对比文件名称：1999-11-02_US5976245A_发明授权_US5976245A Czochralski crystal growing system
目标专利名称：1767晶锭生长设备和制造晶锭的方法CN103732807B
本次调用的模型名称：gpt-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括含有硅熔体的坩埚 《直接公开》 | 背景技术部分：“丘克拉斯基晶体生长方法通常用于生长体半导体单晶，这些单晶来自晶体生长炉的坩埚中容纳的半导体材料熔体。”（原文：“The Czochralski crystal growing method is commonly used to grow bulk semiconductor single crystals from melts of semiconductor materials contained in crucibles of crystal growing furnaces.”） | 对比文件明确公开了坩埚用于容纳硅熔体，与技术特征A相同。 |
| 技术特征B：提拉装置 《直接公开》 | 背景技术部分：“将晶种与熔体接触，然后缓慢提拉以生长单晶。”（原文：“a seed crystal is brought into contact with the melt and then slowly withdrawn to grow a single crystal.”）以及具体实施方式部分中提到的卡盘和电缆。 | 对比文件公开了用于提拉晶种或晶锭的提拉装置，与技术特征B相同。 |
| 技术特征C：所述提拉装置提拉从所述硅熔体生长的硅单晶晶锭 《直接公开》 | 背景技术部分：“将晶种与熔体接触，然后缓慢提拉以生长单晶。”（原文：“a seed crystal is brought into contact with the melt and then slowly withdrawn to grow a single crystal.”） | 对比文件公开了提拉装置提拉从熔体生长的单晶晶锭，与技术特征C相同。 |
| 技术特征D：掺杂剂供给单元 《直接公开》 | 具体实施方式部分：“一种丘克拉斯基单晶生长系统的掺杂剂递送组件10。”（原文：“a dopant delivery component 10 of the Czochralski single crystal growing system”） | 对比文件公开了掺杂剂递送组件作为掺杂剂供给单元，与技术特征D相同。 |
| 技术特征E：所述掺杂剂供给单元与所述提拉装置相邻布置 《直接公开》 | 具体实施方式部分：“掺杂剂递送组件150的主体部分154连接至卡盘（未示出），该卡盘在掺杂过程中牢固地保持掺杂剂递送组件。卡盘连接至电缆（未示出），该电缆使掺杂剂递送组件150相对于半导体材料熔体移动。”（原文：“During use of the dopant delivery component 150, the body portion 154 is attached to a chuck (not shown) that securely holds the dopant delivery component during the doping process. The chuck is connected to a cable (not shown) that moves the dopant delivery component 150 relative to a melt of a semiconductor material.”） | 对比文件公开了掺杂剂供给单元通过卡盘与提拉装置相邻布置（直接连接），与技术特征E相同。 |
| 技术特征F：用于在所述晶锭的生长期间供给掺杂剂 《直接公开》 | 具体实施方式部分：“掺杂剂递送组件被降低，使得下部部分浸入熔体以熔化下部部分，从而将掺杂剂释放到熔体中。”（原文：“The dopant delivery component 150 is lowered so that the lower portion 152 is dipped into the melt to melt the lower portion 152 so as to release the dopant 158 into the melt.”） | 对比文件公开了在晶体生长过程中（通过熔体）供给掺杂剂，与技术特征F相同。 |
| 技术特征G：其中，所述提拉装置包括夹持晶种的晶种夹具 《直接公开》 | 具体实施方式部分：“主体部分被连接至卡盘”（原文：“the body portion is attached to a chuck”）以及背景技术部分中提及的晶种。 | 对比文件公开了卡盘作为夹持晶种的晶种夹具，与技术特征G相同。 |
| 技术特征H：所述掺杂剂供给单元与所述晶种夹具组合 《直接公开》 | 具体实施方式部分：“掺杂剂递送组件被夹持在卡盘中。”（原文：“the dopant delivery component is attached to a chuck”） | 对比文件公开了掺杂剂供给单元与晶种夹具（卡盘）组合，与技术特征H相同。 |
| 技术特征I：所述掺杂剂供给单元包括环绕所述晶种的外壁 《未公开》 | 对比文件未公开环绕晶种的外壁结构。 | 对比文件中的掺杂剂递送组件为块状主体，内部有空腔，但主体本身并非环绕晶种的外壁，也没有描述外壁环绕晶种的结构，因此未公开。 |
| 技术特征J：以预定的角度从所述外壁向内部延伸的容纳部 《未公开》 | 对比文件未公开以预定角度从外壁向内延伸的容纳部。 | 对比文件中空腔可垂直或水平，但并非从环绕晶种的外壁以预定角度向内延伸，因此未公开。 |
| 技术特征K：所述掺杂剂被容纳在所述容纳部中 《直接公开》 | 具体实施方式部分：“空腔20的尺寸被设计为容纳所需量的掺杂剂26完全在主体部分12内部。”（原文：“The cavity 20 is sized to contain a desired amount of a dopant 26 entirely inside the body portion 12.”） | 对比文件公开了掺杂剂被容纳在空腔（容纳部）中，与技术特征K相同。 |
| 技术特征L：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度高于所述硅熔体中的掺杂剂的浓度的掺杂剂 《隐含公开》 | 具体实施方式部分：“所需量的掺杂剂”和“有效量以达到期望的电性能”（原文：“a desired amount of a dopant” and “an effective amount to achieve desired electrical properties”）。 | 对比文件虽未明确比较浓度，但掺杂剂以固体或浓缩形式提供，其浓度必然高于硅熔体，本领域技术人员可合理推断，因此隐含公开。 |
| 技术特征M：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×10^16原子/cm^3至1×10^19原子/cm^3的掺杂剂 《未公开》 | 对比文件未公开任何浓度数值范围。 | 对比文件没有提及具体的浓度数值，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×10^17原子/cm^3至1×10^18原子/cm^3的掺杂剂 《未公开》 | 对比文件未公开该浓度范围。 | 对比文件没有提及该浓度范围，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中，所述容纳部包括通孔 《未公开》 | 对比文件未公开容纳部具有通孔。 | 对比文件中的空腔通常为盲孔或封闭，没有描述用于颈部穿过的通孔，因此未公开。 |
| 技术特征P：颈部穿透所述通孔 《未公开》 | 对比文件未公开颈部穿透通孔。 | 对比文件没有描述颈部穿过通孔的结构，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述掺杂剂供给单元被固定至所述提拉装置 《直接公开》 | 具体实施方式部分：“主体部分被连接至卡盘”和“卡盘连接至电缆”（原文：“the body portion is attached to a chuck” and “the chuck is connected to a cable”）。 | 对比文件公开了掺杂剂供给单元通过卡盘固定至提拉装置，与技术特征Q相同。 |
| 技术特征R：其中，通过所述掺杂剂供给单元在所述晶锭中提供的掺杂剂为磷或硼 《隐含公开》 | 对比文件提及“掺杂剂”如锑（原文：“dopants having a high vapor pressure such as antimony”），但未明确磷或硼。 | 磷和硼是硅单晶生长中最常用的p型和n型掺杂剂，本领域技术人员在对比文件教导下自然会使用这些常见掺杂剂，因此隐含公开。 |
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