对比文件名称：2009-10-22_US2009260684A_发明申请_US20090260684A1 SOLAR CELL, METHOD OF FORMING EMITTER LAYER OF SOLAR CELL, AND METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL
目标专利名称：1744太阳能电池及其制造方法CN103390659B
本次调用的模型名称：你是一名专利创造性评估经验丰富的资深专利代理师
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层（直接公开） | 对比文件[0046]：发射层302位于基板表面上，是第二导电类型，例如n型，与基板301的导电类型相反，并位于基板的正面（光入射面）。[0047]：发射层302包括多个第一发射部分302a和多个第二发射部分302b。第一发射部分302a的杂质浓度较低，第二发射部分302b的杂质浓度较高，因此第二发射部分302b的薄层电阻小于第一发射部分302a的薄层电阻。 | 对比文件明确公开了在基板正面形成第一发射部分（即低浓度发射层），且其薄层电阻较高（即第一电阻），因此直接公开了特征A。 |
| 技术特征B：使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型（直接公开） | 对比文件[0046]：发射层302具有第二导电类型，例如n型，与基板301的导电类型（p型）相反。 | 对比文件直接公开了发射层（包括低浓度部分）的导电类型与基板相反，即特征B。 |
| 技术特征C：通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层（直接公开） | 对比文件[0071]：将基板301放置在扩散炉中，注入氧气和n型杂质气体（如POCl3），将杂质扩散到基板中，形成第一发射部分302a。 | 对比文件明确使用热扩散工艺形成低浓度发射层（第一发射部分），因此直接公开特征C。 |
| 技术特征D：形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层（直接公开） | 对比文件[0047]：第二发射部分302b的杂质浓度高于第一发射部分302a，且第二发射部分302b的薄层电阻小于第一发射部分302a的薄层电阻。 | 对比文件直接公开了高浓度发射层（第二发射部分）具有比低浓度发射层更低的电阻，即特征D。 |
| 技术特征E：所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分（未公开） | 对比文件[0047]仅描述第二发射部分302b具有均匀的高浓度，未将其进一步划分为不同电阻的第一部分和第二部分。 | 对比文件未公开高浓度发射层内部存在不同电阻的区域，因此特征E未被公开。 |
| 技术特征F：所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成（未公开） | 对比文件[0073]-[0087]描述了通过激光束照射绝缘层（PSG）形成第二发射部分，但未提及使用不同功率的激光束形成不同部分，且未将第二发射部分分为第一部分和第二部分。 | 对比文件未公开通过不同功率激光束形成高浓度发射层的不同部分，因此特征F未被公开。 |
| 技术特征G：所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成（未公开） | 对比文件[0073]-[0087]仅使用单一功率或能量密度的激光束形成第二发射部分，未区分第一功率和第二功率。 | 对比文件未公开通过不同功率激光束形成高浓度发射层的不同部分，因此特征G未被公开。 |
| 技术特征H：所述第一部分位于所述第二部分之间（未公开） | 对比文件未公开高浓度发射层内部的第一部分和第二部分之间的位置关系。 | 对比文件未公开任何关于高浓度发射层内部分区及位置关系的内容，因此特征H未被公开。 |
| 技术特征I：所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻（未公开） | 对比文件未公开高浓度发射层内部不同区域的电阻差异。 | 对比文件未公开高浓度发射层内部分为不同电阻的区域，因此特征I未被公开。 |
| 技术特征J：在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层（直接公开） | 对比文件[0088]：在完成发射层302（包括第二发射部分302b）之后，移除位于基板301上的绝缘层303。 | 对比文件直接公开了在形成高浓度发射层（第二发射部分）后去除玻璃组成层（绝缘层303），即特征J。 |
| 技术特征K：在所述低浓度发射层上形成绝缘层（直接公开） | 对比文件[0090]：在发射层302上形成减反射层304。减反射层304为绝缘层（如氮化硅）。 | 对比文件直接公开了在低浓度发射层（第一发射部分）上形成绝缘层（减反射层），即特征K。 |
