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对比文件列表
2003-10-14_JP2003290646A_发明专利_JP2003290646A Micelle dispersion production method and micelle dispersion obtained thereby_+++A_B_C_D_L_M+++.docx
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2007-08-14_KR1020070081004A_发明公开_KR20070081004A MICRO-SLOT FOR INTERACTION CHAMBER AND HIGH PRESSURE MILLING APPARATUS THEREWITH_+++C_D_K_a_l+++.docx
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2008-09-11_DE102007011205A_发明专利_DE102007011205A1 High pressure homogenizer producing fine dispersion with narrow size distribution, includes bluff body agitation between constriction and flow stabiliz_+++a_b_c_l+++.docx
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2010-06-17_US2010147188A_发明申请_US20100147188A1 Graphite nanoplatelets and compositions_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2011-02-17_KR1020110016420A_发明公开_KR1020110016420A 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2011-02-17_WO2011019095A_发明申请_WO2011019095A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2011-04-08_KR1020110036721A_发明公开_KR1020110036721A 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_C_D_f_g_h_l_m+++.docx
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2011-06-22_KR101043895B_发明授权_KR101043895B1 고압력 호모게나이저용 분사 모듈_+++A_B_C_D_L+++.docx
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2011-08-04_KR101053933B_发明授权_KR101053933B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-05-17_KR1020120049679A_发明公开_KR1020120049679A 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2012-08-09_US2012201738A_发明申请_US20120201738A1 METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-10-25_US2012270108A_发明申请_US20120270108A1 ANODE ACTIVE MATERIAL, ANODE AND LITHIUM BATTERY INCLUDING THE MATERIAL, AND METHOD OF PREPARING THE MATERIAL_+++a_b_c_d_f_g_h+++.docx
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2012-11-15_JP2012227147A_发明专利_JP2012227147A Negative electrode active material, negative electrode and lithium battery including the negative electrode active material, and method of producing the neg_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-03-18_KR1020130027768A_发明公开_KR1020130027768A 고압 분산 장치_+++A_C_D_L_b+++.docx
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2013-05-22_KR101264316B_发明授权_KR101264316B1 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2014-06-26_WO2014097234A_发明申请_WO2014097234A2 HOMOGENISING PROCESS AND APPARATUS WITH FLOW REVERSAL_+++A_B_C_D_f_g_h_l+++.docx
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2014-09-17_CN102471068B_发明授权_CN102471068B 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2014-10-27_KR101455040B_发明授权_KR101455040B1 초고압 균질기를 이용한 연속식 금속산화물 나노입자의 제조 장치 및 이를 이용한 제조 방법_+++C_D_a_l+++.docx
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2015-03-03_US8968695B_发明授权_US08968695B2 Method of producing nano-size graphene-based material and an equipment for producing the same_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2015-03-09_KR101499530B_发明授权_KR101499530B1 초고압 균질기를 이용한 천연고분자의 저분자화 방법_+++A_C_D_l+++.docx
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2015-06-11_US2015158729A_发明申请_US20150158729A1 Method for Manufacturing Nano-Graphene Sheets_+++M_a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099378A_发明申请_WO2015099378A1 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099457A_发明申请_WO2015099457A1 그래핀의 제조 방법_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
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2015-07-06_KR1020150076093A_发明公开_KR1020150076093A 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_H_M_b_g_l+++.docx
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2015-07-06_KR1020150076105A_发明公开_KR1020150076105A 그래핀의 제조 방법_+++A_B_C_D_F_G_H_M_l+++.docx
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WO2011019184A2_Description_20260621_2245_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2015-07-02_WO2015099457A_发明申请_WO2015099457A1 그래핀의 제조 방법_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx

