对比文件名称：2004-04-15_US2004069214A_发明申请_US20040069214A1 Silicon single crystal growing furnace supplemented with low melting point dopant feeding instrument and a low melting point dopant feeding method thereof
目标专利名称：1767晶锭生长设备和制造晶锭的方法CN103732807B
本次调用的模型名称：AI语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译，段落标号） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括含有硅熔体的坩埚【直接公开】 | [0029]“石英坩埚10，其容纳硅熔体”（原文：a quartz crucible 10 containing the molten silicon liquid） | 对比文件直接公开了石英坩埚容纳硅熔体，与目标专利特征相同，作用相同。 |
| 技术特征B：提拉装置【直接公开】 | [0029]“晶体提拉器40”（原文：a crystal pulling lifter 40） | 对比文件直接公开了晶体提拉器，用于提拉晶体。 |
| 技术特征C：所述提拉装置提拉从所述硅熔体生长的硅单晶晶锭【直接公开】 | [0029]“从硅熔体提拉硅单晶”（原文：pulling up a silicon single crystal from the molten silicon liquid） | 对比文件直接公开了提拉装置从硅熔体提拉硅单晶晶锭的功能。 |
| 技术特征D：掺杂剂供给单元【直接公开】 | [0029]“低熔点掺杂剂供给装置100”（原文：a low melting point dopant feeding instrument 100） | 对比文件直接公开了掺杂剂供给装置。 |
| 技术特征E：所述掺杂剂供给单元与所述提拉装置相邻布置【直接公开】 | [0035]“低熔点掺杂剂供给装置100包括连接部分104，用于与晶体提拉器40的种子夹头41耦合”（原文：the low melting point dopant feeding instrument 100 includes a conjunction portion 104 to be coupled with the seed chuck 41 of the crystal pulling lifter 40） | 对比文件公开了掺杂剂供给装置通过连接部分与提拉装置的种子夹头连接，从而与提拉装置相邻布置，结构和功能相同。 |
| 技术特征F：用于在所述晶锭的生长期间供给掺杂剂【未公开】 | [0035]“在低熔点掺杂剂供给完成后，晶体提拉器40被提升以将低熔点掺杂剂供给装置100从种子夹头41分离。然后种子与种子夹头41耦合，以进行后续工艺，如种子浸渍、颈部形成、放肩、体生长、收尾、冷却和晶体移除。”（原文：after the feeding of the low melting point dopant has been completed, the crystal pulling lifter 40 is lifted to separate the low melting point dopant feeding instrument 100 from the seed chuck 41. A seed is coupled with the seed chuck 41 to carry out the subsequent processes such as seed dipping, necking, shouldering, body growing, tailing, cooling, and crystal removal.） | 对比文件明确教导掺杂剂供给在晶体生长开始前完成，供给装置在颈部形成前已被移除，而非在晶锭生长期间（包括颈部形成）供给掺杂剂。因此，未公开该特征。 |
| 技术特征G：其中，所述提拉装置包括夹持晶种的晶种夹具【直接公开】 | [0035]“种子夹头41”（原文：seed chuck 41） | 对比文件直接公开了提拉装置包括种子夹头，用于夹持晶种。 |
| 技术特征H：所述掺杂剂供给单元与所述晶种夹具组合【直接公开】 | [0035]“低熔点掺杂剂供给装置100与种子夹头41耦合”（原文：the low melting point dopant feeding instrument 100 is coupled with the seed chuck 41） | 对比文件直接公开了掺杂剂供给装置与种子夹头组合（耦合）。 |
| 技术特征I：所述掺杂剂供给单元包括环绕所述晶种的外壁【未公开】 | [0029]“低熔点掺杂剂供给装置100包括侧壁部分102和上部部分101”（原文：the low melting point dopant feeding instrument 100 includes a sidewall portion 102, an upper portion 101, and a net-like bottom portion 103） | 对比文件公开的侧壁是供给装置的容器壁，用于容纳掺杂剂，并非设计为环绕晶种。在目标专利中，外壁在颈部形成时环绕晶种，对比文件未公开该结构及其功能。 |
| 技术特征J：以预定的角度从所述外壁向内部延伸的容纳部【未公开】 | 对比文件未公开从外壁向内延伸的倾斜容纳部，其底部为网状底部。 | 对比文件没有公开从外壁向内部延伸的容纳部结构，其底部为水平网状结构。因此，未公开。 |
| 技术特征K：所述掺杂剂被容纳在所述容纳部中【未公开】 | 对比文件公开掺杂剂装载在供给装置内，但未公开容纳部。 | 由于特征J的容纳部未被公开，故特征K也不被公开。 |
| 技术特征L：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度高于所述硅熔体中的掺杂剂的浓度的掺杂剂【直接公开】 | [0029]“低熔点掺杂剂D装载在低熔点掺杂剂供给装置100内。”（原文：A low melting point dopant D is loaded inside the low melting point dopant feeding instrument 100.）[0030]描述掺杂剂通过溶解/蒸发进入熔体。 | 对比文件公开的掺杂剂供给装置装载纯掺杂剂，其浓度远高于硅熔体中的掺杂剂浓度。本领域技术人员可以毫无疑义地得出，该供给单元提供浓度高于硅熔体的掺杂剂。因此，直接公开。 |
| 技术特征M：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×10¹⁶原子/cm³至1×10¹⁹原子/cm³的掺杂剂【未公开】 | 对比文件未提及具体浓度数值。 | 对比文件没有公开任何关于掺杂剂浓度的具体数值范围，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述掺杂剂供给单元提供浓度范围为1×10¹⁷原子/cm³至1×10¹⁸原子/cm³的掺杂剂【未公开】 | 对比文件未提及具体浓度数值。 | 对比文件没有公开该浓度范围，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中，所述容纳部包括通孔【未公开】 | 对比文件公开了底部具有孔103a，但该孔是用于掺杂剂通过，且底部不是容纳部。未公开容纳部通孔。 | 对比文件未公开容纳部，也未公开颈部穿过的通孔结构。因此，未公开。 |
| 技术特征P：颈部穿透所述通孔【未公开】 | 对比文件未公开颈部穿透通孔，因为供给装置在颈部形成前已移除。 | 对比文件没有公开颈部穿透通孔的技术特征。 |
| 技术特征Q：其中，所述掺杂剂供给单元被固定至所述提拉装置【直接公开】 | [0035]“低熔点掺杂剂供给装置100通过连接部分104与种子夹头41耦合”（原文：the low melting point dopant feeding instrument 100 includes a conjunction portion 104 to be coupled with the seed chuck 41 of the crystal pulling lifter 40, and the low melting point dopant feeding instrument 100 is coupled with the seed chuck 41） | 对比文件直接公开了掺杂剂供给装置通过连接部分与种子夹头耦合，从而固定至提拉装置。 |
| 技术特征R：其中，通过所述掺杂剂供给单元在所述晶锭中提供的掺杂剂为磷或硼【直接公开】 | [0005]“红磷”（red phosphorous）作为低熔点掺杂剂实例；[0030]“低熔点掺杂剂D，例如Sb，红磷，Ge，As等”（原文：the low melting point dopant D, such as Sb (631°C), red phosphorous (593°C), Ge (937°C), As (817°C), or the like） | 对比文件明确公开了通过供给单元提供的掺杂剂包括磷（红磷）。因此，特征R被公开（磷）。 |
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