对比文件名称：2009-05-20_DE102007054384A_发明专利_DE102007054384A1 Method for producing a solar cell with a surface-passivating dielectric double layer and corresponding solar cell
目标专利名称：1750太阳能电池及其制造方法CN103700713B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述太阳能电池包括（直接公开） | 根据第二方面，提出一种太阳能电池（“Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Solarzelle vorgeschlagen”），见发明内容部分。 | 对比文件明确公开了一种太阳能电池，因此直接公开了特征A。 |
| 技术特征B：所述半导体基板（直接公开） | 提供硅基板（“Bereitstellen eines Siliziumsubstrats”），见发明内容部分。 | 对比文件明确公开了硅基板，因此直接公开了特征B。 |
| 技术特征C：所述p型导电区域形成在所述半导体基板处（直接公开） | 对比文件提到p型硅表面（“p-Typ Siliziumoberflächen”）和p⁺硅表面（“p⁺-Silizium-Oberflächen”），见背景技术部分。 | 对比文件公开了p型导电区域存在于硅基板表面，因此直接公开了特征C。 |
| 技术特征D：所述p型导电区域包括p型杂质（直接公开） | 对比文件提到硼掺杂的p⁺硅表面（“bordotierten p⁺-Silizium-Oberflächen”），见背景技术部分。 | 对比文件明确公开了p型杂质（硼）掺杂的区域，因此直接公开了特征D。 |
| 技术特征E：所述钝化膜形成在所述p型导电区域上（直接公开） | 在硅基板表面沉积第一电介质层（“Abscheiden einer ersten Dielektrikumschicht an einer Oberfläche des Siliziumsubstrates”），该表面为p型区域，见发明内容部分。 | 对比文件公开了第一电介质层（Al₂O₃）直接形成在p型导电区域上，因此直接公开了特征E。 |
| 技术特征F：所述钝化膜包括铝氧化物（直接公开） | 第一电介质层包括铝氧化物（“erste Dielektrikumschicht Aluminiumoxid aufweist”），见发明内容部分。 | 对比文件明确公开了钝化膜包括铝氧化物，因此直接公开了特征F。 |
| 技术特征G：所述抗反射膜形成在所述钝化膜上（直接公开） | 第二电介质层优选作为抗反射层涂覆在第一电介质层上（“die zweite Dielektrikumschicht vorzugsweise als Antireflexschicht aufgebracht”），见发明内容部分。 | 对比文件公开了抗反射膜形成在钝化膜上，因此直接公开了特征G。 |
| 技术特征H：所述抗反射膜包括硅氮化物（直接公开） | 对比文件提到第二电介质层可以是硅氮化物（“Siliziumnitrid”），见具体实施方式部分。 | 对比文件明确公开了抗反射膜包括硅氮化物，因此直接公开了特征H。 |
| 技术特征I：所述钝化膜具有7至的厚度（隐含公开） | 第一电介质层厚度小于10nm，优选小于5nm（“weniger als 10 nm”和“etwa 5 nm”），见具体实施方式部分。 | 对比文件公开了Al₂O₃层厚度小于10nm，该范围包含7nm；本领域技术人员根据对比文件公开的上限范围可以合理选择7nm的厚度，因此隐含公开了特征I。 |
| 技术特征J：所述铝氧化物具有化学式AlO₁.₅₊X（不公开） | 对比文件始终称该层为Al₂O₃（铝氧化物），见全文。 | 对比文件明确公开的铝氧化物是化学计量比的Al₂O₃（对应AlO₁.₅），而非目标专利的AlO₁.₅₊X（X>0），且无任何关于非化学计量比的启示，因此未公开特征J。 |
