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对比文件列表
1994-11-29_US5368889A_发明授权_US5368889A Method of making thin film composite membranes_+++A_B_D_F_k+++.docx
2026-07-29 10:47
1995-08-15_None_发明专利_JPH07213878A Composite reverse osmosis membrane_+++A_B_C_D_E_F_G_J+++.docx
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1996-12-10_None_发明专利_JPH08323167A Method for manufacturing chlorine-resistant composite membrane with high organic rejection and product produced by this method_+++J_a_b_d_e_f_g_k+++.docx
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1996-12-10_US5582725A_发明授权_US5582725A Chlorine-resistant composite membranes with high organic rejection_+++A_B_D_E_F_G_J_k+++.docx
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2000-01-18_US6015495A_发明授权_US6015495A Composite polyamide reverse osmosis membrane and method of producing the same_+++A_B_D_F+++.docx
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2001-06-12_US6245234B_发明授权_US06245234B1 Composite polyamide reverse osmosis membrane and method of producing the same_+++A_B_D_F_H+++.docx
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2005-07-18_KR1020050074167A_发明公开_KR1020050074167A 내오염성 또는 분리성능이 우수한 폴리아마이드 복합막제조방법_+++A_B_D_F+++.docx
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2006-02-13_KR100551574B_发明授权_KR100551574B1 내오염성 또는 분리성능이 우수한 폴리아마이드 복합막제조방법_+++A_B_D_F+++.docx
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2007-08-02_US2007175820A_发明申请_US20070175820A1 Selective membrane having a high fouling resistance_+++A_B_d_f+++.docx
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2009-05-26_US7537697B_发明授权_US07537697B2 Selective membrane having a high fouling resistance_+++A_B_D_F_K+++.docx
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2011-03-29_US7913857B_发明授权_US07913857B2 Selective membrane having a high fouling resistance_+++A_B_D_F+++.docx
2026-07-29 10:47
2011-04-21_JP2011078980A_发明专利_JP2011078980A Composite semipermeable membrane and manufacturing method of the same_+++A_B_D_E_F_G_J+++.docx
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2012-01-19_US2012012527A_发明申请_US20120012527A1 COMPOSITE MEMBRANE WITH MULTI-LAYERED ACTIVE LAYER_+++A_B_D_F+++.docx
2026-07-29 10:47
2012-02-02_JP2012020281A_发明专利_JP2012020281A Composite membrane with multi-layered active layer_+++A_B_D_F_k+++.docx
2026-07-29 10:47
2012-09-27_US2012241373A_发明申请_US20120241373A1 COMPOSITE MEMBRANES AND METHODS OF PREPARATION THEREOF_+++A_B_D_F+++.docx
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2013-05-14_KR1020130049627A_发明公开_KR1020130049627A 폴리아미드계 나노분리막 및 그의 제조방법_+++A_B_D_F_k+++.docx
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2013-05-14_KR1020130049627A_发明公开_KR1020130049627A 폴리아미드계 나노분리막 및 그의 제조방법_+++A_B_D_F_k+++.docx

对比文件名称:2013-05-14_KR1020130049627A_发明公开_KR1020130049627A 폴리아미드계 나노분리막 및 그의 제조방법

目标专利名称:1741具有高脱盐率和高通量性质的聚酰胺水处理分离膜及其制备方法CN104781001B

模型名称:本回答基于自然语言处理模型(具体模型名称未指定)

