A 所述方法包括对单晶锭的切片或晶片进行Cu(铜)雾度评估

B 和译相对于所述Cu雾度评估的结果进行Cu雾度评分

C 译其中对单晶锭的切片或晶片进行Cu雾度评估包括通过使用缓冲氧化蚀刻剂溶液和Cu的混合溶液以高浓度的Cu污染Si单晶体的切片或晶片的一个表面

D 进行快速扩散热处理

E 然后通过在聚光灯下视觉观察受污染的表面或其相反表面来区分晶体缺陷区域

F 其中进行快速扩散热处理包括对所述单晶锭的整个切片或晶片的左半侧进行第一热处理以评估O带区域

G 和对所述单晶锭的整个切片或晶片的右半侧进行第二热处理以评估Pi和Pv区域。译2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述Cu雾度评分中所述Cu雾度评分的方法包括通过划分锭的切片的或所述晶片的缺陷区域来进行Cu雾度评分。译3.根据权利要求2所述的方法，其中所述Cu雾度评分的方法包括通过评定所述锭的切片的或所述晶片的Pv区域 and Pi区域的分数来进行Cu雾度评分。译4.根据权利要求1所述的方法，其中所述Cu雾度评分包括相对于根据所述Cu雾度评估方法的O带热处理区域测量第一Pi区域的面积

H 译相对于Pv、Pi热处理区域测量第二Pi区域的面积

I 和对所述第一Pi区域的面积和所述第二Pi区域的面积进行相加以设置为Cu雾度分数值。译5.根据权利要求1所述的方法，其中所述Cu雾度评分包括通过所述Cu雾度评估来建立Cu雾度评分图。译