(y,单位m)以及所述微通道的所述后端处的所述片材的速度(x,单位m/s)满足以下方程式1:[方程式1] y≥(2.7×10-5)x-(4.2×10-5) [未公开]对比文件未记载任何关于出口壁面距离与流速的方程式,也未提及碰撞压力控制或类似关系。目标专利通过特定方程式限定出口几何与流速关系,以避免石墨烯研磨。对比文件涉及的是通过导流塞改变流向、产生背压和剪切率优化,完全没有公开任何类似数值关系或物理量定义。本领域技术人员无法从对比文件得出该方程式,也不存在隐含公开的可能。
技术特征F:所述方法包括以下步骤:1)将包含石墨的溶液供应到所述入口 [隐含公开]对比文件[p0039]:“设有用于待均质化流体的入口2。”<br>对比文件[p0040]:“流体可例如由乳液、悬浮液(液体中的粉末)或胶体系统构成。”对比文件公开了将流体(包括悬浮液,即液体含固体粉末)供应到入口的步骤。虽然没有明确提到石墨,但石墨是一种可悬浮的固体粉末。本领域技术人员根据对比文件教导,可以合理推断该方法步骤适用于包含石墨的溶液,因为石墨属于悬浮液中常见固体颗粒。因此,将包含石墨的溶液供应到入口被对比文件隐含公开。
技术特征G:2)用高压泵对所述入口施加压力以使包含石墨的所述溶液通过所述微通道 [隐含公开]对比文件[p0009]:“泵产生压力,流体通过入口并经过强制通道。”<br>对比文件[p0011]:“流体从高压室通过尺寸缩小的强制通道。”对比文件公开了用泵加压使流体通过微通道(强制通道)的步骤。虽然未明确提及石墨,但流体包含固体颗粒时同样适用。本领域技术人员能合理推断,当包含石墨的溶液供应后,用泵加压使其通过微通道是显而易见的操作。因此隐含公开。
技术特征H:3)从所述出口回收石墨烯分散体 [隐含公开]对比文件[p0045]:“最终到达低压区域或出口10,回收均质化流体。”对比文件公开了从出口回收处理后的流体的步骤。当处理包含石墨的溶液时,得到的产物即为石墨烯分散体(因石墨通过剪切力剥离成石墨烯)。本领域技术人员根据对比文件的操作逻辑,可以合理推断从出口回收的是石墨烯分散体。因此隐含公开。
技术特征I:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的所述最小距离(y)为0.001m至0.050m [未公开]对比文件未记载任何关于出口壁面距离的具体数值范围。目标专利通过限定具体距离范围来控制碰撞压力。对比文件完全没有提及此类距离的数值范围,也未给出任何可使用该范围的启示。本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得出该特征。
技术特征J:其中,所述微通道的所述后端处的所述片材的所述速度(x)为10m/s至600m/s [未公开]对比文件未记载微通道后端处片材速度的具体数值范围。对比文件虽涉及流速(与压力相关),但未指定具体速度数值。目标专利通过速度范围与距离关系配合。对比文件无任何速度范围的公开或暗示,该特征未被公开。
技术特征K:其中,所述出口是圆柱形的,并且所述微通道的所述后端位于圆柱形的所述出口的侧面 [未公开]对比文件[p0057]:“产品朝向出口10前进,出口10实质上是由协同元件9和第二导流塞12的底座之间的另一个间隙构成的。”<br>结合图4、8,出口为中央孔,微通道后端(间隙)径向向内朝向中心,并非位于圆柱形出口的侧面。目标专利的出口为圆柱形腔体,微通道后端连接其侧面。对比文件的出口是间隙或孔,流体从中心轴向排出,微通道后端(间隙)将流体导向中心,而不是圆柱侧壁。结构完全不同,且对比文件无任何启示。该特征未被公开。
技术特征L:其中,装备有用于将所述片材供应到所述入口(10)的供应线 [隐含公开]对比文件虽未明确文字记载“供应线”,但装置包含入口2,公知技术中必须存在从进料源到入口的管线。任何均质化装置为了实现进料,必然配备供应管线将片材输送至入口。这是本领域的公知常识。对比文件作为均质化装置,本领域技术人员可以毫无疑问地推断其包含供应线。因此该特征被隐含公开。
技术特征M:其中,步骤2)的所述压力为100巴至3000巴 [未公开]对比文件[p0070]:“操作压力根据现有技术范围为0至200 MPa。”(0-200 MPa对应0-2000巴)对比文件公开了0-2000巴的压力范围,但目标专利要求100-3000巴,其中3000巴超过对比文件上限。对比文件未公开100-3000这一具体范围,也未给出任何使用3000巴的启示。本领域技术人员无法从对比文件直接或合理推断出完整的100-3000巴范围。该特征未被公开。

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