**对比文件名称**: 2004-10-28_WO2004093267A_发明申请_WO2004093267A2 LIGHT EMITTING DEVICES
**目标专利名称**: 1753具有垂直结构的发光器件及其制造方法CN102751415B
**本次调用的模型名称**: 专利审查智能分析模型（AI）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A《直接公开》<br>包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层 | 段落[p0108]：“在p型掺杂硅晶圆602上依次沉积铝接触层604、金层608、AuSn键合层610，制备支撑体晶圆600。” | 对比文件中的支撑体晶圆由p型硅晶圆（含Si半导体）制成，相当于目标专利的支撑层。该支撑层在器件中起到支撑半导体层的作用，与目标专利中支撑层的作用相同。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“由含Si的半导体层制成的支撑层”。 |
| 技术特征B《直接公开》<br>在所述支撑层上的第一电极 | 段落[p0073]：“多层堆叠122包括……100nm厚的银层126……多层堆叠122设置在支撑体120上。” | 对比文件中的银层126作为p型接触电极，直接设置在支撑体120（含Si半导体层）上（中间可通过键合层连接，但属于“在上”的范畴）。该银层在器件中用作第一电极（p型电极），与目标专利中第一电极的作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征C《直接公开》<br>在所述第一电极上的半导体结构 | 段落[p0073]：“银层126、40nm厚的镁掺杂p型GaN层128、120nm厚的由多个InGaN/GaN量子阱形成的有源区130、以及AlGaN层132。” | 对比文件中，在银层126（第一电极）上依次形成p型GaN层128、有源区130、AlGaN层132及n型GaN层134，构成半导体多层结构。该半导体结构直接位于第一电极之上，与目标专利的半导体结构位置关系一致，因此直接公开。 |
| 技术特征D《未公开》<br>所述半导体结构具有倾斜的侧表面 | 对比文件全文未提及半导体结构的侧表面形状或倾斜角度。 | 对比文件仅描述了半导体层的平面图案化（如开口150），未涉及半导体结构整体的侧表面倾斜。本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含地得到该特征，故未公开。 |
| 技术特征E《未公开》<br>布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层 | 段落[p0107]：“在n型Si:GaN层506上形成AlGaN/GaN异质结或超晶格电流扩散层508。” | 对比文件中的电流扩散层508位于n型层和有源区之间，并非在半导体结构（p型层）和第一电极之间。目标专利的电流扩散层设置在p型侧（第一电极与p型半导体之间），对比文件未公开该位置关系，因此未公开。 |
| 技术特征F《未公开》<br>在所述半导体结构上的透明导电氧化物层 | 对比文件全文未提及透明导电氧化物（TCO）层。 | 对比文件在n型GaN层上直接形成图案化表面和接触垫，未设置任何TCO层。目标专利的TCO层用于改善光提取和电流扩散，对比文件未公开该层及其作用，故未公开。 |
| 技术特征G《直接公开》<br>在所述半导体结构的一部分上的第二电极 | 段落[p0073]：“n型接触垫136设置在层134上。” | 对比文件中的n型接触垫136直接设置在n型GaN层134（半导体结构的一部分）上，作为第二电极（n型电极）。这与目标专利中第二电极布置在半导体结构的一部分上的特征一致，因此直接公开。 |
| 技术特征H《未公开》<br>金属层 | 对比文件全文未在半导体结构与第二电极之间设置金属层。 | 目标专利的金属层（吸气金属）位于半导体结构和TCO层之间，用于欧姆接触和吸氮。对比文件无此层，故未公开。 |
| 技术特征I《未公开》<br>其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间 | 参见技术特征H。 | 同特征H，未公开。 |
| 技术特征J《未公开》<br>其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触 | 参见技术特征H。 | 对比文件未公开该金属层，因此未公开其充当欧姆接触的功能。 |
| 技术特征K《未公开》<br>其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性 | 参见技术特征H。 | 对比文件未公开吸气金属（如Ti、Zr等）及其对氮的高反应性，故未公开。 |
| 技术特征L《未公开》<br>其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中 | 参见技术特征H。 | 对比文件未公开该金属层的涂覆或掺杂方式，故未公开。 |
| 技术特征M《未公开》<br>其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数 | 对比文件未公开电流扩散层和TCO层的功函数关系。 | 对比文件既无电流扩散层（在p型侧）也无TCO层，因此未公开功函数比较特征。 |
| 技术特征N《未公开》<br>其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且，所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层 | 段落[p0107]：“电流扩散层508为AlGaN/GaN异质结或超晶格。” | 对比文件的电流扩散层为AlGaN/GaN材料，并非InGaN或InGaN/GaN超晶格，且不直接接触第一电极（p型电极）。故未公开。 |
| 技术特征O《直接公开》<br>其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层 | 段落[p0073]：“40nm厚的镁掺杂p型GaN层128”位于银层126上。 | 对比文件明确p型GaN层128直接位于第一电极（银层）上，与目标专利的p型半导体层位置一致，直接公开。 |
| 技术特征P《直接公开》<br>在所述p型半导体层上的有源层 | 段落[p0073]：“120nm厚的由多个InGaN/GaN量子阱形成的有源区130”位于p型层128上。 | 有源区130直接位于p型GaN层128之上，与目标专利一致，直接公开。 |
| 技术特征Q《直接公开》<br>和在所述有源层上的n型半导体层 | 段落[p0073]：“n型GaN层134”位于有源区130上（通过AlGaN层132）。 | n型层134位于有源区之上，符合目标专利的层序，直接公开。 |
| 技术特征R《未公开》<br>其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率 | 对比文件未明确电流扩散层（位于n型侧）的载流子迁移率增强功能。 | 对比文件虽设有电流扩散层，但未明确其增强载流子迁移率的功能，且该层位置与目标专利不同，故未公开。 |
| 技术特征S《未公开》<br>其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数 | 对比文件未公开功函数数值关系。 | 无相关公开。 |
| 技术特征T《未公开》<br>其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数 | 对比文件未公开功函数数值关系。 | 无相关公开。 |
| 技术特征U《直接公开》<br>其中，所述第一电极包括反射电极 | 段落[p0073]：“银层126”；段落[p0028]：“反射材料能够反射至少约50%由有源区产生并入射到其上的光。” | 银层126作为第一电极，同时具有高反射性，是典型的反射电极。对比文件明确其反射功能，与目标专利中第一电极包括反射电极的特征一致，直接公开。 |
| 技术特征V《未公开》<br>其中，所述第一电极包括透明电极 | 对比文件第一电极为银层，不透明。 | 对比文件未公开透明电极，故未公开。 |
| 技术特征W《未公开》<br>其中，所述支撑层包括金属 | 支撑层为p型硅，非金属。 | 对比文件未公开金属支撑层，故未公开。 |
| 技术特征X《未公开》<br>其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上 | 对比文件中支撑体120位于第一电极（银层126）下方（支撑层在底部，第一电极在支撑层上）。 | 目标专利中支撑层位于第一电极下方（或通过翻转后形成），但特征X表述为“支撑层被布置在所述第一电极上”，即支撑层在顶部，与对比文件结构相反，故未公开。 |
| 技术特征Y《未公开》<br>其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且，所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积 | 对比文件未描述半导体结构的侧表面倾斜或面积关系。 | 对比文件仅涉及表面图案化，未提及半导体结构整体的侧表面倾斜及面积差异，故未公开。 |
| 技术特征Z《未公开》<br>其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积 | 对比文件未公开第一电极与半导体结构表面的面积关系。 | 无相关公开。 |
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