| 技术特征L：在所述绝缘层上形成第一电极（直接公开） | 对比文件[0091]：通过丝网印刷在减反射层304上印刷前电极浆料，形成指状电极图案和总线电极图案。 | 对比文件直接公开了在绝缘层（减反射层）上形成第一电极（前电极），即特征L。 |
| 技术特征M：所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层（直接公开） | 对比文件[0093]：通过加热工艺，前电极图案穿透减反射层304与发射层302接触，具体地，指状电极305a接触第二发射部分302b（高浓度发射层）。 | 对比文件直接公开了第一电极延伸穿过绝缘层并电连接到高浓度发射层，即特征M。 |
| 技术特征N：在所述半导体基板的背面处形成背面场层（直接公开） | 对比文件[0044]：背面场层307位于基板301与背面电极306之间。[0094]：通过加热工艺，背面电极浆料中的铝掺杂到基板中形成背面场层307。 | 对比文件直接公开了在基板背面形成背面场层，即特征N。 |
| 技术特征O：使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型（直接公开） | 对比文件[0060]：背面场层307是与基板301相同导电类型（p型）的重掺杂区域，为p+型。 | 对比文件直接公开了背面场层的导电类型与基板相同，即特征O。 |
| 技术特征P：通过热扩散工艺形成所述背面场层（直接公开） | 对比文件[0094]：通过加热工艺，铝从背面电极浆料扩散到基板中形成背面场层307。 | 对比文件直接公开了通过热扩散（加热）工艺形成背面场层，即特征P。 |
| 技术特征Q：在所述背面场层上形成钝化膜（未公开） | 对比文件未提及在背面场层上形成单独的钝化膜。对比文件仅描述了在正面形成减反射层，背面未描述钝化层。 | 对比文件未公开在背面场层上形成钝化膜，因此特征Q未被公开。 |
| 技术特征R：在所述钝化膜上形成第二电极（未公开） | 对比文件未公开背面钝化膜，因此也未公开在钝化膜上形成第二电极。对比文件的背面电极直接形成在背面场层或基板上。 | 对比文件未公开在钝化膜上形成第二电极，因此特征R未被公开。 |
| 技术特征S：所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层（未公开） | 对比文件未公开背面钝化膜，因此也未公开第二电极穿过钝化膜连接到背面场层。 | 对比文件未公开任何背面钝化膜及电极穿过钝化膜的结构，因此特征S未被公开。 |
| 技术特征T：其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域（未公开） | 对比文件未公开高浓度发射层内部分为第一部分和第二部分，也未公开任何位置关系。 | 对比文件未公开该特征，因此特征T未被公开。 |
| 技术特征U：其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG（直接公开） | 对比文件[0071]：绝缘层303是磷硅玻璃（PSG），例如P2O5。 | 对比文件直接公开了玻璃组成层为PSG，因此公开了特征U中至少一种材料（PSG），故直接公开。 |
| 技术特征V：该方法还包括以下步骤（直接公开） | 对比文件[0008]概括了方法包括形成第一发射部分、选择性加热形成第二发射部分、形成第一电极和第二电极等步骤；[0091]-[0093]具体描述了涂布电极浆料、加热、电极穿透减反射层等步骤。 | 对比文件直接公开了该方法包括后续步骤，因此特征V被直接公开。 |
| 技术特征W：在所述绝缘层上方涂布电极组成层（直接公开） | 对比文件[0091]：在减反射层304上通过丝网印刷涂布前电极浆料（电极组成层）。 | 对比文件直接公开了在绝缘层上涂布电极组成层，即特征W。 |
| 技术特征X：使所述电极组成层经受热处理（直接公开） | 对比文件[0092]：对带有前电极图案和背面电极图案的基板进行加热处理。 | 对比文件直接公开了使电极组成层经受热处理，即特征X。 |
| 技术特征Y：使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极（直接公开） | 对比文件[0093]：通过加热工艺，前电极图案穿透减反射层304与发射层302接触，指状电极305a接触第二发射部分302b（高浓度发射层）。 | 对比文件直接公开了烧穿工艺形成电连接到高浓度发射层的第一电极，即特征Y。 |
根据上述分析，对比文件直接公开了技术特征：A、B、C、D、J、K、L、M、N、O、P、U、V、W、X、Y。
未公开的特征：E、F、G、H、I、Q、R、S、T。
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