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
技术特征A:所述方法包括在多孔支撑体上形成含有胺类化合物的水溶液层 [直接公开]对比文件段落[0055]:“首先,从用多官能胺水溶液涂覆的多孔支撑体上,通过滚压、海绵、气刀等适当方法去除表面多余的多官能胺水溶液,然后,通过浸渍或喷涂等方法,将所述多官能胺与含有胺反应性化合物的有机溶液接触5秒至10分钟,更优选20秒至4分钟。”对比文件明确公开了在多孔支撑体上先形成多官能胺水溶液层的步骤,该水溶液层含有胺类化合物(如间苯二胺、哌嗪等),与目标专利的技术特征A完全相同。
技术特征B:通过使含有酰卤化合物和第一有机溶剂的有机溶液与所述水溶液层接触,形成聚酰胺活性层 [直接公开]对比文件段落[0051]:“可以使用选自多官能性酰卤、多官能性磺酰卤和多官能性异氰酸酯中的任意一种。”<br>段落[0052]:“通常,胺反应性化合物以0.005-5重量%溶解在不与水混溶的有机溶剂中使用。有机溶剂的例子包括卤代烃如氟利昂、己烷、环己烷、庚烷、碳数8-12的烷烃等。”<br>段落[0055]进一步描述了将含酰卤的有机溶液与含胺水溶液层接触。对比文件公开了使用含有酰卤化合物(如均苯三甲酰氯)和有机溶剂(第一有机溶剂)的溶液与多官能胺水溶液层进行界面聚合,形成聚酰胺薄层(即活性层)。该步骤与目标专利的技术特征B一致。
技术特征C:在所述聚酰胺活性层上涂覆挥发度比第一有机溶剂低的第二有机溶剂 [未公开]对比文件未公开在聚酰胺活性层上涂覆任意有机溶剂作为第二涂层。对比文件的后处理步骤是在聚酰胺薄层形成后,涂覆含有特定胺化合物的水溶液(段落[0056]-[0057]),而非有机溶剂。没有记载或暗示使用任何“第二有机溶剂”,更未涉及挥发度比较。
技术特征D:所述第一有机溶剂是碳数为5至7的烃类溶剂 [直接公开]对比文件段落[0052]:“有机溶剂的例子包括……己烷、环己烷、庚烷、碳数8-12的烷烃等。”对比文件明确列举了己烷(C6)、庚烷(C7)等碳数为5-7的烃类溶剂作为可用的第一有机溶剂,故直接公开了该技术特征。
技术特征E:所述第二有机溶剂是碳数为8至15的烃类溶剂 [未公开]对比文件未公开任何第二有机溶剂。对比文件没有公开在聚酰胺层上涂覆第二有机溶剂的步骤,因此未涉及第二有机溶剂的碳数范围。
技术特征F:所述第一有机溶剂为选自戊烷、己烷和庚烷中的至少一种 [直接公开]对比文件段落[0052]:“有机溶剂的例子包括……己烷、环己烷、庚烷……”对比文件明确公开了己烷、庚烷可作为第一有机溶剂,因此直接公开了选自己烷和庚烷(至少一种)的技术特征。戊烷虽未明确列出,但已公开的己烷、庚烷已满足“至少一种”的要求。
技术特征G:所述第二有机溶剂包括选自辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷和异链烷烃溶剂中的至少一种 [未公开]对比文件未公开第二有机溶剂。对比文件没有公开任何第二有机溶剂,更没有公开具体种类。
技术特征H:所述异链烷烃溶剂是碳数为8至15的烷烃混合物 [未公开]对比文件段落[0052]提到“碳数8-12的烷烃混合物ISOPAR”,但这是作为第一有机溶剂使用,而非第二有机溶剂。对比文件虽公开了碳数8-12的烷烃混合物(异链烷烃),但用于第一有机溶剂,与目标专利中第二有机溶剂的特征无关,因此未公开。
技术特征I:在所述聚酰胺活性层上涂覆所述第二有机溶剂包括通过在所述聚酰胺活性层上剩余的酰卤化合物和胺类化合物的残留部分之间的额外的界面聚合反应形成聚酰胺 [未公开]对比文件段落[0057]:“通过上述接触,与步骤1)形成的聚酰胺薄层表面存在的未反应的阴离子型胺反应性化合物发生交联聚合。”对比文件公开了二次反应(未反应的酰卤与胺化合物交联),但该反应是通过涂覆胺化合物水溶液实现的,而非通过涂覆第二有机溶剂。目标专利的特征I明确要求涂覆第二有机溶剂来引发二次界面聚合,对比文件未公开该介质。
技术特征J:所述第一有机溶剂和第二有机溶剂为非极性溶剂 [未公开]对比文件段落[0052]公开的有机溶剂(己烷、庚烷、ISOPAR等)均为非极性溶剂,但仅针对第一有机溶剂。对比文件未公开第二有机溶剂,因此无法判断第二有机溶剂是否非极性。特征J要求两者均为非极性,因第二有机溶剂未公开,该特征整体未被公开。
技术特征K:所述第一有机溶剂在20℃下的蒸汽压为5kPa至60kPa [隐含公开]对比文件段落[0052]公开了第一有机溶剂可选为己烷、庚烷。本领域技术人员公知,在20℃下己烷的蒸汽压约为17kPa,庚烷约为5.3kPa,均处于5-60kPa范围内。对比文件虽未直接给出蒸汽压数值,但通过公开具体溶剂,可合理、毫无疑义地推断出第一有机溶剂满足该蒸汽压范围,因此隐含公开。
技术特征L:所述第二有机溶剂在20℃下的蒸汽压为0.05kPa至1.5kPa [未公开]对比文件未公开第二有机溶剂。对比文件没有公开第二有机溶剂,因此没有公开其蒸汽压范围。

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