对比文件名称：2012-03-15_JP2012054457A_发明专利_JP2012054457A Solar battery cell and manufacturing method therefor
目标专利名称：1744太阳能电池及其制造方法CN103390659B
本次调用的模型名称：GPT-4
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| A: 在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层（直接公开） | 对比文件[2]：“基板Ｗの表面１０全体にボロン拡散が行われる。こうして、基板Ｗの表面１０において、…低濃度ｐ型拡散領域１６が形成される。…低濃度ｐ型拡散領域１６のシート抵抗は３０〜１５０Ω／□であることが好ましい。” | 对比文件公开了在n型硅基板正面通过热扩散形成低浓度p型扩散区域（低浓度发射层），其薄层电阻较高（30-150Ω/□），即具有第一电阻。因此直接公开。 |
| B: 使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型（直接公开） | 对比文件[2]：“ｎ型のシリコン単結晶基板である半導体基板Ｗ”和“低濃度ｐ型拡散領域１６”。 | 对比文件基板为n型，低浓度发射层为p型，导电类型相反。直接公开。 |
| C: 通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层（直接公开） | 对比文件[2]：“９３０℃に設定した拡散炉において、三臭化ホウ素（ＢＢｒ３）ガスを含有する雰囲気下で基板Ｗの表面１０全体にボロン拡散が行われる。” | 对比文件通过热扩散（硼扩散）形成低浓度p型扩散区域，明确公开热扩散工艺。直接公开。 |
| D: 形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层（直接公开） | 对比文件[2]：“高濃度ｐ型拡散領域１５が島状に形成される。…高濃度ｐ型拡散領域１５のシート抵抗は２０〜６０Ω／□であることが好ましい。” | 对比文件形成高浓度p型扩散区域，其薄层电阻低于低浓度区域，即具有较低的第二电阻。直接公开。 |
| E: 所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分（未公开） | 对比文件公开高浓度p型扩散区域（15）为均匀掺杂区域，未公开其内部包含第一部分和第二部分。 | 对比文件仅公开了高浓度区域整体，未公开其内部进一步划分为不同电阻的第一部分和第二部分，本领域技术人员不能直接或隐含得出该结构。因此未公开。 |
| F: 所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成（未公开） | 对比文件[2]提到“高濃度ｐ型拡散領域や高濃度ｎ型拡散領域を別々に形成する方法として、レーザードーピング法によって、拡散層を形成してもよい。”但未具体描述使用激光束照射玻璃组成层。 | 对比文件仅提及激光掺杂法作为形成高浓度区域的替代方法，但未公开具体使用激光束照射低浓度发射层上的玻璃组成层，也未公开使用不同功率形成不同部分。本领域技术人员不能从对比文件合理推断出该具体工艺。因此未公开。 |
| G: 所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成（未公开） | 同特征F，对比文件未公开相关内容。 | 类似，对比文件未公开使用不同功率激光照射玻璃组成层形成第二部分，因此未公开。 |
| H: 所述第一部分位于所述第二部分之间（未公开） | 对比文件未公开高浓度区域内部位置关系。 | 对比文件无相应公开。 |
| I: 所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻（未公开） | 对比文件未公开高浓度区域内不同电阻。 | 对比文件无相应公开。 |
| J: 在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层（直接公开） | 对比文件[2]：“基板Ｗの表面１０・裏面２０に形成されたボロンシリケートガラス膜（図示せず）とリン酸ガラス膜（図示せず）をフッ酸水溶液を用いたエッチングによって除去する。” | 对比文件在形成高浓度和低浓度扩散层后，用氢氟酸去除玻璃组成层（硼硅酸盐玻璃膜、磷酸玻璃膜）。由于高浓度区域已形成，相当于在形成高浓度发射层之后去除玻璃组成层。直接公开。 |
| K: 在所述低浓度发射层上形成绝缘层（直接公开） | 对比文件[2]：“プラズマＣＶＤ装置によって表面１０・裏面２０全体に例えば窒化膜（ＳｉＮｘ膜）である反射防止膜３５を形成させる。” | 对比文件在形成扩散层后，在正面和背面形成氮化硅反射防止膜（绝缘层），覆盖低浓度发射层。直接公开。 |
