**对比文件名称**：2007-10-30_US7289173B_发明授权_US07289173B2 Polarizing device, and method for manufacturing the same
**目标专利名称**：1754偏振光分离元件CN104105987B
**本次调用的模型名称**：AI专利评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 特征A: 包括基板 《直接公开》 | [0040]：“透明基板11” | 对比文件明确公开偏振元件包括透明基板，与目标专利的基板作用相同，均为支撑结构，因此直接公开。 |
| 特征B: 和凹凸结构 《直接公开》 | [0080]：“第一凹凸结构”和“第二凹凸结构” | 对比文件公开了由凹槽和凸起构成的凹凸结构，用于形成偏振元件，与目标专利的凹凸结构概念一致，直接公开。 |
| 特征C: 所述凹凸结构具有包含吸光材料的凸出部 《隐含公开》 | [0040]：“多个薄膜状导电体13竖立在透明基板11上”；[0075]：导电体材料包括硅；[0052]：“TE偏振光被反射和吸收” | 对比文件中的凸出部为导电体，其材料包括硅等，且具有吸收TE偏振光的功能，本领域技术人员可合理推断凸出部包含吸光材料（硅在紫外区具有吸收性），因此隐含公开。 |
| 特征D: 和包含介电材料的凹入部 《直接公开》 | [0040]：“介电材料12”；[0080]：“介电层30” | 对比文件明确在凹入部（导电体之间）填充有介电材料，以固定导电体，直接公开。 |
| 特征E: 所述吸光材料相对于波长为300nm的光的折射率为1至10 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件未涉及300nm波长的折射率，也未给出任何折射率数值范围，无法公开。 |
| 特征F: 消光系数为0.5至10 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件未涉及消光系数，无法公开。 |
| 特征G: 所述凹凸结构形成于所述基板上 《直接公开》 | [0083]：“在透明基板21的上部形成线性第一凹槽22” | 对比文件在基板表面形成凹槽，构成凹凸结构，直接公开。 |
| 特征H: 其中，在以下公式1中，a为0.74至10 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件没有定义公式1及参数a，无法公开。 |
| 特征I: b为0.5至10 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件没有定义b，无法公开。 |
| 特征J: 在以下公式2中，c为1.3至10 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件没有定义公式2及参数c，无法公开。 |
| 特征K: d为0.013至0.1 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件没有定义d，无法公开。 |
| 特征L: 公式1 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件没有给出类似公式，无法公开。 |
| 特征M: 公式2 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件没有给出类似公式，无法公开。 |
| 特征N: 其中，i为虚数 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件未提及复数或虚数单位，无法从对比文件推理得出，不公开。 |
| 特征O: n1表示所述介电材料相对于波长为300nm的光的折射率 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件没有指定波长300nm，也没有给出介电材料折射率，无法公开。 |
| 特征P: n2表示所述凸出部相对于波长为300nm的光的折射率 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件没有指定波长300nm，也没有给出凸出部材料折射率，无法公开。 |
| 特征Q: W表示所述凸出部的宽度 《直接公开》 | [0016]：“宽度W” | 对比文件明确定义了导电体宽度W，与目标专利的W概念相同，直接公开。 |
| 特征R: P表示所述凸出部的间距 《直接公开》 | [0016]：“间距d” | 对比文件定义了导电体间距d，相当于目标专利的P，直接公开。 |
| 特征S: 其中，所述介电材料相对于波长为250nm至350nm的光的折射率为1至3 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件没有涉及该波长范围，也没有给出介电材料折射率，无法公开。 |
| 特征T: 其中，所述凸出部相对于波长为250nm至350nm的光的折射率为1至10 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件没有涉及该波长范围，也没有给出折射率，无法公开。 |
| 特征U: 其中，所述凸出部相对于波长在紫外区的光的消光系数为0.5至10 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件没有涉及紫外区消光系数，无法公开。 |
| 特征V: 其中，所述吸光材料为选自硅、氧化钛、氧化锌、氧化锆、钨、氧化钨、砷化镓、锑化镓、砷化铝镓、碲化镉、铬、钼、镍、磷化镓、砷化铟镓、磷化铟、锑化铟、碲化镉锌、氧化锡、氧化铯、钛酸锶、碳化硅、铱、氧化铱或碲化硒锌中的至少一种 《直接公开》 | [0075]：“导电体13的材料优选选自金、银、铜、钯、铂、铝、锗、铑、硅、镍、钴、锰、铁、铬、钛、钌、铌、钕、镱、钇、钼、铟、铋中的至少一种” | 对比文件公开了硅等材料，硅属于目标专利吸光材料列表中的一种，因此直接公开了该材料特征。 |
| 特征W: 由公式3计算的D为0.67至0.98 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件没有定义D，也没有给出该范围，无法公开。 |
| 特征X: 公式3 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件没有给出偏振度公式，无法公开。 |
| 特征Y: 其中，Tc表示在垂直于所述凸出部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于所述偏振光分离元件的透射率 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件定义了TTM（TM偏振光透射率），但未限定波长范围，且未涉及250-350nm，无法公开。 |
| 特征Z: Tp表示在平行于所述凸出部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于所述偏振光分离元件的透射率 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件定义了TTE，但未限定波长范围，且未涉及250-350nm，无法公开。 |
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