本次分析使用的模型名称:阿里云通义千问-Plus

**对比文件的名称**:2015-07-02_WO2015099457A_发明申请_WO2015099457A1 그래핀의 제조 방법

**目标专利的名称**:1673包括优化出口的片材剥离装置 CN107921440B

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### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(翻译成中文)公开性论述
**技术特征A**:所述片材剥离装置包括:入口,片材供应到所述入口中 **《直接公开》**[0017] “本发明提供一种石墨烯的制造方法,包括:形成包含未氧化石墨的碳质材料及分散剂的分散液的步骤;以及将所述分散液连续地通过高压均质机的步骤,所述高压均质机包括入口、出口、以及连接入口和出口并具有微米级直径的微通道……” <br> [0081] “参考图1,高压均质机可以具有这样的结构:包括原料入口、石墨烯片等剥离产物的出口、以及连接入口和出口并具有微米级直径的微通道。通过这种高压均质机的入口,例如,在施加约100至3000 bar的高压的同时,引入包含未氧化石墨的分散液形式的原料……”对比文件明确公开了高压均质机具有“入口”,并且将包含石墨的分散液(即片材)通过入口供应到装置中。入口的结构和功能与目标专利技术特征A完全相同,都是用于接收片材。因此,技术特征A被直接公开。
**技术特征B**:高压泵,位于所述入口的前端,并产生用于对所述片材加压的压力 **《隐含公开》**[0023] “此外,所述分散液可以在约100至3000 bar的压力下被引入所述高压均质机的入口,通过微通道时被剥离,制造成石墨烯。” <br> [0081] “在施加约100至3000 bar的高压的同时,引入包含未氧化石墨的分散液形式的原料……”对比文件未明确提及“高压泵”这一部件名称,但多次强调在“高压”(100~3000 bar)下引入原料。本领域技术人员公知,高压均质机必然包含高压泵以产生所述高压,且高压泵必须位于入口前端才能对流体加压。对比文件虽未直接写出“高压泵”字样,但结合高压均质机的基本结构和其公开的高压操作,可以毫无疑义地推断出存在高压泵并位于入口前端。因此,技术特征B被隐含公开。
**技术特征C**:微通道,位于所述入口的后端,所述片材通过所述高压泵产生的压力穿过所述微通道,由此所述片材被均质化 **《直接公开》**[0017] “所述高压均质机包括入口、出口、以及连接入口和出口并具有微米级直径的微通道,所述碳质材料在施加剪切力下通过所述微通道时被剥离,形成具有纳米级厚度的石墨烯。” <br> [0081] “该原料通过微米尺度、例如约1mm以下、或10至800μm直径的微通道,同时该原料的速度被加速至超音速,并施加高的剪切力。”对比文件明确公开了微通道位于入口和出口之间,即入口后端;原料(片材)在高压下通过微通道,受到强剪切力而被剥离(相当于均质化)。这与目标专利中片材在压力下穿过微通道被均质化的作用完全相同。因此,技术特征C被直接公开。
**技术特征D**:出口,位于所述微通道的后端 **《直接公开》**[0017] “所述高压均质机包括入口、出口、以及连接入口和出口并具有微米级直径的微通道。” <br> [0081] “高压均质机可以具有这样的结构:包括原料入口、石墨烯片等剥离产物的出口、以及连接入口和出口并具有微米级直径的微通道。”对比文件明确指出出口是高压均质机的组成部分,并且微通道连接入口和出口,因此出口必然位于微通道的后端。出口的位置和功能与目标专利完全一致。因此,技术特征D被直接公开。
**技术特征E**:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的最小距离(y,单位m)以及所述微通道的所述后端处的所述片材的速度(x,单位m/s)满足以下方程式1:[方程式1] y≥(2.7×10⁻⁵)x-(4.2×10⁻⁵) **《未公开》**对比文件全文未提及微通道后端到出口壁面的距离,也未提及片材在微通道后端的速度,更未涉及任何关于出口壁面碰撞优化的方程式或关系。对比文件仅描述了原料通过微通道被加速至超音速,但完全没有公开任何关于出口几何结构或速度与距离关系的定量参数,更没有公开满足特定方程式的条件。本领域技术人员无法从对比文件直接或合理推断出该技术特征。因此,技术特征E未被公开(直接或隐含)。
