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对比文件列表
2010-06-17_US2010147188A_发明申请_US20100147188A1 Graphite nanoplatelets and compositions_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2011-02-17_KR1020110016420A_发明公开_KR1020110016420A 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2011-02-17_WO2011019095A_发明申请_WO2011019095A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2011-04-08_KR1020110036721A_发明公开_KR1020110036721A 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_C_D_f_g_h_l_m+++.docx
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2011-08-04_KR101053933B_发明授权_KR101053933B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-05-17_KR1020120049679A_发明公开_KR1020120049679A 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2012-05-23_CN102471068A_发明公开_CN102471068A 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_D_F_L_b_g+++.docx
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2012-08-09_US2012201738A_发明申请_US20120201738A1 METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-09-05_EP2493812A_发明公开_EP2493812A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L+++.docx
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2012-10-25_US2012270108A_发明申请_US20120270108A1 ANODE ACTIVE MATERIAL, ANODE AND LITHIUM BATTERY INCLUDING THE MATERIAL, AND METHOD OF PREPARING THE MATERIAL_+++a_b_c_d_f_g_h+++.docx
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2012-11-15_JP2012227147A_发明专利_JP2012227147A Negative electrode active material, negative electrode and lithium battery including the negative electrode active material, and method of producing the neg_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-05-22_KR101264316B_发明授权_KR101264316B1 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-12-06_KR101337970B_发明授权_KR101337970B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L+++.docx
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2014-06-26_WO2014097234A_发明申请_WO2014097234A2 HOMOGENISING PROCESS AND APPARATUS WITH FLOW REVERSAL_+++A_B_C_D_f_g_h_l+++.docx
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2014-09-17_CN102471068B_发明授权_CN102471068B 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2015-03-03_US8968695B_发明授权_US08968695B2 Method of producing nano-size graphene-based material and an equipment for producing the same_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2015-06-11_US2015158729A_发明申请_US20150158729A1 Method for Manufacturing Nano-Graphene Sheets_+++M_a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099378A_发明申请_WO2015099378A1 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099457A_发明申请_WO2015099457A1 그래핀의 제조 방법_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-07-06_KR1020150076093A_发明公开_KR1020150076093A 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_H_M_b_g_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-07-06_KR1020150076105A_发明公开_KR1020150076105A 그래핀의 제조 방법_+++A_B_C_D_F_G_H_M_l+++.docx
2026-07-03 01:19
WO2011019184A2_Description_20260621_2245_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-03-03_US8968695B_发明授权_US08968695B2 Method of producing nano-size graphene-based material and an equipment for producing the same_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx

对比文件名称:2015-03-03_US8968695B_发明授权_US08968695B2 Method of producing nano-size graphene-based material and an equipment for producing the same

