对比文件名称：2011-01-19_CN101952971A_发明公开_CN101952971A 用于制造具有表面钝化介电双层的太阳能电池的方法以及对应的太阳能电池
目标专利名称：1750太阳能电池及其制造方法CN103700713B
本次调用的模型名称：AI专利分析模型
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述太阳能电池包括《直接公开》 | 对比文件[0032]：“一种太阳能电池，包括：硅衬底；在所述硅衬底的表面上的包括氧化铝的第一介电层；在所述第一介电层的表面上的第二介电层...” | 对比文件明确公开了一种太阳能电池，其包括硅衬底、第一介电层、第二介电层等，因此直接公开了技术特征A“太阳能电池包括”。 |
| 技术特征B：所述半导体基板《直接公开》 | 对比文件[0032]：“硅衬底” | 对比文件公开了太阳能电池包括硅衬底，即半导体基板，因此直接公开。 |
| 技术特征C：所述p型导电区域形成在所述半导体基板处《隐含公开》 | 对比文件[0035]：“可非常有效地钝化低和高掺杂n和p型的硅表面”；[0043]：“表面上的发射极例如提前被扩散到该硅晶片中” | 对比文件虽然未明确提及“p型导电区域”，但公开了可钝化p型硅表面，且发射极形成在硅衬底表面。本领域技术人员结合公知常识可知，发射极可以是p型导电区域，且该区域形成在半导体基板处，因此隐含公开。 |
| 技术特征D：所述p型导电区域包括p型杂质《隐含公开》 | 对比文件[0037]：“p型硅上Al2O3层中的高负电荷浓度” | 对比文件提到p型硅，且本领域技术人员已知p型硅含有p型杂质（如硼）。从对比文件可合理推断出p型导电区域包含p型杂质，因此隐含公开。 |
| 技术特征E：所述钝化膜形成在所述p型导电区域上《隐含公开》 | 对比文件[0011]：“通过原子层沉积在硅衬底的表面上沉积第一介电层”；[0035]：“可非常有效地钝化...p型的硅表面” | 对比文件公开了第一介电层（钝化膜）沉积在硅衬底表面，且该钝化膜可用于p型表面。当p型导电区域形成在硅衬底处时，钝化膜必然形成在该区域上，因此隐含公开。 |
| 技术特征F：所述钝化膜包括铝氧化物《直接公开》 | 对比文件[0011]：“第一介电层包括氧化铝” | 对比文件明确公开第一介电层包括氧化铝（铝氧化物），因此直接公开。 |
| 技术特征G：所述抗反射膜形成在所述钝化膜上《直接公开》 | 对比文件[0011]：“在所述第一介电层的表面上沉积第二介电层”；[0017]：“第二介电层优选地用作抗反射层” | 对比文件公开第二介电层沉积在第一介电层（钝化膜）上，且第二介电层用作抗反射膜，因此直接公开。 |
| 技术特征H：所述抗反射膜包括硅氮化物《直接公开》 | 对比文件[0026]：“第二介电层包括氮化硅” | 对比文件明确公开第二介电层包括氮化硅（硅氮化物），因此直接公开。 |
| 技术特征I：所述钝化膜具有7至10nm的厚度《隐含公开》 | 对比文件[0030]：“以小于50nm，优选地小于30nm且更优选地小于10nm的厚度沉积第一介电层” | 对比文件公开了第一介电层厚度优选小于10nm，而目标专利的7-10nm厚度属于该优选范围。本领域技术人员根据对比文件教导，完全可以选择7-10nm的厚度，因此隐含公开。 |
| 技术特征J：所述铝氧化物具有化学式AlO1.5+X《未公开》 | 无 | 对比文件仅提及氧化铝（Al2O3），未公开铝氧化物具有化学式AlO1.5+X，且无任何暗示，因此未公开。 |
| 技术特征K：其中0<x≤0.5《未公开》 | 无 | 对比文件未公开x的取值范围，且未提及非化学计量比，因此未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述铝氧化物具有化学式AlO1.5+X《未公开》 | 同特征J | 同特征J，未公开。 |
| 技术特征M：其中0.001≤x≤0.5《未公开》 | 无 | 对比文件未公开具体x范围，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述p型导电区域包括发射极层《隐含公开》 | 对比文件[0043]：“表面上的发射极例如提前被扩散到该硅晶片中”；[0035]：“可钝化...p型的硅表面” | 对比文件公开了发射极层形成在硅衬底表面，且可钝化p型表面。本领域技术人员可以理解该发射极层可以是p型导电区域，因此隐含公开。 |
| 技术特征O：所述发射极层形成在所述半导体基板的前表面处《隐含公开》 | 对比文件[0043]：“表面上的发射极”结合图1及常识，发射极通常形成在前表面 | 对比文件虽未明确指明前表面，但根据太阳能电池常规结构，发射极位于前表面，且对比文件图1示意性示出前表面，因此隐含公开。 |
| 技术特征P：所述钝化膜形成在所述发射极层上《隐含公开》 | 对比文件[0043]：沉积Al2O3层在包含发射极的硅表面上 | 对比文件公开了第一介电层（钝化膜）沉积在包含发射极的硅表面，因此隐含公开钝化膜形成在发射极层上。 |
| 技术特征Q：其中，所述p型导电区域包括背表面场层《未公开》 | 无 | 对比文件未提及背表面场层，因此未公开。 |
| 技术特征R：所述背表面场层形成在所述半导体基板的背表面处《未公开》 | 无 | 对比文件未公开背表面场层及其位置，因此未公开。 |
| 技术特征S：所述钝化膜形成在所述背表面场层上《未公开》 | 无 | 对比文件未公开背表面场层，因此未公开钝化膜在其上。 |
| 技术特征T：所述太阳能电池进一步包括电极《直接公开》 | 对比文件[0050]：“最后，例如通过丝网印刷将金属触点7、9设置到所涂覆的硅衬底的前面和后面” | 对比文件公开了金属触点（电极）作为太阳能电池的一部分，因此直接公开。 |
| 技术特征U：所述电极形成在所述钝化膜上《直接公开》 | 对比文件[0050]：“将金属触点7、9设置到所涂覆的硅衬底的前面和后面” | 对比文件公开了金属触点设置在钝化层（所涂覆的层）上，因此直接公开电极形成在钝化膜上。 |
| 技术特征V：所述电极电连接到所述p型导电区域《隐含公开》 | 对比文件[0050]：烧制后形成接触，连接至发射极等 | 对比文件公开了金属触点通过烧制形成电连接，且本领域技术人员知晓其连接至导电区域。当p型导电区域隐含公开时，电极电连接至该区域也被隐含公开。 |
| 技术特征W：所述电极完全形成在所述钝化膜上《未公开》 | 无 | 对比文件未公开电极完全形成在钝化膜上，通常电极部分穿透钝化膜，因此未公开。 |
| 技术特征X：所述电极与所述p型导电区域点接触《未公开》 | 无 | 对比文件未公开点接触结构，因此未公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述p型导电区域的所述背表面场层局部地形成在与所述电极的一部分相邻的区域中《未公开》 | 无 | 对比文件未公开背表面场层及其局部形成，因此未公开。 |
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