**对比文件名称：** 2008-01-17_JP2008010746A_发明专利_JP2008010746A Solar battery and method for manufacture thereof
**目标专利名称：** 1750太阳能电池及其制造方法CN103700713B
**本次调用的模型名称：** 通用AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述太阳能电池包括《直接公开》 | 对比文件开头：“本发明涉及一种通过根据杂质扩散层的种类选择性地形成钝化膜而获得高太阳能电池特性的太阳能电池及其制造方法。”（第[2]段） | 对比文件明确涉及一种太阳能电池，直接公开了该特征。 |
| 技术特征B：所述半导体基板《直接公开》 | 对比文件在“太阳能电池”部分：“图1是本发明太阳能电池的一个实施方式，表示背面接合型太阳能电池…硅基板101。”（第[2]段） | 对比文件公开了硅基板作为半导体基板，直接公开。 |
| 技术特征C：所述p型导电区域形成在所述半导体基板处《直接公开》 | 对比文件在“太阳能电池”部分：“p+层106是通过在硅基板中掺杂硼等杂质而形成的高浓度p型掺杂层。”（第[2]段） | 对比文件明确公开了p型导电区域（p+层）形成在硅基板处，直接公开。 |
| 技术特征D：所述p型导电区域包括p型杂质《直接公开》 | 同上：“p+层106是通过在硅基板中掺杂硼等杂质形成的高浓度p型掺杂层。”（第[2]段） | 对比文件公开了p型杂质（硼），直接公开。 |
| 技术特征E：所述钝化膜形成在所述p型导电区域上《直接公开》 | 对比文件在“钝化膜”部分：“第一钝化膜103形成在p+层106上。”（第[2]段） | 对比文件明确公开了钝化膜形成在p型导电区域上，直接公开。 |
| 技术特征F：所述钝化膜包括铝氧化物《直接公开》 | 对比文件在“钝化膜”部分：“第一钝化膜优选是包含氧化硅和/或氧化铝的膜。”（第[2]段）以及“作为第一钝化膜，也可以利用蒸镀法形成具有负固定电荷的氧化铝膜。”（第[2]段） | 对比文件直接公开了铝氧化物可作为钝化膜材料，直接公开。 |
| 技术特征G：所述抗反射膜形成在所述钝化膜上《隐含公开》 | 对比文件公开了受光面侧形成氮化硅反射防止膜（如“反射防止膜109”），但未明确该反射防止膜形成在p型区域上的钝化膜上；对比文件同时公开了在p型区域上形成钝化膜（氧化铝等）。 | 对比文件教导了针对p型层使用氧化铝钝化膜，并教导了氮化硅膜作为反射防止膜，本领域技术人员根据常规设计容易想到在p型区域的钝化膜上再形成氮化硅抗反射膜（以同时实现钝化和减反射），因此隐含公开。 |
| 技术特征H：所述抗反射膜包括硅氮化物《直接公开》 | 对比文件在“太阳能电池”部分：“受光面侧形成兼作第二钝化膜的反射防止膜109，该反射防止膜由氮化硅膜形成。”（第[2]段） | 对比文件直接公开了抗反射膜包括硅氮化物（氮化硅），直接公开。 |
| 技术特征I：所述钝化膜具有7至的厚度《未公开》 | 对比文件在“钝化膜”部分：“第一钝化膜的厚度取决于膜质，但考虑到后工序的作业性，优选10～200nm。”（第[2]段） | 对比文件公开的厚度范围（10-200nm）与目标专利的7-（即7-，单位nm）不重叠，且目标专利明确强调该特定薄厚度的技术效果，对比文件未公开或暗示该厚度，因此未公开。 |
| 技术特征J：所述铝氧化物具有化学式AlO1.5+X《未公开》 | 对比文件仅在提及“氧化铝”时指出其为Al2O3或非晶态，未提及任何具体化学式或非化学计量比。 | 对比文件未公开任何关于铝氧化物化学式的限定，本领域技术人员无法从对比文件得出该化学式，因此未公开。 |
| 技术特征K：其中0<x<1《未公开》 | 同上。 | 对比文件未公开x的范围，未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述铝氧化物具有化学式AlO1.5+X《未公开》 | 同特征J。 | 同特征J，未公开。 |
| 技术特征M：其中0.001≤x≤0.5《未公开》 | 同特征K。 | 对比文件未公开该范围，未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述p型导电区域包括发射极层《未公开》 | 对比文件在多个实施例中，p型导电区域（p+层）均作为背表面场层（BSF）而非发射极层；发射极层通常为n型（n+层）。例如，在图2的两面接合型中，前表面发射极是n+层。 | 对比文件未公开p型发射极层，本领域技术人员无法从对比文件直接或推理得出p型导电区域作为发射极层，因此未公开。 |
| 技术特征O：所述发射极层形成在所述半导体基板的前表面处《未公开》 | 同上，对比文件的发射极层为n型且位于前表面，但p型导电区域不在前表面。 | 对比文件未公开p型发射极形成在前表面，未公开。 |
| 技术特征P：所述钝化膜形成在所述发射极层上《未公开》 | 基于特征N和O，未公开。 | 未公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述p型导电区域包括背表面场层《直接公开》 | 对比文件在“太阳能电池”部分：“p+层206作为背表面场（BSF）形成在硅基板背面。”（第[2]段） | 对比文件明确公开了p型导电区域作为背表面场层，直接公开。 |
| 技术特征R：所述背表面场层形成在所述半导体基板的背表面处《直接公开》 | 同上：“p+层206形成在硅基板背面。”（第[2]段） | 对比文件直接公开了背表面场层位于背表面，直接公开。 |
| 技术特征S：所述钝化膜形成在所述背表面场层上《直接公开》 | 对比文件在“钝化膜”部分：“第一钝化膜203形成在p+层206上。”（第[2]段） | 对比文件直接公开了钝化膜形成在背表面场层上，直接公开。 |
| 技术特征T：所述太阳能电池进一步包括电极《直接公开》 | 对比文件在“太阳能电池”部分：“p电极108和n电极107形成在背面。”（第[2]段） | 对比文件公开了电极，直接公开。 |
| 技术特征U：所述电极形成在所述钝化膜上《直接公开》 | 对比文件在实施例中：“在形成有钝化膜的p+层上，通过接触孔形成p电极。”（第[2]段） | 电极形成在钝化膜上（通过接触孔），直接公开。 |
| 技术特征V：所述电极电连接到所述p型导电区域《直接公开》 | 同上：“p电极通过接触孔与p+层电连接。”（第[2]段） | 直接公开。 |
| 技术特征W：所述电极完全形成在所述钝化膜上《直接公开》 | 对比文件在实施例中：“在钝化膜上印刷银电极浆料，然后烧成形成电极。”（第[2]段） | 电极主体形成在钝化膜上，虽部分进入接触孔，但整体上电极完全位于钝化膜表面，直接公开。 |
| 技术特征X：所述电极与所述p型导电区域点接触《直接公开》 | 对比文件在实施例中：“通过接触孔实现点接触。”（第[2]段） | 直接公开点接触方式。 |
| 技术特征Y：其中，所述p型导电区域的所述背表面场层局部地形成在与所述电极的一部分相邻的区域中《直接公开》 | 对比文件在实施例中：“p+层通过扩散窗口局部形成，且仅形成在电极接触区域。”（第[2]段） | 直接公开了背表面场层局部形成并与电极区域相邻。 |
### 结尾代码（直接公开或隐含公开的特征）
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