对比文件名称：1998-08-25_None_发明专利_JPH10229219A Gallium nitride compound semiconductor element
目标专利名称：1753具有垂直结构的发光器件及其制造方法CN102751415B
本次调用的模型名称：DeepSeek-专利分析助手
以下是根据目标专利权利要求技术特征与对比文件进行的特征比对表格：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层（未公开） | 对比文件未记载支撑层。 | 对比文件全文未涉及任何支撑层，无法直接或隐含公开。 |
| 技术特征B：在所述支撑层上的第一电极（未公开） | 对比文件未记载支撑层及该结构。 | 由于支撑层未公开，该特征无法被公开。 |
| 技术特征C：在所述第一电极上的半导体结构（未公开） | 对比文件记载半导体结构在衬底上，第一电极形成于半导体结构上方（[0010]）。 | 对比文件中第一电极（18A）位于半导体结构（p型接触层17）上，而非半导体结构在第一电极上，方向相反，未公开。 |
| 技术特征D：所述半导体结构具有倾斜的侧表面（未公开） | 对比文件未提及倾斜侧表面。 | 对比文件无相关描述，未公开。 |
| 技术特征E：布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层（未公开） | 对比文件记载有透光性电流扩散电极（18A），但无半导体电流扩散层（[0010]）。 | 对比文件的电流扩散电极为金属，而非半导体层，且位于半导体结构上，非两者之间，未公开。 |
| 技术特征F：在所述半导体结构上的透明导电氧化物层（未公开） | 对比文件未记载透明导电氧化物层。 | 对比文件无TCO层，未公开。 |
| 技术特征G：在所述半导体结构的一部分上的第二电极（未公开） | 对比文件记载焊盘电极（20）形成于透光性电极（18A）上，而非直接形成于半导体结构上（[0010]）。 | 对比文件的第二电极未直接设置在半导体结构上，未公开。 |
| 技术特征H：金属层（直接公开） | “膜厚約300Åのクロム(Cr)から成る第１金属層２０１”（[0010]） | 对比文件明确公开了由Cr构成的第1金属层201，属于金属层，直接公开。 |
| 技术特征I：其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间（未公开） | 第1金属层201位于透光性电极18A与焊盘电极20之间（[0010]）。 | 对比文件的金属层未位于半导体结构与第二电极之间，未公开。 |
| 技术特征J：其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触（未公开） | 对比文件指出Cr与GaN反应形成高电阻区域（[0012]）。 | 对比文件未形成欧姆接触，而是形成高电阻区，未公开。 |
| 技术特征K：其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性（直接公开） | “窒素に対して反応性を有する金属としては、クロム(Cr)、バナジウム(V) 、チタン(Ti)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、ジルコニウム(Zr)のうちいずれか１つ又は複数が好適である。”（[0007]） | 对比文件明确列出对氮具有高反应性的金属（Cr、Ti、Zr等），并用于金属层，直接公开。 |
| 技术特征L：其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中（未公开） | 第1金属层201形成于透光性电极18A上，非直接涂覆或掺杂于半导体结构界面（[0010]）。 | 对比文件未将吸气金属直接涂覆或掺杂在半导体结构界面上，未公开。 |
| 技术特征M：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数（未公开） | 对比文件未涉及电流扩散层和TCO层，更无功函数比较。 | 对比文件无相关教导，未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且其中，所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层（未公开） | 对比文件无InGaN层或超晶格层作为电流扩散层。 | 对比文件未公开，未公开。 |
| 技术特征O：其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层（未公开） | 对比文件p型接触层17位于第一电极18A之下（[0010]）。 | 对比文件中p型层在电极下，而非在电极上，未公开。 |
| 技术特征P：在所述p型半导体层上的有源层（未公开） | 对比文件有源层15位于p型层16/17之下（[0009]）。 | 对比文件有源层在p型层下方，未公开。 |
| 技术特征Q：和在所述有源层上的n型半导体层（未公开） | 对比文件n型层13/14位于有源层15之下（[0008]-[0009]）。 | 对比文件n型层在有源层下方，未公开。 |
| 技术特征R：其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率（未公开） | 对比文件电流扩散电极为金属，未提及增强载流子迁移率。 | 对比文件无相应半导体电流扩散层，未公开。 |
| 技术特征S：其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数（未公开） | 对比文件未涉及。 | 未公开。 |
| 技术特征T：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数（未公开） | 对比文件未涉及。 | 未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述第一电极包括反射电极（未公开） | 对比文件第一电极18A为透光性，非反射电极（[0010]）。 | 未公开。 |
| 技术特征V：其中，所述第一电极包括透明电极（直接公开） | “透光性の電流拡散電極１８Ａ”（[0010]） | 对比文件明确公开了透光性电流扩散电极，即透明电极，直接公开。 |
| 技术特征W：其中，所述支撑层包括金属（未公开） | 对比文件未记载支撑层。 | 未公开。 |
| 技术特征X：其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上（未公开） | 对比文件未记载支撑层。 | 未公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且中，所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积（未公开） | 对比文件未提及倾斜侧表面及面积关系。 | 未公开。 |
| 技术特征Z：其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积（未公开） | 对比文件未提及。 | 未公开。 |
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