对比文件名称：2005-09-22_US2005205875A_发明申请_US20050205875A1 Light-emitting diode
目标专利名称：具有垂直结构的发光器件及其制造方法 CN102751415B
本次调用的模型名称：DeepSeek
以下为特征比对表格：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| A: 包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层（直接公开） | [0019]：“…形成金属衬底208…金属衬底的材料可以是例如Al、Pt、Pd、Zn、Ni、Ti、In、Cr、Cu、Sn、Ag或其合金。”（[0023]：“支撑衬底212的材料可以是硅…”） | 对比文件明确公开了金属衬底208作为支撑层，其由金属制成；同时也公开了支撑衬底212可由硅（含Si的半导体）制成。因此，直接公开了由金属或含Si半导体层制成的支撑层。 |
| B: 在所述支撑层上的第一电极（直接公开） | [0019]：“在反射层206形成之后，形成金属衬底208。”最终结构中，反射层206和透明导电层204构成第一电极，位于金属衬底208上。 | 在最终器件中，金属衬底208（支撑层）位于底部，其上依次为反射层206和透明导电层204，即第一电极形成在支撑层上，因此直接公开。 |
| C: 在所述第一电极上的半导体结构（直接公开） | [0017]：“外延结构202生长在临时衬底200上。”[0018]：“透明导电层204覆盖外延结构202。”最终结构中外延结构202位于透明导电层204上。 | 透明导电层204是第一电极的一部分，外延结构202（半导体结构）直接位于该透明导电层上，因此直接公开。 |
| D: 所述半导体结构具有倾斜的侧表面（未公开） | 无 | 对比文件全文未提及半导体结构的侧表面具有倾斜形状，也未暗示任何倾斜结构，因此未公开。 |
| E: 布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层（直接公开） | [0018]：“透明导电层204…还具有电流扩散功能。”透明导电层204位于外延结构202和反射层206之间。 | 透明导电层204位于半导体结构（外延结构）和第一电极（反射层）之间，且明确具有电流扩散功能，因此直接公开了电流扩散层。 |
| F: 在所述半导体结构上的透明导电氧化物层（直接公开） | [0025]：“在移除临时衬底200后，形成透明导电层214覆盖外延结构202的暴露表面，其材料可以是例如氧化铟锡（ITO）、ZnO等。” | 透明导电层214是透明导电氧化物层，直接形成在半导体结构（n型层）上，因此直接公开。 |
| G: 在所述半导体结构的一部分上的第二电极（直接公开） | [0025]：“然后，通过蒸发或电镀在透明导电层214的一部分上形成电极216。” | 电极216作为第二电极，形成在透明导电层214的一部分上，即位于半导体结构的一部分上，因此直接公开。 |
| H: 金属层（未公开） | 无 | 对比文件未公开在半导体结构与第二电极之间设置任何金属层，因此未公开。 |
| I: 其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间（未公开） | 无 | 对比文件没有公开任何金属层位于半导体结构和第二电极之间，因此未公开。 |
| J: 其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触（未公开） | 无 | 对比文件未公开金属层形成欧姆接触，因此未公开。 |
| K: 其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性（未公开） | 无 | 对比文件未公开金属层对氮具有高反应性，因此未公开。 |
| L: 其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中（未公开） | 无 | 对比文件未公开金属层被涂覆或掺杂在界面上，因此未公开。 |
| M: 其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数（未公开） | 无 | 对比文件未公开任何关于电流扩散层与透明导电氧化物层之间功函数的关系，因此未公开。 |
| N: 其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且中，所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层（未公开） | 无 | 对比文件的电流扩散层为透明导电氧化物（如ITO、ZnO），并非InGaN层或InGaN/GaN超晶格层，因此未公开。 |
| O: 其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层（直接公开） | [0017]：“外延结构202包括n型半导体层202a、有源层202b和p型半导体层202c。”在最终翻转结构中，p型层202c靠近第一电极（透明导电层204）。 | 在最终器件中，p型半导体层202c位于透明导电层204（第一电极）上，因此直接公开。 |
| P: 在所述p型半导体层上的有源层（直接公开） | 同上 | 有源层202b位于p型层202c上，直接公开。 |
| Q: 和在所述有源层上的n型半导体层（直接公开） | 同上 | n型层202a位于有源层202b上，直接公开。 |
| R: 其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率（未公开） | 无 | 对比文件仅提及电流扩散功能，未明确其增强载流子迁移率，也未暗示此配置，因此未公开。 |
| S: 其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数（未公开） | 无 | 对比文件未公开电流扩散层与半导体结构之间的功函数关系，因此未公开。 |
| T: 其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数（未公开） | 无 | 对比文件未公开电流扩散层与第一电极之间的功函数关系，因此未公开。 |
| U: 其中，所述第一电极包括反射电极（直接公开） | [0019]：“形成薄反射层206，其材料可以是反射材料，如Au、Ag、Al、In、Sn、Pt、Ti、Zn、Pb、AuBe、Ni、PbSn或AuZn。” | 反射层206是反射电极，第一电极（由透明导电层和反射层构成）包括该反射层，因此直接公开。 |
| V: 其中，所述第一电极包括透明电极（直接公开） | [0018]：“形成透明导电层204，其材料可以是例如氧化铟锡（ITO）、ZnO、氧化镉锡（CTO）等。” | 透明导电层204是透明电极，第一电极包括该透明导电层，因此直接公开。 |
| W: 其中，所述支撑层包括金属（直接公开） | [0019]：“形成金属衬底208，其材料可以是例如Al、Pt、Pd、Zn、Ni、Ti、In、Cr、Cu、Sn、Ag或其合金。” | 金属衬底208由金属制成，作为支撑层，因此直接公开。 |
| X: 其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上（直接公开） | [0019]：“在反射层206形成之后，形成金属衬底208。”反射层206是第一电极的一部分，金属衬底208直接形成在反射层上。 | 金属衬底208（支撑层）直接形成在反射层206（第一电极的组成部分）上，因此支撑层布置在第一电极上，直接公开。 |
| Y: 其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且中，所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积（未公开） | 无 | 对比文件未公开半导体结构具有倾斜侧表面，也未提及任何面积差异，因此未公开。 |
| Z: 其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积（未公开） | 无 | 对比文件未公开此类面积关系，因此未公开。 |
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