目标专利名称:1673包括优化出口的片材剥离装置CN107921440B

本次调用的模型名称:通用语言分析模型

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
**技术特征A:** 入口,片材供应到所述入口中<br>《直接公开》[0031]:“微反应器包括多个微通道模块,周围有热交换器,用于构成一个长的微通道,该微通道具有与所述石墨硫酸浆料供应单元连接且与所述高锰酸钾硫酸溶液供应单元连接的起点、一个反应部分和一个出口。”<br>[0057]:“石墨硫酸浆料被强制送入微通道(20)的起点。”对比文件明确公开了微通道的“起点”(相当于入口),该起点与供应石墨硫酸浆料的单元连接,用于将包含石墨的片材(浆料)送入微通道。该入口的作用与目标专利中用于供应片材的入口实质相同,均为物料进入装置的第一端口。因此,技术特征A被直接公开。
**技术特征B:** 高压泵,位于所述入口的前端,并产生用于对所述片材加压的压力<br>《直接公开》[0043]:“石墨硫酸浆料通过直接连接到微通道起点的计量泵以预定的精确量供应。”<br>[0044]:“所述高锰酸钾硫酸溶液通过另一直接连接到微通道起点的计量泵以预定的精确量供应。”对比文件中的计量泵直接连接到微通道的起点(入口前端),为浆料提供压力使其进入微通道。虽然未明确标注“高压”,但计量泵用于输送且需克服微通道阻力,必然产生加压效果,且目标专利的“高压泵”实质即为提供压力的泵。因此,技术特征B被直接公开。
**技术特征C:** 微通道,位于所述入口的后端,所述片材通过所述高压泵产生的压力穿过所述微通道,由此所述片材被均质化<br>《直接公开》[0031]:同上,微通道具有起点(入口)、反应部分和出口。<br>[0056]:“连接的微通道从起点开始,穿过多个微通道模块,并在出口结束。”<br>[0047]:“微通道的内径为1μm至几毫米。”对比文件公开了微通道结构,该微通道位于起点(入口)后方,物料(包含石墨的浆料)通过前级泵的压力流过微通道。虽然对比文件未明确使用“均质化”一词,但微通道中的湍流混合必然产生均质化效果,且目标专利的均质化亦指通过微通道的剪切力使片材均匀化,两者功能对应。结构上,微通道位于入口后端、物料受压通过,已被直接公开。
**技术特征D:** 出口,位于所述微通道的后端<br>《直接公开》[0031]:同上,微通道具有出口。<br>[0056]:“连接的微通道从起点开始……在出口结束。”对比文件明确记载微通道的终端为出口,且位于微通道的后端(反应部分之后),用于排出反应混合物。该出口的位置和作用与目标专利的出口一致。因此,技术特征D被直接公开。
**技术特征E:** 所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的最小距离(y,单位m)以及所述微通道的所述后端处的所述片材的速度(x,单位m/s)满足以下方程式1:[方程式1] y≥(2.7×10⁻⁵)x-(4.2×10⁻⁵)<br>《未公开》对比文件未记载任何关于微通道后端与出口壁面之间距离、排出速度及二者关系的方程。对比文件通篇未涉及碰撞压力控制、出口结构优化或距离与速度的数学关系。目标专利的方程式1是专门为减少石墨烯研磨而定义的技术特征,对比文件未给出任何相关教导,本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得出该方程。因此,技术特征E未被公开。
**技术特征F:** 方法步骤1)将包含石墨的溶液供应到所述入口<br>《直接公开》[0014]:“一个步骤,将所述石墨硫酸浆料强制送入具有起点、反应部分和出口的长微通道中。”<br>[0011]:制备石墨硫酸浆料(包含石墨片与硫酸的混合物)。对比文件明确包括将石墨硫酸浆料(即包含石墨的溶液/浆料)供应到微通道起点(入口)的步骤。该步骤与目标专利的步骤1)完全相同。因此,技术特征F被直接公开。
**技术特征G:** 方法步骤2)用高压泵对所述入口施加压力以使包含石墨的所述溶液通过所述微通道<br>《直接公开》[0043]:“石墨硫酸浆料通过直接连接到微通道起点的计量泵以预定的精确量供应。”对比文件中采用计量泵(即高压泵)将浆料强制送入微通道起点,从而提供压力使物料通过微通道。该过程与目标专利的步骤2)实质一致。因此,技术特征G被直接公开。
**技术特征H:** 方法步骤3)从所述出口回收石墨烯分散体<br>《未公开》[0059]:“从过氧化氢混合罐排出的反应混合物被洗涤和干燥以获得石墨氧化物。”<br>整体工艺中,微通道出口排出的反应混合物先经处理(加H₂O₂、洗涤、干燥)得到石墨氧化物,再经热剥离得到石墨烯基材料。对比文件中从微通道出口回收的是反应混合物(石墨氧化物),而不是石墨烯分散体。要获得石墨烯还需后续多步处理,不存在直接从出口回收石墨烯分散体的步骤。目标专利的步骤3)强调剥离后直接回收石墨烯分散体,对比文件未公开且无法隐含该步骤。因此,技术特征H未被公开。
**技术特征I:** 所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的所述最小距离(y)为0.001m至0.050m<br>《未公开》对比文件未记载微通道后端与出口壁面之间的任何距离数值或范围。对比文件完全未涉及出口壁面距离参数,更未提供0.001m至0.050m的具体范围。本领域技术人员无法从对比文件获得任何关于该距离的教导。因此,技术特征I未被公开。
**技术特征J:** 所述微通道的所述后端处的所述片材的所述速度(x)为10m/s至600m/s<br>《未公开》[0047]:“反应混合物通常以每秒几厘米到几米的速度移动。”对比文件明确给出微通道中物料的速度范围为cm/s至m/s(即0.01m/s至数m/s),显著低于10m/s至600m/s。对比文件未提示更高速度,且该速度范围与目标专利相悖,无法隐含公开。因此,技术特征J未被公开。
**技术特征K:** 所述出口是圆柱形的,并且所述微通道的所述后端位于圆柱形的所述出口的侧面<br>《未公开》对比文件未描述出口的几何形状(圆柱形或其它),也未说明微通道后端与出口的连接方式(侧面或端部)。对比文件的微通道模块之间的连接通过“入口(18a)”和“出口(18b)”,但未提及出口整体形状及微通道后端位置关系。本领域技术人员无法得知出口是否为圆柱形及微通道后端是否位于侧面。因此,技术特征K未被公开。
**技术特征L:** 装备有用于将所述片材供应到所述入口(10)的供应线<br>《直接公开》[0028]-[0031]:设备包括“用于石墨硫酸浆料的供应单元”、“用于高锰酸钾硫酸溶液的供应单元”;[0031]:“微通道的起点连接到所述石墨硫酸浆料供应单元”。对比文件明确设有与微通道起点(入口)连接的供应单元,该供应单元必然包括管道、泵等构成供应线,用于将物料输送至入口。其结构与目标专利的供应线相同。因此,技术特征L被直接公开。
**技术特征M:** 方法步骤2)的所述压力为100巴至3000巴<br>《未公开》对比文件未记载操作压力的具体数值或范围,仅提及“足够压力”([0048]:“以足够的速度和压力供应以引起湍流”)。对比文件虽要求压力充足,但未给出100巴至3000巴的量化范围。本领域技术人员无法从对比文件推导出该特定的压力范围。因此,技术特征M未被公开。

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