对比文件名称：2001-08-10_JP2001217456A_发明专利_JP2001217456A Gallium nitride system compound semiconductor light-emitting device
目标专利名称：1753具有垂直结构的发光器件及其制造方法CN102751415B
本次调用的模型名称：GPT-4（AI评估模型）
### 特征比对表格
| 技术特征及公开性判断 | 对比文件原文引用（日文原文及中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层 **不公开** | 对比文件未提及支撑层，全文未描述用于支撑半导体层的独立金属或含Si半导体层。 | 目标专利中的支撑层是在移除衬底时用于支撑半导体层，对比文件未涉及衬底移除工艺，无支撑层结构，因此未公开该特征。 |
| **技术特征B**：在所述支撑层上的第一电极 **不公开** | 对比文件未公开支撑层，故无第一电极位于支撑层上的结构。 | 由于特征A不成立，特征B不公开。 |
| **技术特征C**：在所述第一电极上的半导体结构 **不公开** | 对比文件实施例中半导体结构位于衬底上，第一电极（p型电极）形成在半导体结构之上（例如[0022]“ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体コンタクト層７０上ほぼ全面にｐ型透光性電極４としてＮｉを７ｎｍ形成する”），而非半导体结构位于第一电极上。 | 目标专利中第一电极在半导体结构下方（垂直结构），对比文件为水平结构或导电衬底结构，半导体结构在衬底上，第一电极在半导体结构上，顺序相反，故未公开。 |
| **技术特征D**：所述半导体结构具有倾斜的侧表面 **不公开** | 对比文件未提及半导体结构侧表面倾斜，仅描述通过干法蚀刻形成露出面（如[0021]“ドライエッチング法を用いてエッチングマスクとしてフォトレジストを用いてｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層３０の露出面３１を形成する”），未涉及侧壁角度。 | 目标专利中倾斜侧表面用于增大光泄漏角，对比文件未公开该结构特征，也未暗示侧壁倾斜，故不公开。 |
| **技术特征E**：布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层 **不公开** | 对比文件未公开电流扩散层，p型电极直接接触p型半导体层（如[0022]“ｐ型透光性電極４としてＮｉを７ｎｍ形成”），无中间层。 | 目标专利中电流扩散层（InGaN或超晶格）位于p型层和p型电极之间，对比文件无此结构，故不公开。 |
| **技术特征F**：在所述半导体结构上的透明导电氧化物层 **《直接公开》** | [0030]“ｎ型透光性電極６の金属薄膜としてＴｉを厚さ２ｎｍ、幅８０μｍ形成、その上に酸化物半導体層としてＩＴＯを３００ｎｍ形成したことにある。”（作为n型透光性电极6，形成金属薄膜Ti厚度2nm、宽度80μm，在其上形成氧化物半导体层ITO 300nm。） | 对比文件公开了在n型氮化镓系化合物半导体层（即目标专利的半导体结构的n型层）上形成透明导电氧化物层ITO，作用为透光电极，与目标专利中TCO层用于电流扩散和光提取的作用实质相同，因此直接公开。 |
| **技术特征G**：在所述半导体结构的一部分上的第二电极 **《直接公开》** | [0023]“前記ｎ型透光性電極１上にｎ型用パッド電極３としてＡｌを３００ｎｍ形成する。”（在n型透光性电极1上形成n型用pad电极3，Al 300nm。） [0030]实施例2中n型用pad电极形成在n型透光性电极6上。 | 对比文件中的n型用pad电极仅覆盖n型透光性电极的一部分，作为第二电极，与目标专利中第二电极（金属焊盘）位于TCO层上并只覆盖部分区域的结构一致，直接公开。 |
| **技术特征H**：金属层 **《直接公开》** | [0023]“露出させたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層３０上にｎ型透光性電極１として前記ｐ型透光性電極４の周囲にわたってＴｉを厚さ５ｎｍ、幅５μｍ形成する。”（在露出的n型氮化镓系化合物半导体层30上，在p型透光性电极4的周围形成Ti作为n型透光性电极1，厚度5nm，宽度5μm。） [0030]同样使用Ti金属薄膜。 | 对比文件明确在n型半导体层上形成金属层Ti，作为透光电极的一部分，直接公开该金属层。 |
| **技术特征I**：其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间 **《直接公开》** | [0030]“ｎ型透光性電極６の金属薄膜としてＴｉを厚さ２ｎｍ、幅８０μｍ形成、その上に酸化物半導体層としてＩＴＯを３００ｎｍ形成したことにある。”（Ti金属薄膜位于n型半导体层和ITO之间，ITO上层为n型pad电极。） | 金属层Ti沉积在n型半导体层上，其上形成ITO，再形成n型pad电极，故Ti位于半导体结构和第二电极（n型pad电极）之间，直接公开。 |
| **技术特征J**：其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触 **《直接公开》** | [0058]“n型電極が、透光性でありさらにオーミック接触である金属薄膜層または酸化物半導体層からなる構成を有する。”（n型电极具有透光性且为欧姆接触的金属薄膜层或氧化物半导体层。） | 对比文件明确记载n型电极（含金属薄膜层）是欧姆接触，该金属薄膜层（如Ti）与n型半导体层形成欧姆接触，直接公开特征J。 |
| **技术特征K**：其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性 **《隐含公开》** | [0023][0030]公开了金属层Ti的使用，但未明确提及氮反应性。 | Ti是公知的氮高反应性金属（易形成TiN），本领域技术人员通过对比文件公开的Ti金属层，可以合理推断其具有与氮反应的性质，且该性质在目标专利中用于形成欧姆接触，对比文件中Ti同样用于n型欧姆接触，故隐含公开。 |
