对比文件名称：2011-09-06_US8012531B_发明授权_US08012531B2 Solar cell and method for manufacturing the same, and method for forming impurity region
目标专利名称：1744太阳能电池及其制造方法CN103390659B
本次调用的模型名称：DeepSeek Chat
以下为特征比对表格：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A：在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层（直接公开）** | 段落[0040]：“发射区130基本上位于基板120的整个表面，即整个正面上，光入射在其上。”<br>段落[0041]：“发射区130包括第一发射极部分131和多个第二发射极部分133。……第二发射极部分133的杂质浓度比第一发射极部分131重。”<br>段落[0042]：“由于第二发射极部分133的杂质浓度比第一发射极部分131重，因此第二发射极部分133的薄层电阻小于第一发射极部分131的薄层电阻。” | 对比文件明确公开了在基板正面形成发射区，该发射区包括第一发射极部分（低浓度部分），其薄层电阻较高（相当于第一电阻），因此直接公开了技术特征A。 |
| **技术特征B：使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型（直接公开）** | 段落[0040]：“发射区130是杂质区域，具有与基板120的第一导电类型相反的第二导电类型（例如n型杂质）的杂质。” | 对比文件公开发射区具有与基板相反的导电类型，第一发射极部分作为发射区的一部分也具有该相反导电类型，因此直接公开特征B。 |
| **技术特征C：通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层（直接公开）** | 段落[0066]：“通过对带有掺杂膏110的基板120进行加热处理，将掺杂膏110中的n型杂质掺杂到基板120中，以在基板120的正面上形成发射区130。”<br>段落[0068]：“通过使用掺杂膏110和上述热扩散工艺，在基板120中形成具有预定杂质掺杂厚度的发射区130。” | 对比文件采用加热驱动掺杂的热扩散工艺形成发射区（包括第一发射极部分），因此直接公开特征C。 |
| **技术特征D：形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层（直接公开）** | 段落[0041]：“第二发射极部分133的杂质浓度比第一发射极部分131重。”<br>段落[0042]：“第二发射极部分133的薄层电阻小于第一发射极部分131的薄层电阻。” | 对比文件公开了具有更高杂质浓度和更低薄层电阻的第二发射极部分，相当于高浓度发射层，直接公开特征D。 |
| **技术特征E：所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分（未公开）** | 对比文件仅公开了第二发射极部分作为高浓度部分，未公开其内部进一步划分为具有不同电阻的第一部分和第二部分。段落[0075]提到通过激光参数可以改变第二发射极部分的特性，但未暗示在同一高浓度部分内形成不同区域。 | 对比文件没有公开高浓度发射层包含第一部分和第二部分，本领域技术人员不能直接地、毫无疑义地从对比文件得出该特征，且对比文件未隐含公开该特征（未教导或暗示高浓度部分可以再分）。因此特征E未公开。 |
| **技术特征F：所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成（未公开）** | 对比文件使用激光照射**掺杂膏（doping paste）** 形成第二发射极部分，而非玻璃组成层。段落[0070]：“通过将激光束照射在掺杂膏110的部分上，对掺杂膏110进行二次加热。”段落[0069]提到在热扩散过程中可能生长含有杂质的氧化物（如PSG），但该氧化物在形成第二发射极部分之前已被去除。 | 对比文件公开的激光照射对象是掺杂膏，不是玻璃组成层，且未公开利用玻璃组成层作为杂质源进行激光照射。因此特征F未公开。 |
| **技术特征G：所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成（未公开）** | 同特征F，对比文件未公开使用玻璃组成层。 | 同特征F，特征G未公开。 |
| **技术特征H：所述第一部分位于所述第二部分之间（未公开）** | 对比文件未公开高浓度发射层内的部分位置关系。 | 对比文件没有公开第一部分和第二部分，因此也未公开其位置关系，特征H未公开。 |
| **技术特征I：所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻（未公开）** | 对比文件未公开高浓度发射层内的部分具有不同电阻。 | 对比文件没有公开第一部分和第二部分，因此也未公开电阻关系，特征I未公开。 |
