对比文件名称：JPWO2011033826A1 太陽電池、その製造方法及び太陽電池モジュール（太阳电池、其制造方法及太阳电池模块）
目标专利名称：CN103700713B 太阳能电池及其制造方法
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：所述太阳能电池包括 – 直接公开** | 对比文件标题及全文多处提及“太陽電池”，如[0001]“本発明は、生産性が高く、安価で高効率な太陽電池…に関する”。 | 对比文件明确涉及一种太阳能电池，该特征为太阳能电池的通用表述，本领域技术人员能毫无疑义地确定其公开。 |
| **技术特征B：所述半导体基板 – 直接公开** | [0013]“半導体基板としては、Ｐ型又はＮ型単結晶シリコン基板、Ｐ型又はＮ型多結晶シリコン基板等を用いることができる”。 | 对比文件明确公开了半导体基板，且该基板用于太阳能电池，与目标专利的基板作用相同。 |
| **技术特征C：所述p型导电区域形成在所述半导体基板处 – 直接公开** | [0016]“裏面電界（ＢＳＦ）層２０６（３０６）を形成するため、…Ｐ+層を形成する”；[0026]“Ｐ+層４０２（５０２）の形成が必須となる”。 | 对比文件公开了在半导体基板表面形成p型导电区域（P+层），该区域作为BSF层或发射极层，直接形成在基板处。 |
| **技术特征D：所述p型导电区域包括p型杂质 – 直接公开** | [0013]“高純度シリコンにＢ、Ｇａ、ＩｎのようなＩＩＩ族元素をドープ”；[0016]“臭化ホウ素等を用いて…Ｐ+層を形成”。 | 对比文件使用硼等III族元素作为p型杂质，形成p型导电区域，与目标专利的p型杂质相同。 |
| **技术特征E：所述钝化膜形成在所述p型导电区域上 – 直接公开** | [0019]“裏面のＰ型シリコン表面には、酸化アルミニウム膜２０５ａ（３０５ａ）を含むパッシベーション膜を形成する”；[0027]“受光面パッシベーションには、Ｐ+層表面に本発明の酸化アルミニウム膜を形成し”。 | 对比文件明确将氧化铝膜（钝化膜）直接形成在p型导电区域（P+层）表面，钝化膜覆盖p型区域，作用与目标专利相同。 |
| **技术特征F：所述钝化膜包括铝氧化物 – 直接公开** | [0019]“酸化アルミニウム膜”；[0020]“Ａｌ2Ｏ3膜”；[0021]“酸化アルミニウム膜”。 | 对比文件多次公开钝化膜由氧化铝（铝氧化物）构成，该材料与目标专利的钝化膜材料相同。 |
| **技术特征G：所述抗反射膜形成在所述钝化膜上 – 直接公开** | [0027]“受光面パッシベーションには、Ｐ+層表面に…酸化アルミニウム膜を形成し、この上に、他の誘電体膜として、さらに酸化シリコン、酸化チタン…等の誘電体膜を重ねて形成してもよい”。 | 对比文件公开了在钝化膜（氧化铝膜）上形成其他介电膜（如氧化钛、氧化硅等），这些介电膜可作为抗反射膜，且明确形成在钝化膜上。 |
| **技术特征H：所述抗反射膜包括硅氮化物 – 隐含公开** | [0018]“反射防止膜となる誘電体膜…例えば、窒化シリコン膜などを約５０～１００ｎｍ程度成膜する”；[0022]“酸化アルミニウム膜上に他の誘電体膜を重ねるように形成しても良い…酸化シリコン、酸化チタン…”。 | 对比文件虽未明确在钝化膜上直接使用硅氮化物作为抗反射膜，但教导了在受光面直接使用氮化硅膜作为抗反射膜（[0018]），且允许在氧化铝膜上形成其他介电膜（[0022]）。本领域技术人员根据公知常识，有动机将氮化硅膜（常见抗反射材料）应用于钝化膜上，因此该特征被隐含公开。 |
| **技术特征I：所述钝化膜具有7至的厚度 – 直接公开** | [0021]“膜厚は４０ｎｍ以下であり、好ましくは３０ｎｍ以下、特に２０ｎｍ以下である”。 | 对比文件公开氧化铝膜厚度为40nm以下，优选30nm以下，更优选20nm以下。目标专利的“7至”厚度（结合说明书理解为7-20nm范围）完全落入40nm以下范围，因此直接公开。 |
| **技术特征J：所述铝氧化物具有化学式AlO1.5+X – 隐含公开** | [0020]“化学量論組成から外れた、Ａｌ1-xＯxにおいて任意の定数ｘの酸化アルミニウム膜”。 | 对比文件公开了非化学计量氧化铝Al1-xOx，该化学式与目标专利的AlO1.5+X实质等同（可相互换算）。本领域技术人员能合理推断出氧化铝膜可具有非化学计量组成，即存在AlO1.5+X形式，因此隐含公开。 |
| **技术特征K：其中0 – 隐含公开** | [0020]“Ａｌ1-xＯxにおいて任意の定数ｘ”；[0020]“化学量論組成から外れた”。 | 对比文件指出氧化铝膜可偏离化学计量，即x可以取任意非零值（0<x<1）。目标专利的“0”即0<x<1，本领域技术人员从对比文件可合理推断出该范围，因此隐含公开。 |