| **技术特征L**：其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中 **《直接公开》** | [0023]“露出させたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層３０上にｎ型透光性電極１として…Ｔｉを…形成する。”（在露出的n型氮化镓系化合物半导体层30上形成Ti。） | 对比文件中的Ti是通过蒸镀等方式直接涂覆在n型半导体层表面（界面），符合“涂覆在界面上”的描述，直接公开。 |
| **技术特征M**：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数 **不公开** | 对比文件无电流扩散层，无相关功函数比较。 | 目标专利中电流扩散层（InGaN等）与TCO层的功函数关系，对比文件未涉及，故不公开。 |
| **技术特征N**：其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且，所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层 **不公开** | 对比文件未公开电流扩散层。 | 特征N涉及电流扩散层的位置和材料，对比文件无此结构，故不公开。 |
| **技术特征O**：其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层 **不公开** | 对比文件实施例中p型半导体层位于p型电极下方（如[0022]在p型接触层上形成p型电极），即p型半导体层在p型电极之下，而非“在所述第一电极上”。 | 目标专利中p型半导体层位于第一电极之上（垂直结构），对比文件中的层序相反，故未公开此位置关系。 |
| **技术特征P**：在所述p型半导体层上的有源层 **不公开** | 对比文件中典型结构为n型层、有源层、p型层的顺序（如[0020]“ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層３０、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体クラッド層４０、窒化ガリウム系化合物半導体発光層５０、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体クラッド層６０、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体コンタクト層７０”），有源层在p型层之下，而非在p型层上。 | 目标专利中p型层在底部，有源层在其上，对比文件为传统正装结构，有源层在p型层下方，故不公开。 |
| **技术特征Q**：和在所述有源层上的n型半导体层 **不公开** | 对比文件中n型层位于有源层下方，而非上方。 | 原因同特征P，顺序相反，不公开。 |
| **技术特征R**：其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率 **不公开** | 对比文件无电流扩散层，无相关描述。 | 目标专利中电流扩散层用于增强载流子迁移率，对比文件未公开，故不公开。 |
| **技术特征S**：其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数 **不公开** | 对比文件无电流扩散层。 | 未公开，不涉及。 |
| **技术特征T**：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数 **不公开** | 对比文件无电流扩散层。 | 未公开，不涉及。 |
| **技术特征U**：其中，所述第一电极包括反射电极 **《隐含公开》** | [0047]“ｐ型厚膜電極４１としてＮｉが７ｎｍ、Ａｕが１μｍ〜１０μｍ形成され”（作为p型厚膜电极41，形成Ni 7nm、Au 1μm~10μm。） | 该p型厚膜电极包含Au层，Au具有高反射性，可起到反射电极的作用。虽然对比文件未明确称为反射电极，但本领域技术人员可以合理推断该电极结构具有反射功能，用于提高光提取效率，故隐含公开。 |
| **技术特征V**：其中，所述第一电极包括透明电极 **《直接公开》** | [0022]“ｐ型透光性電極４としてＮｉを７ｎｍ形成する。”（作为p型透光性电极4，形成Ni 7nm。） | 对比文件明确公开了p型透光性电极（金属薄膜），该电极因厚度薄而具有透光性，属于透明电极，直接公开。 |
| **技术特征W**：其中，所述支撑层包括金属 **不公开** | 对比文件未公开支撑层。 | 特征A不成立，故W不公开。 |
| **技术特征X**：其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上 **不公开** | 对比文件无支撑层。 | 特征A不成立，故X不公开。 |
| **技术特征Y**：其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且，所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积 **不公开** | 对比文件未公开半导体结构的倾斜侧表面，也未描述第一表面与第二表面的面积关系。 | 目标专利中因倾斜侧壁导致n型层面积大于p型层面积，对比文件无此结构特征，故不公开。 |
| **技术特征Z**：其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积 **不公开** | 对比文件未公开面积差异，也无倾斜侧壁。 | 原因同特征Y，不公开。 |
**公开性代码输出（对应技术特征F、G、H、I、J、L、V直接公开，K、U隐含公开）：**
<<<F>>><<<G>>><<<H>>><<<I>>><<<J>>><<<L>>><<<V>>><<<k>>><<<u>>>