**对比文件名称**：2000-02-25_JP2000058036A_发明专利_JP2000058036A Secondary battery
**目标专利名称**：1761二次电池用电极组件和包含所述电极组件的锂二次电池CN103222098B
**本次调用的模型名称**：AI模型（深度思考模式）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译，段落号） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包含正极<br>《直接公开》 | [0030] “正极材料...涂布在厚度20微米的铝箔两面” | 对比文件明确记载了正极，包括正极集电器（铝箔）和正极活性材料，因此直接公开特征A。 |
| 技术特征B：其具有在正极集电器上形成的正极涂布部分<br>《直接公开》 | 同上 [0030] | 对比文件公开了正极涂布部分（活性材料层）形成在正极集电器（铝箔）表面，因此直接公开特征B。 |
| 技术特征C：负极<br>《直接公开》 | [0030] “负极材料...涂布在厚度10微米的铜箔两面” | 对比文件明确记载了负极，包括负极集电器（铜箔）和负极活性材料，因此直接公开特征C。 |
| 技术特征D：其具有在负极集电器上形成的负极涂布部分<br>《直接公开》 | 同上 [0030] | 对比文件公开了负极涂布部分（活性材料层）形成在负极集电器（铜箔）表面，因此直接公开特征D。 |
| 技术特征E：插入所述正极与负极之间的聚烯烃基隔膜<br>《直接公开》 | [0031] “通过微多孔聚丙烯制隔膜” | 对比文件使用的隔膜材质为聚丙烯，属于聚烯烃类，因此直接公开特征E。 |
| 技术特征F：其中在所述正极涂布部分和负极涂布部分中的任意一个涂布部分的顶面上形成有PTC(正温度系数)材料层<br>《隐含公开》 | [0010] “正极活物质内、及/或负極活物質内、及/或基体内、及/或セパレータ内、及/或端子内”配置金属氧化物；[0023] “集電体の表面でも、セパレータの表面でも効果が得られる”；实施例5（[0038]）在正极基体和负极基体两面喷涂金属氧化物形成涂层。 | 对比文件公开了具有PTC特性（100~220℃电导率大幅下降）的金属氧化物材料，并教导将其配置在电极组件内部，包括在集流体（基体）表面形成涂层。本领域技术人员根据这一教导，可以合理推断出将该材料形成在活性材料层（涂布部分）顶面也是可行的，因为该顶面同样是电极表面且直接面对隔膜，能够实现类似的安全功能。因此，特征F被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征G：其中所述PTC材料层面对所述一个涂布部分的接触面积与所述一个涂布部分面对所述PTC材料层的面积相同；并且其中所述PTC材料层包含BaTiO₃、聚合物材料和导电填料<br>《未公开》 | 对比文件未提及面积相同；使用的金属氧化物为(V₂O₃等，非BaTiO₃；未使用聚合物材料和导电填料作为PTC层主体成分（仅使用PVDF粘结剂） | 对比文件公开的PTC材料组成与目标专利完全不同，且未涉及面积关系，因此特征G未公开。 |
| 技术特征H：其中所述聚合物材料包含密度大于0.94g/cm³的高密度聚乙烯<br>《未公开》 | 对比文件未公开高密度聚乙烯 | 对比文件未公开聚合物材料的具体种类，特征H未公开。 |
| 技术特征I：其中所述聚合物材料的量为PTC组合物总重量的40重量％～60重量％<br>《未公开》 | 实施例4（[0038]）金属氧化物与PVDF重量比为90:10，即聚合物材料仅10% | 对比文件公开的聚合物材料（PVDF）比例不在40~60%范围内，特征I未公开。 |
| 技术特征J：其中所述PTC材料层有效工作温度范围为80℃～140℃<br>《未公开》 | [0010] “100℃以上220℃以下の範囲で伝導度の大きな低下を伴う相変態” | 对比文件公开的温度范围是100~220℃，而目标专利要求80~140℃，两者范围不同且未完全包含，特征J未公开。 |
| 技术特征K：其中所述PTC材料层的厚度为1μm～30μm<br>《未公开》 | 对比文件未公开PTC材料层厚度 | 对比文件未涉及厚度参数，特征K未公开。 |
| 技术特征L：其中所述导电材料包含炭黑、碳纤维或它们的混合物<br>《未公开》 | 对比文件未使用炭黑或碳纤维作为导电填料 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征M：通过以双电池和全电池在连续纵向切割的隔膜上交叉的状态对双电池和全电池进行折叠而制造的堆叠和折叠型电极组件<br>《未公开》 | 对比文件未公开该类型电极组件 | 对比文件仅公开了卷绕型电极组件，未涉及堆叠折叠型，特征M未公开。 |
| 技术特征N：通过以在隔膜上仅放置双电池的状态对双电池进行折叠而制造的堆叠和折叠型电极组件<br>《未公开》 | 同上 | 对比文件未公开，特征N未公开。 |
| 技术特征O：通过以在隔膜上仅放置全电池的状态对全电池进行折叠而制造的堆叠和折叠型电极组件<br>《未公开》 | 同上 | 对比文件未公开，特征O未公开。 |
| 技术特征P：通过在Z字形方向上将双电池或全电池折叠于隔膜上而制造的Z型堆叠和折叠电极组件<br>《未公开》 | 同上 | 对比文件未公开，特征P未公开。 |
| 技术特征Q：通过在相同方向上对双电池或全电池进行连续折叠而制造的堆叠和折叠型电极组件<br>《未公开》 | 同上 | 对比文件未公开，特征Q未公开。 |
| 技术特征R：通过以正极和负极在纵向切割的隔膜上交叉的状态对所述正极和所述负极进行折叠而制造的电极组件<br>《未公开》 | 同上 | 对比文件未公开，特征R未公开。 |
| 技术特征S：通过以先后布置正极板、隔膜和负极板的状态在一个方向上对正极板、隔膜和负极板进行卷绕而制造的果冻卷型电极组件<br>《直接公开》 | [0031] “正极与负极通过微多孔聚丙烯制隔膜积层，并卷成涡卷状” | 对比文件明确描述了将正极、隔膜、负极卷绕成涡卷（果冻卷）的过程，因此直接公开特征S。 |
### 公开性代码（仅列出被直接公开或隐含公开的特征）
**直接公开**：A, B, C, D, E, S
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<S>>>
**隐含公开**：F
<<<f>>>