| **技术特征L：其中，所述铝氧化物具有化学式AlO1.5+X – 隐含公开** | 同特征J，引用[0020]。 | 同特征J论述，隐含公开。 |
| **技术特征M：其中0.001≤x≤0.5 – 不公开** | 对比文件未公开任何关于x的具体数值范围，仅提及“任意の定数ｘ”。 | 对比文件没有给出x的具体下限或上限，本领域技术人员无法从对比文件唯一确定0.001≤x≤0.5的范围，因此该特征未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征N：其中，所述p型导电区域包括发射极层 – 直接公开** | [0026]“ＰＮ接合４０３（５０３）を形成する必要からＰ+層４０２（５０２）の形成が必須となる”；[0027]“Ｐ+層表面に本発明の酸化アルミニウム膜を形成”。 | 对比文件在N型基板实施例中，公开了在受光面形成P+层作为发射极层，该P+层即p型导电区域，因此直接公开。 |
| **技术特征O：所述发射极层形成在所述半导体基板的前表面处 – 直接公开** | [0027]“受光面パッシベーションには、Ｐ+層表面に…”；[0026]“受光面にＰ+層”。 | 对比文件明确P+层（发射极层）形成在半导体基板的受光面（前表面），因此直接公开。 |
| **技术特征P：所述钝化膜形成在所述发射极层上 – 直接公开** | [0027]“受光面パッシベーションには、Ｐ+層表面に本発明の酸化アルミニウム膜を形成し”。 | 对比文件公开将氧化铝膜（钝化膜）直接形成在P+层（发射极层）表面，因此直接公开。 |
| **技术特征Q：其中，所述p型导电区域包括背表面场层 – 直接公开** | [0016]“裏面電界（ＢＳＦ）層２０６（３０６）を形成するため、…Ｐ+層を形成する”。 | 对比文件公开在P型基板背面形成P+层作为背表面场（BSF）层，该层为p型导电区域，因此直接公开。 |
| **技术特征R：所述背表面场层形成在所述半导体基板的背表面处 – 直接公开** | [0016]“裏面全面に形成しても良いし…裏面電極のパターンに合わせて局所的に形成しても良い”。 | 对比文件明确BSF层形成在半导体基板的背面（非受光面），因此直接公开。 |
| **技术特征S：所述钝化膜形成在所述背表面场层上 – 直接公开** | [0019]“裏面のＰ型シリコン表面には、酸化アルミニウム膜を含むパッシベーション膜を形成する”。 | 对比文件在背面P型硅表面（即BSF层表面）形成氧化铝钝化膜，因此直接公开。 |
| **技术特征T：所述太阳能电池进一步包括电极 – 直接公开** | [0023]“電極２０７，２０８（３０７，３０８）を形成する”；[0003]“電極１０６，１０７”。 | 对比文件公开了太阳能电池包括受光面电极和背面电极，因此直接公开。 |
| **技术特征U：所述电极形成在所述钝化膜上 – 直接公开** | [0023]“銀ペースト等の導電性ペーストを受光面と裏面に印刷し…焼成することにより形成される”。 | 对比文件公开电极通过印刷导电浆料在钝化膜上，然后烧成形成，电极初始形成在钝化膜上，因此直接公开。 |
| **技术特征V：所述电极电连接到所述p型导电区域 – 直接公开** | [0023]“電極がパッシベーション膜をファイアースルーしてシリコン基板と電気的に接触する”。 | 对比文件公开电极通过烧穿钝化膜与硅基板（p型导电区域）实现电连接，因此直接公开。 |
| **技术特征W：所述电极完全形成在所述钝化膜上 – 直接公开** | [0023]“銀ペースト等の導電性ペーストを受光面と裏面に印刷し”；[0025]“電極直下となる部分が除去されて”。 | 对比文件电极通过印刷形成在钝化膜上，虽然后续烧穿使部分电极材料穿透钝化膜，但电极主体仍完全位于钝化膜上（烧穿前电极整体在钝化膜上），与目标专利通过开口或烧穿形成电极的方式实质相同，因此直接公开。 |
| **技术特征X：所述电极与所述p型导电区域点接触 – 直接公开** | [0025]“酸化アルミニウム膜は、上記焼結体の膜貫通によって電極直下となる部分が除去されて”。 | 对比文件公开电极通过烧穿使钝化膜在电极正下方被去除，形成局部接触，即点接触，因此直接公开。 |
| **技术特征Y：其中，所述p型导电区域的所述背表面场层局部地形成在与所述电极的一部分相邻的区域中 – 直接公开** | [0016]“裏面電極のパターンに合わせて局所的に形成しても良い”。 | 对比文件公开BSF层可以根据背面电极图案局部形成，即BSF层仅形成在与电极相邻的区域，与目标专利的局部背表面场结构相同，因此直接公开。 |
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