对比文件名称：2008-01-24_US2008018997A_发明申请_US20080018997A1 Polarizing element
目标专利名称：1754偏振光分离元件CN104105987B
本次调用的模型名称：无
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括基板 / 直接公开 | [0048]：“在第一实施例的偏振元件10中，介电材料12设置于透明基板11上。” | 对比文件明确公开了“透明基板11”，即基板。该基板用于支撑整个结构，作用与目标专利的基板相同，故直接公开。 |
| 技术特征B：凹凸结构 / 直接公开 | [0089]：“偏振元件20具有凹凸结构（以下称为‘第一凹凸结构’），其中多个线性的第一凹槽22彼此平行地形成在透明基板21的一个表面中。” | 对比文件公开了由凹槽和凸起构成的凹凸结构，该结构形成于基板表面，与目标专利的凹凸结构实质相同，故直接公开。 |
| 技术特征C：所述凹凸结构具有包含吸光材料的凸出部 / 直接公开 | [0048]：“多个薄膜状导电体13…竖立在透明基板11上”；[0025]：“导电体13的材料优选为至少一种选自金、银、铜、钯、铂、铝、锗、铑、硅、镍、钴、锰、铁、铬、钛、钌、铌、钕、镱、钇、钼、铟、铋。” | 对比文件中的导电体13即为凸出部，其材料包含硅、铬等（这些材料具有吸光性），作用相当于目标专利的吸光材料，因此直接公开了凸出部包含吸光材料。 |
| 技术特征D：包含介电材料的凹入部 / 直接公开 | [0048]：“介电材料12设置于透明基板11上…导电体13由介电材料12固定。” | 导电体13之间的空间被介电材料12填充，即凹入部包含介电材料，该介电材料起支撑和固定作用，与目标专利中凹入部填充介电材料的作用相同，故直接公开。 |
| 技术特征E：吸光材料相对于波长为300nm的光的折射率为1至10 / 未公开 | 对比文件未记载关于300nm波长下折射率数值的任何内容。 | 对比文件未涉及300nm波长，也未给出任何材料的折射率范围，本领域技术人员无法从对比文件直接且毫无疑义地得出该特征，故未公开。 |
| 技术特征F：消光系数为0.5至10 / 未公开 | 对比文件未记载关于消光系数的任何数值范围。 | 对比文件未提及消光系数，且未提供任何材料在紫外区的光学常数，故未公开。 |
| 技术特征G：所述凹凸结构形成于所述基板上 / 直接公开 | [0089]：“第一凹凸结构形成在透明基板21的表面。” | 对比文件明确记载凹凸结构形成于基板表面，与目标专利的“形成于基板上”完全一致，故直接公开。 |
| 技术特征H：在以下公式1中，a为0.74至10 / 未公开 | 对比文件未出现公式1及参数a、b。 | 对比文件没有定义或暗示公式1，也未给出a、b的任何数值范围，故未公开。 |
| 技术特征I：b为0.5至10 / 未公开 | 同上。 | 同上。 |
| 技术特征J：在以下公式2中，c为1.3至10 / 未公开 | 对比文件未出现公式2及参数c、d。 | 对比文件没有定义或暗示公式2，也未给出c、d的任何数值范围，故未公开。 |
| 技术特征K：d为0.013至0.1 / 未公开 | 同上。 | 同上。 |
| 技术特征L：[公式1](a+bi)2＝n12×(1-W/P)+n22×W/P / 未公开 | 对比文件未出现该公式。 | 对比文件没有公开任何类似公式，故未公开。 |
| 技术特征M：[公式2](c+di)2＝n12×n22/((1-W/P)×n22+W×n12/P) / 未公开 | 对比文件未出现该公式。 | 对比文件没有公开任何类似公式，故未公开。 |
| 技术特征N：i为虚数 / 未公开 | 对比文件未涉及复数或虚数表示。 | 对比文件未使用复数形式，也未定义i为虚数，故未公开。 |
| 技术特征O：n1表示所述介电材料相对于波长为300nm的光的折射率 / 未公开 | 对比文件未定义n1，且未涉及300nm波长。 | 对比文件未定义折射率参数n1，也未指定波长300nm，故未公开。 |
| 技术特征P：n2表示所述凸出部相对于波长为300nm的光的折射率 / 未公开 | 对比文件未定义n2，且未涉及300nm波长。 | 对比文件未定义折射率参数n2，也未指定波长300nm，故未公开。 |
| 技术特征Q：W表示所述凸出部的宽度 / 直接公开 | [0019]：“W表示导电体的宽度”。 | 对比文件明确将W定义为导电体的宽度，与目标专利中W表示凸出部宽度一致，故直接公开。 |
| 技术特征R：P表示所述凸出部的间距 / 直接公开 | [0019]：“d表示导电体之间的预定间距”。 | 对比文件用d表示间距，目标专利用P表示，含义相同，故直接公开。 |
| 技术特征S：所述介电材料相对于波长为250nm至350nm的光的折射率为1至3 / 未公开 | 对比文件未记载介电材料的折射率数值范围，且未涉及250-350nm波段。 | 对比文件未提供介电材料在紫外区的折射率数据，本领域技术人员无法得出该特征，故未公开。 |
| 技术特征T：所述凸出部相对于波长为250nm至350nm的光的折射率为1至10 / 未公开 | 对比文件未记载凸出部材料在紫外区的折射率范围。 | 对比文件未涉及250-350nm波段，也未给出任何材料在该波段的折射率，故未公开。 |
| 技术特征U：所述凸出部相对于波长在紫外区的光的消光系数为0.5至10 / 未公开 | 对比文件未记载紫外区的消光系数。 | 对比文件未涉及紫外区，也未定义消光系数，故未公开。 |
| 技术特征V：所述吸光材料为选自硅、氧化钛、氧化锌、氧化锆、钨、氧化钨、砷化镓、锑化镓、砷化铝镓、碲化镉、铬、钼、镍、磷化镓、砷化铟镓、磷化铟、锑化铟、碲化镉锌、氧化锡、氧化铯、钛酸锶、碳化硅、铱、氧化铱或碲化硒锌中的至少一种 / 直接公开 | [0025]：“导电体13的材料优选为至少一种选自金、银、铜、钯、铂、铝、锗、铑、硅、镍、钴、锰、铁、铬、钛、钌、铌、钕、镱、钇、钼、铟、铋。” | 对比文件公开的材料列表中包含硅、铬、钼、镍，这些均属于目标专利V中列举的材料，故直接公开了该特征。 |
| 技术特征W：由公式3计算的D为0.67至0.98 / 未公开 | 对比文件未出现公式3，也未定义D。 | 对比文件未公开任何与D相关的公式或数值范围，故未公开。 |
| 技术特征X：[公式3]D＝(Tc-Tp)/(Tc+Tp) / 未公开 | 对比文件未出现该公式，也未定义Tc、Tp。 | 对比文件未公开该公式，故未公开。 |
| 技术特征Y：Tc表示在垂直于所述凸出部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于所述偏振光分离元件的透射率 / 未公开 | 对比文件未定义Tc，且未涉及250-350nm波段。 | 对比文件未涉及该特定波段和偏振方向的定义，故未公开。 |
| 技术特征Z：Tp表示在平行于所述凸出部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于所述偏振光分离元件的透射率 / 未公开 | 对比文件未定义Tp，且未涉及250-350nm波段。 | 对比文件未涉及该特定波段和偏振方向的定义，故未公开。 |
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