**技术特征F**:所述方法包括以下步骤:1)将包含石墨的溶液供应到所述入口 **《直接公开》**[0017] “形成包含未氧化石墨的碳质材料及分散剂的分散液的步骤;以及将所述分散液连续地通过高压均质机的步骤,所述高压均质机包括入口……” <br> [0081] “通过这种高压均质机的入口……引入包含未氧化石墨的分散液形式的原料。”对比文件明确公开了形成包含石墨(未氧化石墨)的分散液,并将该分散液通过高压均质机的入口供应,这与技术特征F将包含石墨的溶液供应到入口完全相同。因此,技术特征F被直接公开。
**技术特征G**:2)用高压泵对所述入口施加压力以使包含石墨的所述溶液通过所述微通道 **《直接公开》**[0023] “所述分散液可以在约100至3000 bar的压力下被引入所述高压均质机的入口,通过微通道时被剥离,制造成石墨烯。” <br> [0081] “在施加约100至3000 bar的高压的同时,引入包含未氧化石墨的分散液形式的原料,则该原料通过……微通道。”对比文件公开了在100~3000 bar的高压下将分散液引入入口并使其通过微通道。虽然未明确写“高压泵”,但施加高压是高压均质机的基本功能,必然由高压泵实现。从对比文件公开的内容,本领域技术人员能毫无疑义地得出“用高压泵施加压力以使溶液通过微通道”这一步骤。因此,技术特征G被直接公开。
**技术特征H**:3)从所述出口回收石墨烯分散体 **《直接公开》**[0017] “所述碳质材料……被剥离,形成具有纳米级厚度的石墨烯。” <br> [0081] 明确公开了用于剥离产物的出口。 <br> [0083] “另外,上述石墨烯的制造方法还可以包括从所述石墨烯片分散液中回收和干燥石墨烯片的步骤。”对比文件公开了从出口获得剥离后的石墨烯(分散体),并且进一步包括回收步骤。原料通过微通道剥离后从出口排出,得到石墨烯分散体,这与技术特征H的回收步骤一致。因此,技术特征H被直接公开。
**技术特征I**:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的所述最小距离(y)为0.001m至0.050m **《未公开》**对比文件全文未提及任何关于微通道后端到出口壁面距离的数值范围。对比文件没有公开出口壁面距离的任何信息,更未公开0.001m至0.050m的具体范围。本领域技术人员无法从对比文件直接或合理推断出该数值范围。因此,技术特征I未被公开。
**技术特征J**:其中,所述微通道的所述后端处的所述片材的所述速度(x)为10m/s至600m/s **《未公开》**对比文件仅提及原料速度被加速至“超音速”(通常>340 m/s),但未给出具体的速度数值范围。对比文件没有公开微通道后端处片材速度的数值范围(10m/s至600m/s)。虽然提到超音速,但超音速的下限远高于10m/s,且未与特定结构关联。本领域技术人员无法从对比文件直接或合理推断出该具体的速度范围。因此,技术特征J未被公开。
**技术特征K**:其中,所述出口是圆柱形的,并且所述微通道的所述后端位于圆柱形的所述出口的侧面 **《未公开》**对比文件全文未描述出口的具体形状(如圆柱形),也未说明微通道后端与出口壁面的相对位置关系。对比文件没有公开出口为圆柱形,也没有公开微通道后端位于出口的侧面。图1为原理示意图,未体现具体几何细节。本领域技术人员无法从对比文件直接或合理推断出该特征。因此,技术特征K未被公开。
**技术特征L**:其中,装备有用于将所述片材供应到所述入口(10)的供应线 **《隐含公开》**[0081] “通过这种高压均质机的入口……引入包含未氧化石墨的分散液形式的原料。”对比文件未明确提及“供应线”,但公开了将分散液(片材)引入入口的操作。本领域技术人员可以合理推定,为了实现连续、可控的供应,必须装备有供应线(如管道、输送装置等)将片材从存储容器输送到入口。这一部件是高压均质系统常规且必要的组成部分。因此,技术特征L被隐含公开。
**技术特征M**:其中,步骤2)的所述压力为100巴至3000巴 **《直接公开》**[0023] “所述分散液可以在约100至3000 bar的压力下被引入所述高压均质机的入口,通过微通道时被剥离,制造成石墨烯。” <br> [0081] “在施加约100至3000 bar的高压的同时,引入包含未氧化石墨的分散液形式的原料。”对比文件明确且多次公开了操作压力范围为“约100至3000 bar”,这与目标专利技术特征M的“100巴至3000巴”完全一致(1 bar ≈ 1巴)。因此,技术特征M被直接公开。

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### 公开性结论代码

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