| 技术特征K：其中0。（不公开） | 无相关内容。 | 对比文件未公开AlO₁.₅₊X的化学式或其范围，因此未公开特征K。 |
| 技术特征L：其中，所述铝氧化物具有化学式AlO₁.₅₊X（不公开） | 同特征J，无相关内容。 | 同特征J，对比文件未公开特征L。 |
| 技术特征M：其中0.001≤x≤0.5。（不公开） | 无相关内容。 | 对比文件未公开AlO₁.₅₊X的化学式及其X范围，因此未公开特征M。 |
| 技术特征N：其中，所述p型导电区域包括发射极层（隐含公开） | 在硅片表面扩散了发射极（“in die z. B. zuvor ein Emitter an einer Oberfläche eindiffundiert wurde”），见具体实施方式部分。 | 对比文件公开了发射极层，但未明确其导电类型。然而，本领域技术人员已知发射极可以是p型，且对比文件背景技术提及p型发射极，因此可以合理推断该发射极可以是p型，从而隐含公开了特征N。 |
| 技术特征O：所述发射极层形成在所述半导体基板的前表面处（直接公开） | 对比文件提到前表面（“Vorderseite des Solarzellensubstrates”）作为入射面，发射极可形成于此，见发明内容部分。 | 对比文件公开了发射极可以形成在前表面，因此直接公开了特征O。 |
| 技术特征P：所述钝化膜形成在所述发射极层上（直接公开） | 第一电介质层沉积在发射极上（通过顺序工艺），见具体实施方式部分。 | 对比文件公开了第一电介质层（钝化膜）形成在发射极层上，因此直接公开了特征P。 |
| 技术特征Q：其中，所述p型导电区域包括背表面场层（不公开） | 无相关内容。 | 对比文件未提及背表面场层，因此未公开特征Q。 |
| 技术特征R：所述背表面场层形成在所述半导体基板的背表面处（不公开） | 无相关内容。 | 对比文件未公开背表面场层，因此未公开特征R。 |
| 技术特征S：所述钝化膜形成在所述背表面场层上（不公开） | 无相关内容。 | 对比文件未公开背表面场层，因此未公开特征S。 |
| 技术特征T：所述太阳能电池进一步包括电极（直接公开） | 最终将金属接触施加到前后表面（“Abschließend werden Metallkontakte 7, 9 auf die Frontseite und die Rückseite des beschichteten Siliziumsubstrates aufgebracht”），见具体实施方式部分。 | 对比文件明确公开了电极，因此直接公开了特征T。 |
| 技术特征U：所述电极形成在所述钝化膜上（直接公开） | 金属接触涂覆在涂覆过的硅基板表面（即钝化膜上），见具体实施方式部分。 | 对比文件公开了电极形成在钝化膜上，因此直接公开了特征U。 |
| 技术特征V：所述电极电连接到所述p型导电区域（直接公开） | 金属接触通过烧穿（“eingefeuert”）形成电连接，见具体实施方式部分。 | 对比文件公开了电极通过烧穿工艺电连接到下方的p型导电区域，因此直接公开了特征V。 |
| 技术特征W：所述电极完全形成在所述钝化膜上（直接公开） | 金属接触通过丝网印刷涂覆在钝化膜上，然后烧穿，但电极整体位于钝化膜上，见具体实施方式部分。 | 对比文件公开了电极图案完全位于钝化膜上，未延伸至钝化膜外，因此直接公开了特征W。 |
| 技术特征X：所述电极与所述p型导电区域点接触（隐含公开） | 金属接触通过烧穿形成局部接触，但未明确说明为点接触，见具体实施方式部分。 | 对比文件公开了电极通过烧穿穿过钝化膜与硅接触，通常形成局部点接触，本领域技术人员可以合理推断出该接触为点接触，因此隐含公开了特征X。 |
| 技术特征Y：其中，所述p型导电区域的所述背表面场层局部地形成在与所述电极的一部分相邻的区域中（不公开） | 无相关内容。 | 对比文件未公开背表面场层，更未公开其局部形成与电极相邻，因此未公开特征Y。 |
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