**对比文件名称：** 2008-03-04_US7339734B_发明授权_US07339734B2 Polarization control element, manufacturing method of polarization control element, design method of polarization control element, and electronic equipment
**目标专利名称：** 1754偏振光分离元件CN104105987B
**本次调用的模型名称：** AI语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括基板**<br>《直接公开》 | 段落[0076]：“In the example, a 1-mm-thick glass substrate is used as the substrate 100.”（翻译：在该示例中，使用1mm厚的玻璃基板作为基板100。） | 对比文件明确公开了基板，用于支撑偏振控制元件。目标专利中基板同样起支撑作用。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件得出该技术特征，属于直接公开。 |
| **技术特征B：凹凸结构**<br>《直接公开》 | 段落[0030]：“It is equipped with a striped structure consisting of a second medium 20 periodically arranged as illustrated.”（翻译：它配备有由第二介质20构成的条纹结构，周期性地排列如图所示。） | 对比文件公开的条纹结构具有周期性凸起和凹槽，即凹凸结构。与目标专利的凹凸结构在结构和功能上相同。因此直接公开。 |
| **技术特征C：所述凹凸结构具有包含吸光材料的凸出部**<br>《直接公开》 | 段落[0050]：“it is assumed that the second medium 20 is formed of aluminum as its material.”（翻译：假设第二介质20由铝形成。）<br>段落[0058]：“it is assumed that the second medium 20 is formed of molybdenum as its material.”（翻译：假设第二介质20由钼形成。） | 对比文件公开的凸出部由金属（铝、钼）形成，金属是吸光材料，能够吸收光。目标专利的凸出部同样包含吸光材料。因此直接公开。 |
| **技术特征D：包含介电材料的凹入部**<br>《直接公开》 | 段落[0030]：“placed in a first medium 10 such as air”（翻译：置于第一介质10如空气中。） | 对比文件公开的凹入部（条纹之间的空间）填充空气，空气是介电材料。因此直接公开。 |
| **技术特征E：吸光材料相对于波长为300nm的光的折射率为1至10**<br>《未公开》 | 无。对比文件未提及300nm波长下的折射率范围。 | 对比文件涉及可见光波长（650nm），未公开任何材料在300nm的折射率，也未公开1-10的范围。因此未公开。 |
| **技术特征F：消光系数为0.5至10**<br>《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开吸光材料在300nm波长下的消光系数范围。因此未公开。 |
| **技术特征G：所述凹凸结构形成于所述基板上**<br>《直接公开》 | 段落[0076]：“a metallic thin film 101 and an anti-reflection preventing film 102 are formed on a surface of a substrate 100.”（翻译：在基板100的表面上形成金属薄膜101和抗反射膜102。）后续通过蚀刻形成条纹结构。 | 对比文件公开了条纹结构（凹凸结构）直接形成在基板上。因此直接公开。 |
| **技术特征H：在公式1中，a为0.74至10**<br>《未公开》 | 无。对比文件没有公开公式1，也没有a的范围。 | 对比文件未公开该参数范围和公式。因此未公开。 |
| **技术特征I：b为0.5至10**<br>《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开。因此未公开。 |
| **技术特征J：在公式2中，c为1.3至10**<br>《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开。因此未公开。 |
| **技术特征K：d为0.013至0.1**<br>《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开。因此未公开。 |
| **技术特征L：公式1：(a+bi)²＝n₁²×(1-W/P)+n₂²×W/P**<br>《未公开》 | 无。对比文件给出了有效介电常数的公式(2-1)和(2-2)，但形式不同。 | 对比文件未公开该公式。因此未公开。 |
| **技术特征M：公式2：(c+di)²＝n₁²×n₂²/((1-W/P)×n₂²+W×n₁²/P)**<br>《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开。因此未公开。 |
| **技术特征N：i为虚数**<br>《直接公开》 | 段落[0034]：“where j is an imaginary number unit.”（翻译：其中j是虚数单位。） | 对比文件明确公开了虚数单位，与目标专利中的i（虚数单位）等同。因此直接公开。 |
| **技术特征O：n1表示介电材料相对于波长为300nm的光的折射率**<br>《未公开》 | 无。对比文件使用e1表示第一介质的介电常数，未定义为折射率，且未指定波长。 | 对比文件未公开n1的定义和波长条件。因此未公开。 |
| **技术特征P：n2表示凸出部相对于波长为300nm的光的折射率**<br>《未公开》 | 无。对比文件使用e2表示第二介质的介电常数。 | 对比文件未公开。因此未公开。 |
| **技术特征Q：W表示凸出部的宽度**<br>《直接公开》 | 段落[0032]：“The space occupancy rate f herein is expressed as a ratio of a repeating period L1 of the second medium with respect to a width L2 of the second medium 20 (L2/L1)”（翻译：空间占有率f表示为第二介质的重复周期L1与第二介质20的宽度L2的比值(L2/L1)。） | 对比文件公开了凸出部宽度L2，其含义与W相同。因此直接公开。 |
| **技术特征R：P表示凸出部的间距**<br>《直接公开》 | 同上，L1为周期即间距。 | 对比文件公开了间距L1，其含义与P相同。因此直接公开。 |
| **技术特征S：介电材料相对于波长为250nm至350nm的光的折射率为1至3**<br>《隐含公开》 | 段落[0030]提及第一介质为空气。本领域公知空气在紫外区折射率约为1。 | 对比文件虽未明确数值范围，但公开了介电材料为空气，其折射率在紫外区基本为1，落入1-3范围。本领域技术人员可以合理推断出该特征，因此隐含公开。 |
| **技术特征T：凸出部相对于波长为250nm至350nm的光的折射率为1至10**<br>《未公开》 | 无。对比文件未公开凸出部材料在紫外区的折射率。 | 对比文件未公开该特征。因此未公开。 |
| **技术特征U：凸出部相对于波长在紫外区的光的消光系数为0.5至10**<br>《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开。因此未公开。 |
| **技术特征V：吸光材料为选自列表中的至少一种**<br>《直接公开》 | 段落[0058]：“it is assumed that the second medium 20 is formed of molybdenum as its material.”（翻译：假设第二介质20由钼形成。） | 对比文件公开了采用钼作为凸出部材料，钼是目标专利列表中的一种（钼）。因此直接公开。 |
| **技术特征W：由公式3计算的D为0.67至0.98**<br>《未公开》 | 无。对比文件未公开公式3，也未公开D值范围。 | 对比文件未公开。因此未公开。 |
| **技术特征X：公式3：D＝(Tc-Tp)/(Tc+Tp)**<br>《未公开》 | 无。对比文件未公开该公式。 | 对比文件未公开。因此未公开。 |
| **技术特征Y：Tc表示在垂直于凸出部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于偏振光分离元件的透射率**<br>《未公开》 | 对比文件讨论了TE偏振（垂直于条纹）的透射率，但未指定波长范围。 | 对比文件未公开250-350nm波长范围，因此未公开。 |
| **技术特征Z：Tp表示在平行于凸出部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于偏振光分离元件的透射率**<br>《未公开》 | 对比文件讨论了TM偏振（平行于条纹）的透射率，但未指定波长范围。 | 对比文件未公开250-350nm波长范围，因此未公开。 |
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