在回答的开始明确对比文件名称、目标专利名称及模型名称。
对比文件名称：2008-03-27_US2008072959A_发明申请_US20080072959A1 Solar cell and method of fabricating the same
目标专利名称：1750太阳能电池及其制造方法CN103700713B
本次调用的模型名称：GPT-4
以下为特征比对表格，对目标专利权利要求中的每一技术特征进行公开性判断。
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述太阳能电池包括（直接公开） | 对比文件[0019]：“太阳能电池2包括半导体结构组合22和多原子层结构24”。 | 对比文件明确公开了一种太阳能电池（solar cell 2），其特征A直接公开。 |
| 技术特征B：所述半导体基板（直接公开） | 对比文件[0021]：“半导体结构组合22还包括硅基板”。 | 对比文件公开了硅基板作为半导体基板，特征B直接公开。 |
| 技术特征C：所述p型导电区域形成在所述半导体基板处（直接公开） | 对比文件[0007]：“p+型区域18覆盖p型基板12的表面”。 | 对比文件公开了p+型区域（p型导电区域）形成在p型基板（半导体基板）处，特征C直接公开。 |
| 技术特征D：所述p型导电区域包括p型杂质（直接公开） | 对比文件[0007]：“p+型区域18”为p型重掺杂，包含p型杂质。 | 对比文件中的p+型区域明确包含p型杂质，特征D直接公开。 |
| 技术特征E：所述钝化膜形成在所述p型导电区域上（未公开） | 对比文件[0022]：“多原子层结构24覆盖半导体结构组合22的受光表面224”。 | 对比文件中的多原子层结构（钝化膜）形成在受光表面，该表面通常为n型区域，未明确形成在p型导电区域上，本领域技术人员不能毫无疑义地得出钝化膜在p型导电区域上，特征E未公开。 |
| 技术特征F：所述钝化膜包括铝氧化物（直接公开） | 对比文件[0023]：“铝氧化物形成在多原子层结构24中，提供表面钝化层功能”。 | 对比文件明确公开钝化膜包含铝氧化物，特征F直接公开。 |
| 技术特征G：所述抗反射膜形成在所述钝化膜上（直接公开） | 对比文件[0025]及[0037]：多原子层结构24包括氧化锌层（作为透明导电层），且该层可起抗反射层作用；氧化锌层位于铝氧化物层之上。 | 对比文件的多原子层结构中，氧化锌层（抗反射膜）形成在铝氧化物层（钝化膜）上，且明确该结构可作为抗反射层，特征G直接公开。 |
| 技术特征H：所述抗反射膜包括硅氮化物（未公开） | 对比文件全文未提及硅氮化物。 | 对比文件的抗反射层为ZnO:Al或其他氧化物，未公开硅氮化物，特征H未公开。 |
| 技术特征I：所述钝化膜具有7至的厚度（直接公开） | 对比文件[0023]：“铝氧化物薄膜的优选厚度为约1 nm至10 nm”。 | 对比文件公开了铝氧化物钝化膜厚度范围为1-10 nm，该范围包含目标专利的7 nm（若7 nm，则直接公开；若7 Å，则1 nm=10 Å，范围不包含7 Å，但目标专利说明书通常以nm为单位，且实验示例厚度为1.5-3 nm，故7 nm在范围内），因此特征I直接公开。 |
| 技术特征J：所述铝氧化物具有化学式AlO1.5+X（未公开） | 对比文件[0023]仅提及“铝氧化物”，未指明化学式。 | 对比文件未公开铝氧化物的具体化学式，特征J未公开。 |
| 技术特征K：其中0（未公开） | 对比文件未提及。 | 特征K不完整，且对比文件无相关公开，特征K未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述铝氧化物具有化学式AlO1.5+X（未公开） | 同特征J。 | 对比文件未公开，特征L未公开。 |
| 技术特征M：其中0.001≤x≤0.5（未公开） | 对比文件未提及。 | 对比文件未公开x的具体范围，特征M未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述p型导电区域包括发射极层（未公开） | 对比文件[0006]中发射极为n型区域14，p型导电区域为p型基板12或p+区域18，不是发射极层。 | 对比文件未公开p型发射极层，特征N未公开。 |
| 技术特征O：所述发射极层形成在所述半导体基板的前表面处（未公开） | 同特征N，对比文件无p型发射极层。 | 特征O未公开。 |
| 技术特征P：所述钝化膜形成在所述发射极层上（未公开） | 同特征N、O。 | 特征P未公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述p型导电区域包括背表面场层（直接公开） | 对比文件[0007]：“p+型区域18覆盖p型基板12的表面”，该区域通常作为背表面场层。 | 对比文件公开了p+型区域作为背表面场层，特征Q直接公开。 |
| 技术特征R：所述背表面场层形成在所述半导体基板的背表面处（直接公开） | 对比文件[0007]：p+型区域18位于p型基板12的背面（非受光面）。 | 对比文件明确背表面场层在基板背表面，特征R直接公开。 |
| 技术特征S：所述钝化膜形成在所述背表面场层上（未公开） | 对比文件[0007]：p+型区域18上覆盖的是p型金属接触层19，无钝化膜。 | 对比文件未公开钝化膜形成在背表面场层上，特征S未公开。 |
| 技术特征T：所述太阳能电池进一步包括电极（直接公开） | 对比文件[0007]：n型金属接触层17和p型金属接触层19。 | 对比文件公开了电极，特征T直接公开。 |
| 技术特征U：所述电极形成在所述钝化膜上（未公开） | 对比文件[0007]：n型金属接触层17通过开口接触n型区域14，并非形成在钝化膜上；p型金属接触层19直接接触p+区域18。 | 对比文件未公开电极形成在钝化膜上，特征U未公开。 |
| 技术特征V：所述电极电连接到所述p型导电区域（直接公开） | 对比文件[0007]：p型金属接触层19电连接到p+型区域18。 | 对比文件公开了电极电连接到p型导电区域，特征V直接公开。 |
| 技术特征W：所述电极完全形成在所述钝化膜上（未公开） | 对比文件无电极完全形成在钝化膜上的结构。 | 特征W未公开。 |
| 技术特征X：所述电极与所述p型导电区域点接触（未公开） | 对比文件[0007]中p型金属接触层19与p+区域18为面接触。 | 对比文件未公开点接触，特征X未公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述p型导电区域的所述背表面场层局部地形成在与所述电极的一部分相邻的区域中（未公开） | 对比文件[0007]中p+区域18为全面覆盖，非局部。 | 对比文件未公开局部背场结构，特征Y未公开。 |
根据上述判断，对比文件直接公开的技术特征代码为：A、B、C、D、F、G、I、Q、R、T、V。
对比文件未隐含公开任何其他技术特征，因此不输出小写代码。
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