对比文件名称：2007-10-05_KR100763834B_发明授权_KR100763834B1 구리 헤이즈를 이용한 단결정 실리콘의 결정 결함 영역구분 방법 및 결정 결함 영역 평가용 구리 오염 용액
目标专利名称：评估晶片或单晶锭的质量的方法及使用其控制单晶锭的质量的方法 CN103650124B
本次调用的模型名称：gpt-4o
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：对单晶锭的切片或晶片进行Cu(铜)雾度评估《直接公开》 | 对比文件[21]：“准备由单晶硅锭的碎片或硅片构成的样品，然后在样品的一面涂覆BOE（缓冲氧化蚀刻剂）溶液与Cu的混合溶液即铜污染溶液，以污染样品的一面，然后干燥。将干燥的样品进行热处理，然后观察热处理后的样品的Cu污染面或污染面的相反面，以区分晶体缺陷区域。” | 对比文件公开了利用铜污染溶液进行热处理和观察以区分缺陷区域的方法，这即是铜雾度评估，且该方法应用于单晶硅锭的碎片或硅片，与技术特征A完全相同。 |
| 技术特征B：相对于所述Cu雾度评估的结果进行Cu雾度评分《未公开》 | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件仅进行缺陷区域区分，未提及任何关于“评分”或“定量化”的内容，本领域技术人员无法从对比文件合理推断出进行Cu雾度评分，因此未隐含公开。 |
| 技术特征C：通过使用缓冲氧化蚀刻剂溶液和Cu的混合溶液以高浓度的Cu污染Si单晶体的切片或晶片的一个表面《直接公开》 | 对比文件[21]：“在样品的一面涂覆BOE（缓冲氧化蚀刻剂）溶液与Cu的混合溶液即铜污染溶液”；[37]：“铜污染溶液是将铜溶液混合到0.67% BOE溶液（0.24%HF+19.5%NH₄F）中，使该溶液中的Cu浓度在1ppm至15ppm之间。单晶硅受到的Cu污染量可达1×10¹⁴ ~ 5×10¹⁶ atoms/cm²”；[27]：“利用BOE溶液将Cu高浓度地污染到单晶硅的一面上”。 | 对比文件明确公开了使用BOE（缓冲氧化蚀刻剂）与Cu的混合溶液，且浓度高（1-15ppm，1×10¹⁴~5×10¹⁶ atoms/cm²），并污染样品的一面，与技术特征C完全一致。 |
| 技术特征D：进行快速扩散热处理《直接公开》 | 对比文件[42]：“在实验例中，在1000℃下进行20分钟热处理”；[27]：“然后进行短时间扩散热处理”。 | 对比文件公开了热处理步骤，且温度1000℃、时间20分钟属于快速扩散热处理，[27]明确记载“短时间扩散热处理”，与技术特征D相同。 |
| 技术特征E：然后通过在聚光灯下视觉观察受污染的表面或其相反表面来区分晶体缺陷区域《直接公开》 | 对比文件[27]：“然后在聚光灯下用肉眼观察污染面或其相反面，即可区分晶体缺陷区域”；[44]：“在聚光灯下用肉眼观察”。 | 对比文件明确公开了在聚光灯下目视观察污染面或相反面来区分缺陷区域，与技术特征E完全一致。 |
| 技术特征F：其中进行快速扩散热处理包括对所述单晶锭的整个切片或晶片的左半侧进行第一热处理以评估O带区域《未公开》 | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件未公开将样品分为左半侧进行第一热处理，也未提及O带区域（OISF）的评估，本领域技术人员无法从对比文件合理推断出该分区方式，因此未隐含公开。 |
| 技术特征G：和对所述单晶锭的整个切片或晶片的右半侧进行第二热处理以评估Pi和Pv区域《未公开》 | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件未公开将样品分为右半侧进行第二热处理，也未公开同时评估Pi和Pv区域的分区方法，因此未隐含公开。 |
| 技术特征J（译2）：在Cu雾度评分中，所述Cu雾度评分的方法包括通过划分锭的切片的或所述晶片的缺陷区域来进行Cu雾度评分《未公开》 | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件仅区分缺陷区域，没有进行评分，更没有给出通过划分缺陷区域进行评分的方法，本领域技术人员无法从对比文件合理推断出该评分步骤，因此未隐含公开。 |
| 技术特征K（译3）：所述Cu雾度评分的方法包括通过评定所述锭的切片的或所述晶片的Pv区域和Pi区域的分数来进行Cu雾度评分《未公开》 | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件没有分数评定的概念，本领域技术人员无法从对比文件合理推断出评定Pv和Pi区域分数，因此未隐含公开。 |
| 技术特征H：相对于Pv、Pi热处理区域测量第二Pi区域的面积《未公开》 | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件没有测量面积的内容，也没有提及第二Pi区域，本领域技术人员无法从对比文件合理推断出该测量步骤，因此未隐含公开。 |
| 技术特征I：对所述第一Pi区域的面积和所述第二Pi区域的面积进行相加以设置为Cu雾度分数值《未公开》 | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件没有面积测量和相加的设置，本领域技术人员无法从对比文件合理推断出该评分方法，因此未隐含公开。 |
| 技术特征M（译5）：所述Cu雾度评分包括通过所述Cu雾度评估来建立Cu雾度评分图《未公开》 | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件没有建立评分图的内容，本领域技术人员无法从对比文件合理推断出建立评分图，因此未隐含公开。 |
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