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对比文件列表
2010-06-17_US2010147188A_发明申请_US20100147188A1 Graphite nanoplatelets and compositions_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2011-02-17_KR1020110016420A_发明公开_KR1020110016420A 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2011-02-17_WO2011019095A_发明申请_WO2011019095A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2011-04-08_KR1020110036721A_发明公开_KR1020110036721A 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_C_D_f_g_h_l_m+++.docx
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2011-08-04_KR101053933B_发明授权_KR101053933B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-05-17_KR1020120049679A_发明公开_KR1020120049679A 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2012-05-23_CN102471068A_发明公开_CN102471068A 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_D_F_L_b_g+++.docx
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2012-08-09_US2012201738A_发明申请_US20120201738A1 METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-09-05_EP2493812A_发明公开_EP2493812A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L+++.docx
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2012-10-25_US2012270108A_发明申请_US20120270108A1 ANODE ACTIVE MATERIAL, ANODE AND LITHIUM BATTERY INCLUDING THE MATERIAL, AND METHOD OF PREPARING THE MATERIAL_+++a_b_c_d_f_g_h+++.docx
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2012-11-15_JP2012227147A_发明专利_JP2012227147A Negative electrode active material, negative electrode and lithium battery including the negative electrode active material, and method of producing the neg_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-05-22_KR101264316B_发明授权_KR101264316B1 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-12-06_KR101337970B_发明授权_KR101337970B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L+++.docx
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2014-06-26_WO2014097234A_发明申请_WO2014097234A2 HOMOGENISING PROCESS AND APPARATUS WITH FLOW REVERSAL_+++A_B_C_D_f_g_h_l+++.docx
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2014-09-17_CN102471068B_发明授权_CN102471068B 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2015-03-03_US8968695B_发明授权_US08968695B2 Method of producing nano-size graphene-based material and an equipment for producing the same_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2015-06-11_US2015158729A_发明申请_US20150158729A1 Method for Manufacturing Nano-Graphene Sheets_+++M_a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099378A_发明申请_WO2015099378A1 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099457A_发明申请_WO2015099457A1 그래핀의 제조 방법_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-07-06_KR1020150076093A_发明公开_KR1020150076093A 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_H_M_b_g_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-07-06_KR1020150076105A_发明公开_KR1020150076105A 그래핀의 제조 방법_+++A_B_C_D_F_G_H_M_l+++.docx
2026-07-03 01:19
WO2011019184A2_Description_20260621_2245_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2015-06-11_US2015158729A_发明申请_US20150158729A1 Method for Manufacturing Nano-Graphene Sheets_+++M_a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx

对比文件的名称:2015-06-11_US2015158729A_发明申请_US20150158729A1 Method for Manufacturing Nano-Graphene Sheets;目标专利的名称:1673包括优化出口的片材剥离装置CN107921440B;本次调用的模型名称:DeepSeek-Chat