| L: 在所述绝缘层上形成第一电极（直接公开） | 对比文件[2]：“高濃度ｐ型拡散領域１５表面（図中上方）に例えばＡｇを含む導電性ペーストからなる第１電極層４０が所定のパターンに印刷され、…第２電極層４２がスクリーン印刷によって印刷され、乾燥が行われる。” | 对比文件在反射防止膜上印刷导电浆料形成第一电极（包括第1和第2电极层）。直接公开。 |
| M: 所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层（直接公开） | 对比文件[2]：“電極４５が表面１０の高濃度ｐ型拡散領域上と裏面２０の高濃度ｎ型拡散領域上に形成された基板Ｗの焼成が行われ、太陽電池セルＡが作製される。” | 通过烧成，电极穿过反射防止膜接触高浓度p型扩散区域，形成电连接。直接公开。 |
| N: 在所述半导体基板的背面处形成背面场层（直接公开） | 对比文件[2]：“基板Ｗの裏面２０に複数の高濃度ｎ型拡散領域２５が島状に形成される。…低濃度ｎ型拡散領域２６が形成される。”或“全面均一なｎ型拡散層”。 | 对比文件在背面形成n型扩散层（高浓度和低浓度区域或均匀层），作为背面场层。直接公开。 |
| O: 使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型（直接公开） | 对比文件[2]：“ｎ型のシリコン単結晶基板”和“ｎ型拡散層”。 | 背面场层为n型，与基板n型相同。直接公开。 |
| P: 通过热扩散工艺形成所述背面场层（直接公开） | 对比文件[2]：“オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）ガスを含有する雰囲気下で…リン拡散が行われる。” | 对比文件通过热扩散（磷扩散）形成n型扩散层。直接公开。 |
| Q: 在所述背面场层上形成钝化膜（直接公开） | 对比文件[2]：“プラズマＣＶＤ装置によって表面１０・裏面２０全体に例えば窒化膜（ＳｉＮｘ膜）である反射防止膜３５を形成させる。” | 背面反射防止膜（氮化硅）起钝化作用，即为钝化膜。直接公开。 |
| R: 在所述钝化膜上形成第二电极（直接公开） | 对比文件[2]：“基板Ｗの裏面２０の高濃度ｎ型拡散領域２５表面（図中下方）に例えばＡｇを含む導電性ペーストからなる第１電極層４０が所定のパターンに印刷され、…第２電極層４２がスクリーン印刷によって印刷され、乾燥が行われる。” | 在背面反射防止膜上印刷导电浆料形成第二电极。直接公开。 |
| S: 所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层（直接公开） | 对比文件[2]：“電極４５が表面１０の高濃度ｐ型拡散領域上と裏面２０の高濃度ｎ型拡散領域上に形成された基板Ｗの焼成が行われ、太陽電池セルＡが作製される。” | 烧成后第二电极穿过反射防止膜接触背面高浓度n型扩散区域（背面场层）。直接公开。 |
| T: 其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域（未公开） | 对比文件未公开第二部分布置。 | 对比文件无相应公开。 |
| U: 其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG（直接公开） | 对比文件[2]：“ボロンシリケートガラス膜”（硼硅玻璃）和“リン酸ガラス膜”（磷硅玻璃）。 | 对比文件在形成p型扩散层时形成硼硅酸盐玻璃膜（BSG），在形成n型扩散层时形成磷酸玻璃膜（PSG）。直接公开。 |
| V: 该方法还包括以下步骤（直接公开） | 对比文件全文公开了制造方法，包括多个步骤。 | 对比文件公开了太阳电池的制造方法，必然包括多个步骤。直接公开。 |
| W: 在所述绝缘层上方涂布电极组成层（直接公开） | 对比文件[2]：“スクリーン印刷機を用いて、基板Ｗの裏面２０の高濃度ｎ型拡散領域２５表面（図中下方）に例えばＡｇを含む導電性ペーストからなる第１電極層４０が所定のパターンに印刷され、”等等。 | 对比文件通过丝网印刷在反射防止膜（绝缘层）上涂布导电浆料（电极组成层）。直接公开。 |
| X: 使所述电极组成层经受热处理（直接公开） | 对比文件[2]：“その後乾燥が行われる。”和“焼成が行われ”。 | 对比文件对印刷的电极浆料进行干燥和烧成（热处理）。直接公开。 |
| Y: 使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极（直接公开） | 对比文件[2]：“電極４５が表面１０の高濃度ｐ型拡散領域上と裏面２０の高濃度ｎ型拡散領域上に形成された基板Ｗの焼成が行われ、太陽電池セルＡが作製される。” | 烧成过程中，电极浆料烧穿反射防止膜，形成与高浓度发射层的电连接，即烧穿工艺。直接公开。 |
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