对比文件名称：2002-08-06_US6429037B_发明授权_US06429037B1 Self aligning method for forming a selective emitter and metallization in a solar cell
目标专利名称：1744太阳能电池及其制造方法CN103390659B
本次调用的模型名称：AI助手
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| 技术特征A：在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层《直接公开》 | 对比文件“Summary of the Invention”部分：“b) thermally treating the dopant source and the semiconductor surface carrying the dopant source, whereby a surface region of the second dopant type is formed in the semiconductor material”；以及“Detailed Description of the Preferred Embodiments”部分：“Following the deposition of the dielectric layer or layers 12 onto the front surface 41 of substrate 11, appropriate thermal treatment can be used to lightly diffuse the surface region 13 to a sheet resistivity preferably in the range of 100 to 200 ohms per square but also acceptably within the range of 50 ohms per square to 800 ohms per square.”（翻译：在将介电层12沉积到基板11的前表面41上之后，可以使用适当的热处理来轻扩散表面区13，使其薄层电阻优选在100‑200欧姆/平方的范围内，但也可接受在50‑800欧姆/平方的范围内。） | 对比文件明确公开了通过热处理形成轻扩散表面区（低浓度发射层），并给出了具体的薄层电阻范围，该轻扩散区即对应目标专利的低浓度发射层，因此直接公开了技术特征A。 |
| 技术特征B：使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型《直接公开》 | 对比文件“Summary of the Invention”部分：“a) on a surface of a semiconductor substrate of a first dopant type, forming a continuous layer of dopant source material of a second dopant type of opposite dopant polarity to that of the first dopant type”以及“b) … whereby a surface region of the second dopant type is formed in the semiconductor material”。（翻译：a)在具有第一掺杂类型的半导体基板的表面上，形成与第一掺杂类型极性相反的第二掺杂类型的掺杂源材料的连续层；b)从而在半导体材料中形成第二掺杂类型的表面区。） | 对比文件明确公开了在具有第一导电类型（如p型）的基板上形成相反导电类型（n型）的发射区，该发射区即低浓度发射层，因此直接公开了技术特征B。 |
| 技术特征C：通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层《直接公开》 | 对比文件“Summary of the Invention”部分：“b) thermally treating the dopant source and the semiconductor surface carrying the dopant source”以及“Detailed Description”部分：“appropriate thermal treatment can be used to lightly diffuse the surface region 13”。（翻译：b)对掺杂源和承载掺杂源的半导体表面进行热处理；适当的热处理可用于轻扩散表面区13。） | 对比文件直接公开了通过热扩散（热处理）形成轻扩散发射区，与目标专利的热扩散工艺相同，因此直接公开了技术特征C。 |
| 技术特征D：形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层《直接公开》 | 对比文件“Summary of the Invention”部分：“c) locally heating the dopant source and the underlying semiconductor surface to cause melting of the surface region in zones where metallization is required to contact to the surface region whereby the melted zones of the semiconductor surface region are more heavily doped from the dopant source”。（翻译：c)局部加热掺杂源和下方的半导体表面，使需要金属化接触的表面区域熔化，从而半导体表面区域的熔化区从掺杂源得到更重掺杂。）以及后续提到“the heavily doped surface zones”。 | 对比文件直接公开了通过局部加热（激光）形成重掺杂区（高浓度发射层），该重掺杂区具有比轻掺杂区（低浓度发射层）更低的电阻，因此直接公开了技术特征D。 |
| 技术特征E：所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件仅公开了高浓度发射层（重掺杂区）作为一个整体，未公开其进一步分为具有不同电阻的第一部分和第二部分，也未给出任何暗示形成这种结构。因此，技术特征E未被公开。 |
| 技术特征F：所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件虽然公开了使用激光照射掺杂源层形成重掺杂区，但未公开将重掺杂区分为第一部分和第二部分，也未公开使用不同功率的激光束分别形成不同部分，因此技术特征F未被公开。 |
| 技术特征G：所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 与特征F类似，对比文件未公开第二部分及其形成方式，因此技术特征G未被公开。 |
| 技术特征H：所述第一部分位于所述第二部分之间《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开第一部分和第二部分的位置关系，因此技术特征H未被公开。 |
| 技术特征I：所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开第一部分和第二部分，也未公开它们之间的电阻关系，因此技术特征I未被公开。 |
| 技术特征J：在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层《未公开》 | 对比文件“Detailed Description”部分：“the dielectric layer or layers 12 are chosen to not only act as diffusion source ... but also to subsequently act as a metal plating mask ... and ultimately, potentially as an antireflection coating.”（翻译：选择介电层12不仅作为扩散源，而且随后作为金属镀掩模，并且最终可能作为减反射涂层。）以及说明书整体未提及去除该介电层。 | 对比文件明确教导保留玻璃组成层（介电层）作为后续工艺的掩模和减反射层，而不是去除。因此，技术特征J未被公开，相反对比文件教导了保留该层。 |
| 技术特征K：在所述低浓度发射层上形成绝缘层《直接公开》 | 对比文件“Detailed Description”部分：“the front surface 41 of a substrate 11 is coated with a dielectric or surface masking layer 12 that contains dopants of the opposite polarity ... Following the deposition ... appropriate thermal treatment can be used to lightly diffuse the surface region 13.”（翻译：基板11的前表面41涂覆有介电或表面掩蔽层12，该层包含相反极性的掺杂剂…在沉积之后，可以使用适当的热处理来轻扩散表面区13。）以及该介电层后作为钝化层和减反射层存在。 | 对比文件公开了在基板正面形成介电层（绝缘层），该介电层在热处理后仍然存在于低浓度发射层上，因此相当于在低浓度发射层上形成了绝缘层，直接公开了技术特征K。 |