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(翻译)公开性论述
技术特征A:所述片材剥离装置包括:入口,片材供应到所述入口中《隐含公开》对比文件[0029]:在步骤S30中,将纳米石墨片悬浮在液体介质中……然后施加机械剪切力,所述剪切力通过高压均质机(high pressure homogenizer)等产生。对比文件公开了使用高压均质机进行机械剥离,而高压均质机作为本领域公知的装置,必然包括入口,用于将悬浮液供应到装置中。本领域技术人员可以合理推断该装置包括入口,故特征A被隐含公开。
技术特征B:高压泵,位于所述入口的前端,并产生用于对所述片材加压的压力《隐含公开》对比文件[0029]:施加的机械剪切力大于5,000 psi;[0037]及表1:示例中施加8,000 psi、20,000 psi、30,000 psi的剪切力,通过高压均质机产生。对比文件明确指出通过高压均质机施加高剪切力,而高压均质机的工作原理依赖于高压泵产生压力使物料通过均质阀。高压泵是高压均质机的必要部件,本领域技术人员可合理推断该装置包括高压泵,故特征B被隐含公开。
技术特征C:微通道,位于所述入口的后端,所述片材通过所述高压泵产生的压力穿过所述微通道,由此所述片材被均质化《隐含公开》对比文件[0029]:通过高压均质机等产生剪切力,对纳米石墨片进行机械剥离。高压均质机的核心部件是均质阀,其具有狭窄的缝隙(相当于微通道),悬浮液在高压下通过该缝隙,受到强大的剪切力而被均质化/剥离。本领域技术人员知晓该结构,故特征C被隐含公开。
技术特征D:出口,位于所述微通道的后端《隐含公开》对比文件[0029]:通过高压均质机处理得到纳米石墨烯悬浮溶液。高压均质机在微通道(均质阀)后设有出口,用于排出处理后的物料。本领域技术人员可合理推断该结构,故特征D被隐含公开。
技术特征E:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的最小距离(y,单位m)以及所述微通道的所述后端处的所述片材的速度(x,单位m/s)满足以下方程式1:[方程式1] y≥(2.7×10-5)x-(4.2×10-5)《未公开》无对比文件全文未涉及微通道后端与出口壁面之间的距离、片材速度及其关系,也未公开任何类似方程。故特征E未被公开。
技术特征F:所述方法包括以下步骤:1)将包含石墨的溶液供应到所述入口《隐含公开》对比文件[0029]:在步骤S30中,将纳米石墨片悬浮在液体介质(如醇溶液)中形成悬浮液,然后施加剪切力。示例[0037]:将纳米石墨片悬浮在醇溶液中,通过剪切力形成纳米石墨烯悬浮溶液。对比文件在机械剥离步骤中,将包含纳米石墨片的悬浮液送入高压均质机等设备进行处理,这必然涉及将溶液供应到设备的入口。故特征F被隐含公开。
技术特征G:2)用高压泵对所述入口施加压力以使包含石墨的所述溶液通过所述微通道《隐含公开》对比文件[0029]、[0037]及表1:施加剪切力,如8,000 psi、20,000 psi、30,000 psi,通过高压均质机实现。高压均质机通过高压泵施加压力,使溶液通过均质阀(微通道),从而产生高剪切力进行剥离。本领域技术人员可合理推断该步骤,故特征G被隐含公开。
技术特征H:3)从所述出口回收石墨烯分散体《隐含公开》对比文件[0031]:将纳米石墨烯悬浮溶液进行干燥,分离出纳米石墨烯片。示例[0037]:得到纳米石墨烯悬浮溶液。对比文件记载了经机械剥离后得到纳米石墨烯悬浮溶液,该溶液从高压均质机的出口排出,本领域技术人员可合理推断回收该分散体的步骤,故特征H被隐含公开。
技术特征I:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的所述最小距离(y)为0.001m至0.050m《未公开》无对比文件未公开任何关于微通道后端到出口壁面最小距离的数值范围,也未提及该距离对石墨烯尺寸的影响,故特征I未被公开。
技术特征J:其中,所述微通道的所述后端处的所述片材的所述速度(x)为10m/s至600m/s《未公开》无对比文件未公开微通道后端处的片材速度及其范围,也未提及该速度对石墨烯碰撞的影响,故特征J未被公开。
技术特征K:其中,所述出口是圆柱形的,并且所述微通道的所述后端位于圆柱形的所述出口的侧面《未公开》无对比文件未公开出口的具体形状(如圆柱形)以及微通道后端的连接位置,故特征K未被公开。
技术特征L:其中,装备有用于将所述片材供应到所述入口(10)的供应线《隐含公开》对比文件[0029];示例[0037]将纳米石墨片悬浮在醇溶液中,通过高压均质机处理。高压均质机通常配备有进料管线(供应线)以将悬浮液连续供应到入口。对比文件虽未明确提及,但本领域技术人员可合理推断该装置必然包括供应线以实现进料,故特征L被隐含公开。
技术特征M:其中,步骤2)的所述压力为100巴至3000巴《直接公开》对比文件[0029]:施加的机械剪切力大于5,000 psi;[0037]及表1:示例1、2、3分别施加8,000 psi、20,000 psi、30,000 psi的剪切力。对比文件明确公开了施加剪切力的具体数值(以psi为单位),这些数值对应于高压均质机的工作压力,经换算(1 psi≈0.06895 bar,8,000 psi≈551.6 bar,20,000 psi≈1,379 bar,30,000 psi≈2,068.5 bar)均在100-3,000 bar范围内,故特征M被直接公开。

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