| **技术特征J：在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层（未公开）** | 对比文件在形成第二发射极部分后去除掺杂膏（段落[0082]：“接下来，去除掺杂膏110。”），但未公开去除玻璃组成层。在对比文件中，玻璃组成层（PSG）在热扩散后已被去除（段落[0069]：“在热扩散工艺之后，生长的氧化物可通过使用HF等蚀刻去除。”），而不是在形成高浓度部分之后去除。 | 对比文件没有公开在形成高浓度发射层之后去除玻璃组成层，特征J未公开。 |
| **技术特征K：在所述低浓度发射层上形成绝缘层（直接公开）** | 段落[0084]：“接下来，在发射区130上形成抗反射层160。” | 对比文件公开在发射区（包括低浓度部分）上形成抗反射层（绝缘层），直接公开特征K。 |
| **技术特征L：在所述绝缘层上形成第一电极（直接公开）** | 段落[0085]：“通过丝网印刷在抗反射层160上印刷并干燥前电极浆料，以形成前电极图案151。” | 对比文件公开在绝缘层（抗反射层）上形成前电极图案，直接公开特征L。 |
| **技术特征M：所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层（直接公开）** | 段落[0089]：“通过加热过程，前电极图案151穿透抗反射层160，与发射区130的第二发射极部分133接触。” | 对比文件公开前电极穿透抗反射层连接到高浓度发射层（第二发射极部分），直接公开特征M。 |
| **技术特征N：在所述半导体基板的背面处形成背面场层（直接公开）** | 段落[0090]：“通过加热过程，由于后电极浆料中包含的Al掺杂到基板中，形成了背面场区170。” | 对比文件公开在基板背面形成背面场区，直接公开特征N。 |
| **技术特征O：使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型（直接公开）** | 段落[0090]：“背面场区170具有比基板120更重的杂质浓度（p+）。” | 对比文件公开背面场区具有与基板相同的导电类型（p型），直接公开特征O。 |
| **技术特征P：通过热扩散工艺形成所述背面场层（直接公开）** | 段落[0090]通过加热使Al扩散形成背面场区；第二实施例（段落[0122]）通过加热掺杂膏形成背面场区。 | 对比文件采用热扩散工艺形成背面场区，直接公开特征P。 |
| **技术特征Q：在所述背面场层上形成钝化膜（隐含公开）** | 段落[0113]：“太阳能电池10a还可包括位于基板120的前表面和/或后表面上的钝化层。”该钝化层可位于后表面即覆盖背面场层。 | 对比文件公开了太阳能电池可包括钝化层，且该钝化层可位于基板后表面（即背面场层上），本领域技术人员可合理推断出在制造过程中形成钝化膜的步骤，因此特征Q隐含公开。 |
| **技术特征R：在所述钝化膜上形成第二电极（未公开）** | 对比文件第一实施例中第二电极直接形成在背面场区上，无钝化膜；第二实施例中第二电极直接接触背面场区，未提及钝化膜上的电极形成。 | 对比文件没有公开在钝化膜上形成第二电极，也未隐含公开（实施例中钝化膜可选且电极直接接触背面场区），因此特征R未公开。 |
| **技术特征S：所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层（未公开）** | 同特征R，对比文件未公开电极穿过钝化膜连接。 | 对比文件未公开，特征S未公开。 |
| **技术特征T：其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域（未公开）** | 对比文件未公开高浓度发射层内的部分及位置关系。 | 特征T未公开。 |
| **技术特征U：其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG（未公开）** | 对比文件未公开使用玻璃组成层作为激光照射源，仅提及PSG作为热扩散副产物（段落[0069]），但未用于形成高浓度部分。 | 特征U未公开。 |
| **技术特征V：该方法还包括以下步骤（直接公开）** | 对比文件公开了制造太阳能电池的完整方法，包括多个步骤，如形成掺杂膏、加热、激光照射、去除掺杂膏、形成电极等（例如段落[0062]-[0090]）。 | 对比文件的方法包括一系列步骤，因此直接公开了“该方法还包括以下步骤”这一特征。 |
| **技术特征W：在所述绝缘层上方涂布电极组成层（直接公开）** | 段落[0085]：“通过丝网印刷在抗反射层160上印刷并干燥前电极浆料，以形成前电极图案151。” | 对比文件公开在绝缘层上涂布电极组成层（前电极浆料），直接公开特征W。 |
| **技术特征X：使所述电极组成层经受热处理（直接公开）** | 段落[0088]：“对带有前电极图案和后电极图案的基板120进行加热处理，以形成多个前电极150……” | 对比文件公开对电极组成层进行热处理，直接公开特征X。 |
| **技术特征Y：使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极（直接公开）** | 段落[0089]：“通过加热过程，前电极图案151穿透抗反射层160，与发射区130的第二发射极部分133接触。” | 对比文件公开通过热处理使电极穿透绝缘层连接到高浓度发射层，该过程即为烧穿工艺，直接公开特征Y。 |
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