| 技术特征L：在所述绝缘层上形成第一电极《直接公开》 | 对比文件“Summary”部分：“d) forming metallization over the heavily doped surface zones such that connection to the surface region of the semiconductor material is made through the disruption in the dopant source layer to the heavily doped surface zones.”以及“Detailed Description”中描述金属接触19形成在介电层12上（通过电镀）。 | 对比文件公开了在介电层（绝缘层）上形成金属接触（第一电极），直接公开了技术特征L。 |
| 技术特征M：所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层《直接公开》 | 对比文件“Summary”部分：“c) … the overlying dopant source material is disrupted to expose the more heavily doped surface zones”以及“d) forming metallization over the heavily doped surface zones such that connection … is made through the disruption in the dopant source layer”。（翻译：c)上覆掺杂源材料被破坏以暴露更重掺杂的表面区；d)在重掺杂表面区上形成金属化，使得通过掺杂源层中的破坏区域实现连接。） | 对比文件公开了金属化通过掺杂源层（绝缘层）中的破坏区域（开口）连接到重掺杂区，即电极延伸穿过绝缘层连接高浓度发射层，直接公开了技术特征M。 |
| 技术特征N：在所述半导体基板的背面处形成背面场层《直接公开》 | 对比文件“Detailed Description”部分，实施例3：“Application of dielectric containing p type dopants onto the rear surface; Thermal treatment to lightly diffuse … a p-type back-surface field across the rear.”以及“Application of the invention to both surfaces produces a bifacial solar cell … in which a second dielectric layer 21 is formed on the back surface of the semiconductor material 11, the dielectric material 21 being doped with the same dopant type as the body of the semiconductor material 11. An additional laser heating step is then used to create a heavily doped region 23 facilitating connection to the bulk region.”（翻译：在背面涂覆含p型掺杂剂的介电层；热处理以轻扩散形成p型背面场；将本发明应用于两个表面产生双面太阳能电池，其中第二介电层21形成在半导体材料11的背面上，介电材料21掺杂有与半导体材料本体相同的掺杂类型。然后使用额外的激光加热步骤形成重掺杂区23，促进与体区的连接。） | 对比文件明确公开了在基板背面形成背面场层（轻掺杂背面场），并可选形成重掺杂区，直接公开了技术特征N。 |
| 技术特征O：使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型《直接公开》 | 对比文件实施例3：“dielectric material 21 being doped with the same dopant type as the body of the semiconductor material 11”。（翻译：介电材料21掺杂有与半导体材料本体相同的掺杂类型。） | 对比文件直接公开背面场层与基板同导电类型（p型），因此直接公开了技术特征O。 |
| 技术特征P：通过热扩散工艺形成所述背面场层《直接公开》 | 对比文件实施例3：“Thermal treatment to lightly diffuse … a p-type back-surface field across the rear.”（翻译：热处理以轻扩散形成p型背面场。） | 对比文件直接公开通过热扩散形成背面场层，因此直接公开了技术特征P。 |
| 技术特征Q：在所述背面场层上形成钝化膜《直接公开》 | 对比文件“Summary of the Invention”部分：“the source material being selected to also act or to be made able to act as a surface passivation layer”以及实施例3中背面介电层21也作为钝化层。 | 对比文件公开了背面介电层（形成于背面场层上）作为钝化膜，因此直接公开了技术特征Q。 |
| 技术特征R：在所述钝化膜上形成第二电极《直接公开》 | 对比文件实施例3：“Simultaneous electroless metal plating of front and rear metal contact.”以及“Metallisation 24 is then added over the heavily doped region as with the top surface metallization 19.”（翻译：同时无电镀前和后金属接触；然后在重掺杂区上添加金属化24，与顶表面金属化19类似。） | 对比文件公开了在背面钝化膜上形成第二电极（金属接触），直接公开了技术特征R。 |
| 技术特征S：所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层《直接公开》 | 对比文件实施例3中，激光加热步骤形成重掺杂区23，并破坏背面介电层21，然后金属化24通过该破坏区域连接。与正面类似，金属化通过背面介电层（钝化膜）中的开口连接到背面场层。 | 对比文件公开了第二电极通过背面介电层（钝化膜）中的开口连接到背面场层（重掺杂区），直接公开了技术特征S。 |
| 技术特征T：其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开第二部分和第一部分的位置关系，因此技术特征T未被公开。 |
| 技术特征U：其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG《隐含公开》 | 对比文件“Detailed Description”部分提到“phosphorus spin-on diffusion source”和“dielectric containing p type dopants”，以及背景技术中提到“spin-on glasses”。（翻译：磷旋涂扩散源；含p型掺杂剂的介电层；旋涂玻璃。） | 对比文件虽未明确使用“PSG”或“BSG”术语，但公开了掺杂源层可以是含磷或硼的介电层。本领域公知PSG和BSG是常用的磷硅玻璃和硼硅玻璃掺杂源，因此从对比文件公开的含磷或硼的介电层可以合理推断出玻璃组成层包括PSG或BSG，故技术特征U被隐含公开。 |
| 技术特征V：该方法还包括以下步骤《直接公开》 | 对比文件的方法包括步骤a)、b)、c)、d)以及实施例中多个步骤。 | 对比文件的方法必然包括多个步骤，因此直接公开了“该方法还包括以下步骤”的表述，技术特征V被直接公开。 |
| 技术特征W：在所述绝缘层上方涂布电极组成层《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件使用无电镀方法形成电极，没有涂布电极组成层的步骤，因此技术特征W未被公开。 |
| 技术特征X：使所述电极组成层经受热处理《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件没有电极组成层，因此没有热处理该层的步骤，技术特征X未被公开。 |
| 技术特征Y：使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件没有烧穿工艺，因此技术特征Y未被公开。 |
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